SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI1330EDL-T1-BE3 Vishay Siliconix SI1330EDL-T1-BE3 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 SI1330 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 742-si1330edl-t1-be3tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 240MA (TA) 2.5ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V - 280MW (TA)
IXFH50N60X IXYS IXFH50N60X 10.2963
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra x 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH50 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 50A (TC) 10V 73mohm @ 25a, 10V 4.5V @ 4mA 116 NC @ 10 v ± 30V 4660 pf @ 25 v - 660W (TC)
IPB123N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB123N10N3GATMA1 2.1100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB123 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 58A (TC) 6V, 10V 12.3mohm @ 46a, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 94W (TC)
IPB042N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB042N03LGATMA1 -
RFQ
 ECAD 5188 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB042N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 15 v - 79W (TC)
SPI15N65C3 Infineon Technologies SPI15N65C3 1.8100
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 166 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 9.4a, 10V 3.9V @ 675µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 25 v - 156W (TC)
BUK9D23-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9D23-40E, 115 -
RFQ
 ECAD 2995 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
PJQ5440-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5440-AU_R2_000A1 1.7700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5440 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5214 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 83.3W (TC)
IRLR6225TRPBF Infineon Technologies IRLR6225TRPBF 1.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR6225 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 100A (TC) 2.5V, 4.5V 4mohm @ 21a, 4.5v 1.1V @ 50µA 72 NC @ 4.5 v ± 12V 3770 pf @ 10 v - 63W (TC)
FQP20N06L onsemi FQP20N06L 1.5600
RFQ
 ECAD 4624 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 21A (TC) 5V, 10V 55mohm @ 10.5a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 5 v ± 20V 630 pf @ 25 v - 53W (TC)
PJD12P06_L2_00001 Panjit International Inc. PJD12P06_L2_00001 0.2741
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD12 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD12P06_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.6A (TA), 12A (TC) 10V 155mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 10.9 NC @ 10 v ± 20V 385 pf @ 25 v - 2W (TA), 50W (TC)
SUD40151EL-GE3 Vishay Siliconix SUD40151EL-GE3 1.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD40151 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 42A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 17.5A, 10V 2.5V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 20V 5340 pf @ 20 v - 50W (TC)
FDMC8462 onsemi FDMC8462 2.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMC84 MOSFET (금속 (() Power33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 14A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 20 v - 2W (TA), 41W (TC)
VN0300L-G-P002 Microchip Technology VN0300L-G-P002 1.5400
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 VN0300 MOSFET (금속 (() To-92-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 640MA (TJ) 5V, 10V 1.2ohm @ 1a, 10V 2.5V @ 1mA ± 30V 190 pf @ 20 v - 1W (TC)
IRL3705ZSTRLPBF Infineon Technologies IRL3705ZSTRLPBF 2.0500
RFQ
 ECAD 927 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL3705 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 52a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 16V 2880 pf @ 25 v - 130W (TC)
5HP01C-TB-E onsemi 5HP01C-TB-E -
RFQ
 ECAD 2056 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 5hp01 SMCP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 -
APTM120DA30CT1G Microchip Technology APTM120DA30CT1G 82.6908
RFQ
 ECAD 5515 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP1 APTM120 MOSFET (금속 (() SP1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 31A (TC) 10V 360mohm @ 25a, 10V 5V @ 2.5MA 560 nc @ 10 v ± 30V 14560 pf @ 25 v - 657W (TC)
BSC066N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC066N06NSATMA1 1.4800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC066 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 64A (TC) 6V, 10V 6.6mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 20µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 46W (TC)
IXTV03N400S IXYS IXTV03N400S -
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Plus-220SMD IXTV03 MOSFET (금속 (() Plus-220SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 4000 v 300MA (TC) 10V 290ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 16.3 NC @ 10 v ± 20V 435 pf @ 25 v - 130W (TC)
TK22A65X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK22A65X, S5X 3.8400
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK22A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 22A (TA) 10V 150mohm @ 11a, 10V 3.5v @ 1.1ma 50 nc @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 300 v - 45W (TC)
FDS6680 onsemi FDS6680 -
RFQ
 ECAD 1005 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS66 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11.5A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 27 NC @ 5 v ± 20V 2070 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SIR516DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir516dp-t1-Re3 1.8200
RFQ
 ECAD 7193 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.8A (TA), 63.7A (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1920 pf @ 50 v - 5W (TA), 71.4W (TC)
NVLJWS022N06CLTAG onsemi NVLJWS022N06CLTAG 0.3079
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powerwdfn NVLJWS022 MOSFET (금속 (() 6-WDFNW (2.05x2.05) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVLJWS022N06CLTAGTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.2A (TA), 25A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 8a, 10V 2V @ 77µA 7.6 NC @ 10 v ± 20V 440 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 28W (TC)
NVMFS5C410NAFT1G onsemi NVMFS5C410NAFT1G 4.5000
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 46A (TA), 300A (TC) 10V 0.92mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 166W (TC)
C3M0015065K Wolfspeed, Inc. C3M0015065K 46.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 C3M0015065 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 120A (TC) 15V 21mohm @ 55.8a, 15V 3.6v @ 15.5ma 188 NC @ 15 v +15V, -4V 5011 pf @ 400 v - 416W (TC)
IRF6216PBF Infineon Technologies IRF6216PBF -
RFQ
 ECAD 2909 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF6216 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 p 채널 150 v 2.2A (TA) 10V 240mohm @ 1.3a, 10V 5V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1280 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
IPC90R120C3X1SA1 Infineon Technologies IPC90R120C3X1SA1 -
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 IPC90R - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000464892 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
IPSA70R1K2P7SAKMA1 Infineon Technologies IPSA70R1K2P7SAKMA1 0.7900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPSA70 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 900ma, 10V 3.5V @ 40µA 4.8 NC @ 400 v ± 16V 174 pf @ 400 v - 25W (TC)
ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies ISP26DP06NMSATMA1 0.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP26DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) - - - ± 20V - -
2SJ463A(91)-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SJ463A (91) -T1 -A 0.1800
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
NP80N04PDG-E1B-AY Renesas Electronics America Inc NP80N04pdg-e1b-ay 1.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 80A (TC) 40a, 40a, 10V 4.5mohm 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v 6900 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 115W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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