SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
UPA1818GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1818GR-9JG-E1-A 0.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10A (TA) 15.2mohm @ 5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 20 nc @ 4 v 2200 pf @ 10 v -
BSS119L6327HTSA1 Infineon Technologies BSS119L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2.3V @ 50µA 2.5 nc @ 10 v ± 20V 78 pf @ 25 v - 360MW (TA)
IRF7495TR Infineon Technologies IRF7495TR -
RFQ
ECAD 5460 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001559948 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 7.3A (TA) 10V 22mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 1530 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
AUXAKF1405ZS-7P Infineon Technologies auxakf1405zs-7p -
RFQ
ECAD 2794 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 120A (TC) 10V 4.9mohm @ 88a, 10V 4V @ 150µA 230 nc @ 10 v ± 20V 5360 pf @ 25 v - 230W (TC)
IRF6610TR1 Infineon Technologies irf6610tr1 -
RFQ
ECAD 5039 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 15A (TA), 66A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1520 pf @ 10 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
2SK3991-ZK-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3991-ZK-E1-AZ 0.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
IRFR5505TRLPBF Infineon Technologies irfr5505trlpbf 1.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR5505 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 55 v 18A (TC) 10V 110mohm @ 9.6a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 57W (TC)
FDD13AN06A0-F085 onsemi FDD13AN06A0-F085 1.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD13AN06 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 9.9A (TA), 50A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 115W (TC)
IRL3803 Infineon Technologies IRL3803 -
RFQ
ECAD 3065 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3803 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 140A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 71A, 10V 1V @ 250µA 140 nc @ 4.5 v ± 16V 5000 pf @ 25 v - 200W (TC)
IRFB59N10DPBF Infineon Technologies IRFB59N10DPBF -
RFQ
ECAD 5928 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 59A (TC) 10V 25mohm @ 35.4a, 10V 5.5V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 30V 2450 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
FCPF16N60 onsemi FCPF16N60 4.5600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF16 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2832-FCPF16N60 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 16A (TC) 10V 260mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2250 pf @ 25 v - 37.9W (TC)
NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc np60n04vuk-e1-ay 1.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NP60N04 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 60A (TC) 10V 3.85mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 3680 pf @ 25 v - 1.2W (TA), 105W (TC)
SSF2320Y Good-Ark Semiconductor ssf2320y 0.2600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 800MA (TC) 1.2V, 4.5V 300mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 8V 75 pf @ 10 v - 312MW (TC)
PJQ4441P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4441p-au_r2_000a1 0.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4441 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4441p-au_r2_000a1dkr 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 59.5W (TC)
IXFA76N15T2 IXYS IXFA76N15T2 5.2060
RFQ
ECAD 6564 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA76 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 76A (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10V 4.5V @ 250µA 97 NC @ 10 v ± 20V 5800 pf @ 25 v - 350W (TC)
FDFME2P823ZT onsemi FDFME2P823ZT -
RFQ
ECAD 6317 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 fdfme2 MOSFET (금속 (() 6 6 1. (1.6x1.6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 20 v 2.6A (TA) 1.8V, 4.5V 142mohm @ 2.3a, 4.5v 1V @ 250µA 7.7 NC @ 4.5 v ± 8V 405 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
PJW3P10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW3P10A_R2_00001 0.6800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw3p10a MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 210mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1419 pf @ 25 v - 3.1W (TA)
IPN65R1K5CE Infineon Technologies IPN65R1K5CE -
RFQ
ECAD 8287 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 0000.00.0000 857 n 채널 650 v 5.2A (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 5W (TC)
FDS6630A onsemi FDS6630A -
RFQ
ECAD 1718 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS66 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 38mohm @ 6.5a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 5 v ± 20V 460 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1 1.7200
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L140 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 14A (TA) 4V, 10V 84mohm @ 14a, 10V 3V @ 1mA 27 NC @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 20W (TC)
2SJ325-Z-AY Renesas Electronics America Inc 2SJ325-Z-ay 0.9400
RFQ
ECAD 381 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 381
IPN50R650CEATMA1 Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1 0.8700
RFQ
ECAD 9222 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN50R650 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 9A (TC) 13V 650mohm @ 1.8a, 13v 3.5V @ 150µA 15 nc @ 10 v ± 20V 342 pf @ 100 v - 5W (TC)
NTD110N02RT4 onsemi NTD110N02RT4 -
RFQ
ECAD 1630 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD110 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 24 v 12.5A (TA), 110A (TC) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 20V 3440 pf @ 20 v - 1.5W (TA), 110W (TC)
SPB11N60S5ATMA1 Infineon Technologies SPB11N60S5ATMA1 -
RFQ
ECAD 1107 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB spb11n MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 5.5v @ 500µa 54 NC @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 125W (TC)
IXTR210P10T IXYS ixtr210p10t 30.4840
RFQ
ECAD 5770 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTR210 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 100 v 195a (TC) 10V 8mohm @ 105a, 10V 4.5V @ 250µA 740 NC @ 10 v ± 15V 69500 ​​pf @ 25 v - 595W (TC)
IRFR3710ZTRLPBF International Rectifier irfr3710ztrlpbf -
RFQ
ECAD 1078 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 100 v 42A (TC) 10V 18mohm @ 33a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 2930 pf @ 25 v - 140W (TC)
IPB80N04S2H4ATMA1 Infineon Technologies IPB80N04S2H4ATMA1 -
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 3.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 148 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
HUF75321P3 Fairchild Semiconductor HUF75321P3 0.6400
RFQ
ECAD 13 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 468 n 채널 55 v 35A (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 93W (TC)
FDMC610P onsemi FDMC610P 2.2900
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMC610 MOSFET (금속 (() Power33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 80A (TC) 2.5V, 4.5V 3.9mohm @ 22a, 4.5v 1V @ 250µA 99 NC @ 4.5 v ± 8V 1250 pf @ 6 v - 2.4W (TA), 48W (TC)
FQP47P06_SW82049 onsemi FQP47P06_SW82049 -
RFQ
ECAD 9735 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP4 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 60 v 47A (TC) 10V 26mohm @ 23.5a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3600 pf @ 25 v - 160W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고