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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7Y59-60EX | 0.7900 |  | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk7y59 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 17A (TC) | 10V | 59mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 7.8 NC @ 10 v | ± 20V | 494 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | ||
 | EPC2025 | - | | 4441 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0040 | 1,000 | n 채널 | 300 v | 4A (TA) | 5V | 150mohm @ 3a, 5V | 2.5V @ 1mA | +6V, -4V | 194 pf @ 240 v | - | - | |||
 | IRF3515STRLPBF | - | | 9495 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 41A (TC) | 45mohm @ 25a, 10V | 4.5V @ 250µA | 107 NC @ 10 v | 2260 pf @ 25 v | - | ||||||||
 | IPI45N06S4L08AKSA2 | 0.4000 | | 11 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | IAUC120N04S6N006ATMA1 | 4.0600 | | 6603 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IAUC120 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-53 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 120A (TJ) | 7V, 10V | 0.6MOHM @ 60A, 10V | 3V @ 130µA | 151 NC @ 10 v | ± 20V | 10117 pf @ 25 v | - | 187W (TC) | ||
 | std9nm60n | 2.4700 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std9 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 6.5A (TC) | 10V | 745mohm @ 3.25a, 10V | 4V @ 250µA | 17.4 NC @ 10 v | ± 25V | 452 pf @ 50 v | - | 70W (TC) | ||
 | BUK9520-55A, 127 | - | | 8220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | buk95 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 54A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 2210 pf @ 25 v | - | 118W (TC) | |||
 | IPI90R340C3XKSA2 | 6.4000 | | 2650 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI90R340 | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 900 v | 15A (TC) | 10V | 340mohm @ 9.2a, 10V | 3.5V @ 1mA | 94 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 100 v | - | 208W (TC) | ||
 | BUK7226-75A, 118 | - | | 6351 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 75 v | 45A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2385 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | |||
 | PMN27XPE115 | 0.2100 | | 34 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 4.4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 30mohm @ 3a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 22.5 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1770 pf @ 10 v | - | 530MW (TA), 8.33W (TC) | |||
 | FDS4080N3 | 1.6600 | | 39 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 13A (TA) | 10V | 10.5mohm @ 13a, 10V | 5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1750 pf @ 20 v | - | 3W (TA) | |||||
 | SUD09P10-195-BE3 | 0.8700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SUD09 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | p 채널 | 100 v | 8.8A (TC) | 4.5V, 10V | 195mohm @ 3.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 34.8 nc @ 10 v | ± 20V | 1055 pf @ 50 v | - | 2.5W (TA), 32.1W (TC) | |||
 | BSP89L6327HTSA1 | - | | 4702 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | BSP89 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 240 v | 350MA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 350ma, 10V | 1.8V @ 108µA | 6.4 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | |||
 | GT011N03ME | 1.7100 | | 800 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 800 | n 채널 | 30 v | 209A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 18V | 6140 pf @ 15 v | - | 89W (TC) | |||
| IPB038N12N3GATMA1 | 6.7100 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB038 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 120 v | 120A (TC) | 10V | 3.8mohm @ 100a, 10V | 4V @ 270µA | 211 NC @ 10 v | ± 20V | 13800 pf @ 60 v | - | 300W (TC) | ||
 | auirls3036 | - | | 1491 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11210 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | ||||||
 | TPCA8045-H (T2L1, VM | - | | 3369 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u-mosvi-h | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | TPCA8045 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP Advance (5x5) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 46A (TA) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 23a, 10V | 2.3v @ 1ma | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 7540 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA), 45W (TC) | |||
 | NVD5890NLT4G-VF01 | - | | 6667 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVD5890NLT4G-VF01TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 24A (TA), 123A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 250µA | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 4760 pf @ 25 v | - | 4W (TA), 107W (TC) | ||
 | IRF7805A | - | | 6820 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF7805A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | n 채널 | 30 v | 13A (TA) | 4.5V | 11mohm @ 7a, 4.5v | 3V @ 250µA | 31 NC @ 5 v | ± 12V | - | 2.5W (TA) | |||
 | BUK96150-55A, 118 | - | | 3555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buk96 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 13A (TC) | 4.5V, 10V | 137mohm @ 13a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 339 pf @ 25 v | - | 53W (TC) | |||
 | NTB30N06T4G | - | | 2340 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NTB30 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 27A (TA) | 10V | 42mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 25 v | - | 88.2W (TC) | |||
 | IXFK90N20Q | 15.3652 | | 9792 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q 클래스 | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK90 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | IXFK90N20Q-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 200 v | 90A (TC) | 10V | 22mohm @ 45a, 10V | 4V @ 4MA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 6800 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | |
 | NVMFS5C468NLWFT3G | - | | 8155 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 37A (TC) | 4.5V, 10V | 10.3mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 7.3 NC @ 10 v | ± 20V | 570 pf @ 25 v | - | 3.5W (TA), 28W (TC) | ||
 | irfr1n60atrpbf | 1.5500 | | 985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 1.4A (TC) | 10V | 7ohm @ 840ma, 10V | 4V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 30V | 229 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | |||
 | NTF3055L108T3LF | - | | 8613 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | NTF305 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | NTF3055L108T3LFOS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 60 v | 3A (TA) | 5V | 120mohm @ 1.5a, 5V | 2V @ 250µA | 15 nc @ 5 v | ± 15V | 440 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |
 | STF26N65DM2 | 2.1186 | | 8103 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF26 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 650 v | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 35.5 nc @ 10 v | ± 25V | 1480 pf @ 100 v | - | 30W (TC) | |||
| IPB0401NM5SATMA1 | 4.8800 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | IPB0401 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||
 | IPP126N10N3G | - | | 3366 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 68 | n 채널 | 100 v | 58A (TC) | 12.6MOHM @ 46A, 10V | 3.5V @ 46µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 50 v | - | 94W (TC) | ||||
 | FDS8896 | 1.0000 | | 8481 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 15A, 10V | 2.5V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 2525 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||
| 2SK2111-T2-AZ | 0.4300 | | 96 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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