전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMZB370Unue, 315 | - | ![]() | 7715 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | MOSFET (금속 (() | DFN1006B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 900MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 490mohm @ 500ma, 4.5v | 1.05V @ 250µA | 1.16 NC @ 15 v | ± 8V | 78 pf @ 25 v | - | 360MW (TA), 2.7W (TC) | |||
![]() | PJA3412-AU_R2_000A1 | 0.4000 | ![]() | 8417 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3412 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJA3412-AU_R2_000A1DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12,000 | n 채널 | 20 v | 4.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 56mohm @ 4.1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 350 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | |
![]() | AON7532E | - | ![]() | 1020 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 알파모 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | Aon75 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 30.5A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1950 pf @ 15 v | - | 5W (TA), 28W (TC) | |||
![]() | STB9NK60ZT4 | 3.2100 | ![]() | 8299 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB9 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 950mohm @ 3.5a, 10V | 4.5V @ 100µa | 53 NC @ 10 v | ± 30V | 1110 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | ||
![]() | stl4p3llh6 | 0.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ H6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerwdfn | STL4P3 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-15510-2 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4A (TA) | 4.5V, 10V | 56mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 639 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA) | |
![]() | TSM900N06CP ROG | 1.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM900 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 11A (TC) | 4.5V, 10V | 90mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.3 NC @ 10 v | ± 20V | 500 pf @ 15 v | - | 25W (TC) | ||
![]() | RCX080N25 | 1.3000 | ![]() | 442 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RCX080 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 250 v | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 5V @ 1MA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 840 pf @ 25 v | - | 2.23W (TA), 35W (TC) | ||
![]() | BSS84P E6433 | - | ![]() | 6667 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 60 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 8ohm @ 170ma, 10V | 2V @ 20µA | 1.5 nc @ 10 v | ± 20V | 19 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||
![]() | AOI296A | 0.6703 | ![]() | 9654 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | AOI296 | MOSFET (금속 (() | TO-251A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 8.3MOHM @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3130 pf @ 50 v | - | 89W (TC) | ||
DMN65D8LW-7 | 0.4800 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DMN65 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 300MA (TA) | 5V, 10V | 3ohm @ 115ma, 10V | 2V @ 250µA | 0.87 nc @ 10 v | ± 20V | 22 pf @ 25 v | - | 300MW (TA) | |||
STP21NM60N | - | ![]() | 3205 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP21N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5019-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 220mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 v | ± 25V | 1900 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||
![]() | EPC2202 | 2.9100 | ![]() | 65 | 0.00000000 | EPC | 자동차, AEC-Q101, EGAN® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 18A (TA) | 5V | 17mohm @ 11a, 5V | 2.5V @ 3MA | 4 NC @ 5 v | +5.75V, -4V | 415 pf @ 50 v | - | - | |||
![]() | IRF540A | - | ![]() | 1834 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF54 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 28A (TC) | 10V | 52mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||
![]() | BUK6212-40C, 118 | - | ![]() | 6590 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 11.2mohm @ 12a, 10V | 2.8V @ 1MA | 33.9 nc @ 10 v | ± 16V | 1900 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||
![]() | NTBG060N090SC1 | 15.1500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | NTBG060 | MOSFET (금속 (() | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 900 v | 5.8A (TA), 44A (TC) | 15V | 84mohm @ 20a, 15V | 4.3V @ 5mA | 88 NC @ 15 v | +19V, -10V | 1800 PF @ 450 v | - | 3.6W (TA), 211W (TC) | ||
![]() | IRFU3410PBF | 1.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IRFU3410 | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 100 v | 31A (TC) | 10V | 39mohm @ 18a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 3W (TA), 110W (TC) | ||
![]() | NTP4302 | - | ![]() | 9890 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NTP430 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | NTP4302OS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 74A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 37a, 10V | 3V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2400 pf @ 24 v | - | 80W (TC) | |
![]() | IXCP01N90E | - | ![]() | 6347 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXCP01 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 250MA (TC) | 10V | 80ohm @ 50ma, 10V | 5V @ 25µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 20V | 133 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||
![]() | SIRA22DP-T1-RE3 | 0.5977 | ![]() | 9201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira22 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 0.76mohm @ 15a, 10V | 2.2V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | +16V, -12V | 7570 pf @ 10 v | - | 83.3W (TC) | |||
![]() | BSS123-TP | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS123 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 170MA TJ) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10V | 2.8V @ 250µA | 2 nc @ 10 v | ± 20V | 60 pf @ 25 v | - | 350MW | ||
![]() | SPD03N60C3ATMA1 | 1.5800 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD03N60 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 3.2A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10V | 3.9V @ 135µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 400 pf @ 25 v | - | 38W (TC) | ||
![]() | IPB50R199CPATMA1 | 2.0689 | ![]() | 6316 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB50R199 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 550 v | 17A (TC) | 10V | 199mohm @ 9.9a, 10V | 3.5V @ 660µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 100 v | - | 139W (TC) | ||
![]() | BUK7226-75A/C1,118 | 1.0000 | ![]() | 9811 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BUK7226-75A/C1,118-1727 | 1 | n 채널 | 75 v | 45A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2385 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | |||||
![]() | NP80N04KHE-E1-AZ | 1.6500 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | 175 ° C | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-3 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-NP80N04KHE-E1-AZ | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 8mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3300 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 120W (TC) | |||
![]() | FDMS86500LE | - | ![]() | 9916 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | BUK9507-30B, 127 | - | ![]() | 2800 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | 32 NC @ 5 v | ± 15V | 3373 pf @ 25 v | - | 157W (TC) | |||
![]() | PSMQC040N10NS2_R2_00601 | 2.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | PSMQC040N10 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | PMZB320UPEYL | 0.5000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMZB320 | MOSFET (금속 (() | DFN1006B-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 30 v | 1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 510mohm @ 1a, 4.5v | 950MV @ 250µA | 1.4 NC @ 4.5 v | ± 8V | 122 pf @ 15 v | - | 350MW (TA), 6.25W (TC) | ||
![]() | NVMTS001N06CTXG | 7.7000 | ![]() | 8380 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMTS001 | MOSFET (금속 (() | 8-DFNW (8.3x8.4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 53.7a (TA), 376A (TC) | 10V | 910mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 113 NC @ 10 v | ± 20V | 8705 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 244W (TC) | ||
![]() | DMP3098LSS-13 | 0.1710 | ![]() | 3235 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMP3098 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 5.3A (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 5.3a, 10V | 2.1V @ 250µA | 7.8 NC @ 10 v | ± 20V | 336 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고