- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
단일 단일, MOSFETS (44971)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | pmpb13upx | 0.5100 |  | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB13 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 9.1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 16mohm @ 9.1a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 39 NC @ 4.5 v | ± 8V | 2230 pf @ 6 v | - | 2W (TA), 12.5W (TC) | ||
 | IRF9Z34STRRPBF | 2.8100 | | 408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF9Z34 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 60 v | 18A (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||
 | STF12N65M2 | 1.9400 | | 886 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ M2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF12 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15531-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 8A (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 16.5 nc @ 10 v | ± 25V | 535 pf @ 100 v | - | 25W (TC) | |
 | H5N3011P80-E#T2 | 12.6200 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | SQ4840EY-T1_BE3 | 3.3100 | | 5093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SQ4840 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 20.7A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 2440 pf @ 20 v | - | 7.1W (TC) | ||||
 | NVTFWS012P03P8ZTAG | 0.3713 | | 3171 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-nvtfws012p03p8ztagtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | p 채널 | 30 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 11.3MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 25V | 1535 pf @ 15 v | - | 860MW (TA) | ||
 | irf6623trpbf | 2.3700 | | 8 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 st | IRF6623 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ st | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 20 v | 16A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 5.7mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1360 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA), 42W (TC) | ||
 | SIHK105N60EF-T1GE3 | 5.8000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | ef | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerbsfn | MOSFET (금속 (() | PowerPak®10 x 12 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 24A (TC) | 10V | 10A @ 10A, 10V | 5V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 30V | 2301 pf @ 100 v | - | 142W (TC) | ||||
 | RM45N600T7 | 2.9000 | | 7621 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM45N600T7 | 8541.10.0080 | 1,800 | n 채널 | 600 v | 44.5A (TJ) | 10V | 90mohm @ 15.6a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2808 pf @ 100 v | - | 431W | |||||
 | PhD98N03LT, 118 | - | | 9496 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PhD98 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 75A (TC) | 5V, 10V | 5.9mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 40 nc @ 5 v | ± 20V | 3000 pf @ 20 v | - | 111W (TC) | ||
 | IPC60R190E6UNSAWNX6SA1 | - | | 5164 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | IPC60R | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000857782 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||
| DMT10H9M9LPSW-13 | 0.3849 | | 9272 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | DMT10 | - | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT10H9M9LPSW-13TR | 2,500 | |||||||||||||||||||||
 | NTF3055L175T3G | - | | 5423 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | NTF305 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 60 v | 2A (TA) | 5V | 175mohm @ 1a, 5V | 2V @ 250µA | 10 nc @ 5 v | ± 15V | 270 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | |||
 | PSMN6R0-30YLB, 115 | 1.0000 | | 8064 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 71A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10V | 1.95v @ 1ma | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 1088 pf @ 15 v | - | 58W (TC) | ||||||
| IXTQ32P20T | 6.0893 | | 1972 | 0.00000000 | ixys | Trenchp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ32 | MOSFET (금속 (() | to-3p | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXTQ32P20T | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 200 v | 32A (TC) | 10V | 130mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 185 NC @ 10 v | ± 15V | 14500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
 | fqd5n50ctm | 0.5100 | | 8 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 500 v | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 625 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | BUK7526-100B, 127 | - | | 5721 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 49A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 2891 pf @ 25 v | - | 157W (TC) | |||
 | R5009ANJTL | 1.9610 | | 8356 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | R5009 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 9A (TA) | 10V | 720mohm @ 4.5a, 10V | 4.5V @ 1mA | 21 NC @ 10 v | ± 30V | 650 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||
 | SCT2450KEC | - | | 6058 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SCT2450 | sicfet ((카바이드) | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SCT2450KECU | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1200 v | 10A (TC) | 18V | 585mohm @ 3a, 18V | 4V @ 900µA | 27 NC @ 18 v | +22V, -6V | 463 pf @ 800 v | - | 85W (TC) | |
 | RQ5L035GNTCL | 0.7800 | | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | RQ5L035 | MOSFET (금속 (() | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 3.5A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.5a, 10V | 2.7V @ 50µA | 7.3 NC @ 10 v | ± 20V | 375 pf @ 30 v | - | 700MW (TA) | ||
| FDS7060N7 | 1.6000 | | 4 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 188 | n 채널 | 30 v | 19A (TA) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 19a, 10V | 3V @ 250µA | 56 NC @ 5 v | ± 20V | 3274 pf @ 15 v | - | 3W (TA) | |||||
 | SIHFR120-GE3 | 0.7000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 7.7A (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250µA | 16 nc @ 10 v | ± 20V | 360 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| 2N7228 | - | | 4400 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-254-3, TO-254AA (직선 리드) | MOSFET (금속 (() | TO-254AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 415mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 150W (TC) | ||||
 | DI050N06D1-AQ | - | | 9134 | 0.00000000 | diotec 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA (DPAK) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2796-Di050N06D1-AQTR | 8541.29.0000 | 1 | n 채널 | 65 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 825 pf @ 30 v | - | 42W (TC) | |||
 | RJK0358DPA-01#J0B | 0.9000 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||
 | STHU32N65DM6AG | 8.8800 | | 87 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | MOSFET (금속 (() | hu3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-sthu32n65dm6agtr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 650 v | 37A (TC) | 10V | 97mohm @ 18.5a, 10V | 4.75V @ 250µA | 52.6 NC @ 10 v | ± 25V | 2211 pf @ 100 v | - | 320W (TC) | ||
 | PHP36N03LT, 127 | - | | 7985 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 43.4A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 18.5 nc @ 10 v | ± 20V | 690 pf @ 25 v | - | 57.6W (TC) | |||
 | IXFN200N10P | 28.9600 | | 10 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN200 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 100 v | 200a (TC) | 10V | 7.5mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 8MA | 235 NC @ 10 v | ± 20V | 7600 pf @ 25 v | - | 680W (TC) | ||
| NDS355AN-NB9L007A | - | | 3585 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156S355AN-NB9L007A-600039 | 1 | n 채널 | 30 v | 1.7A (TA) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 1.9a, 10V | 2V @ 250µA | 5 nc @ 5 v | ± 20V | 195 pf @ 15 v | - | 500MW (TA) | |||||
 | SFI9510TU | 0.7300 | | 950 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 100 v | 3.6A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.8a, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 30V | 335 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 32W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)