전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UPA1818GR-9JG-E1-A | 0.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-tssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 10A (TA) | 15.2mohm @ 5a, 4.5v | 1.5V @ 1mA | 20 nc @ 4 v | 2200 pf @ 10 v | - | ||||||||||
![]() | BSS119L6327HTSA1 | - | ![]() | 7520 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10V | 2.3V @ 50µA | 2.5 nc @ 10 v | ± 20V | 78 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | ||||
![]() | IRF7495TR | - | ![]() | 5460 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001559948 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 7.3A (TA) | 10V | 22mohm @ 4.4a, 10V | 4V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 1530 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||
![]() | auxakf1405zs-7p | - | ![]() | 2794 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (7- 리드) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 120A (TC) | 10V | 4.9mohm @ 88a, 10V | 4V @ 150µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 5360 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||
![]() | irf6610tr1 | - | ![]() | 5039 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ Sq | 다운로드 | rohs 비준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 20 v | 15A (TA), 66A (TC) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1520 pf @ 10 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | |||
![]() | 2SK3991-ZK-E1-AZ | 0.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||
![]() | irfr5505trlpbf | 1.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR5505 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 55 v | 18A (TC) | 10V | 110mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 25 v | - | 57W (TC) | ||
![]() | FDD13AN06A0-F085 | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD13AN06 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 9.9A (TA), 50A (TC) | 6V, 10V | 13.5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 25 v | - | 115W (TC) | ||
![]() | IRL3803 | - | ![]() | 3065 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3803 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 71A, 10V | 1V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 5000 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||
![]() | IRFB59N10DPBF | - | ![]() | 5928 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 59A (TC) | 10V | 25mohm @ 35.4a, 10V | 5.5V @ 250µA | 114 NC @ 10 v | ± 30V | 2450 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||
![]() | FCPF16N60 | 4.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF16 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2832-FCPF16N60 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 16A (TC) | 10V | 260mohm @ 8a, 10V | 5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 30V | 2250 pf @ 25 v | - | 37.9W (TC) | |
![]() | np60n04vuk-e1-ay | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NP60N04 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 10V | 3.85mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 3680 pf @ 25 v | - | 1.2W (TA), 105W (TC) | ||
![]() | ssf2320y | 0.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOT-523 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 800MA (TC) | 1.2V, 4.5V | 300mohm @ 500ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 1 NC @ 4.5 v | ± 8V | 75 pf @ 10 v | - | 312MW (TC) | |||
![]() | pjq4441p-au_r2_000a1 | 0.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ4441 | MOSFET (금속 (() | DFN3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-pjq4441p-au_r2_000a1dkr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 40 v | 8.5A (TA), 44A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2030 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 59.5W (TC) | |
IXFA76N15T2 | 5.2060 | ![]() | 6564 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Trencht2 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA76 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA (IXFA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 150 v | 76A (TC) | 10V | 20mohm @ 38a, 10V | 4.5V @ 250µA | 97 NC @ 10 v | ± 20V | 5800 pf @ 25 v | - | 350W (TC) | |||
![]() | FDFME2P823ZT | - | ![]() | 6317 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-ufdfn 노출 패드 | fdfme2 | MOSFET (금속 (() | 6 6 1. (1.6x1.6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 20 v | 2.6A (TA) | 1.8V, 4.5V | 142mohm @ 2.3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.7 NC @ 4.5 v | ± 8V | 405 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.4W (TA) | |||
![]() | PJW3P10A_R2_00001 | 0.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | pjw3p10a | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 2.6A (TA) | 4.5V, 10V | 210mohm @ 2.6a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1419 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA) | ||
![]() | IPN65R1K5CE | - | ![]() | 8287 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 857 | n 채널 | 650 v | 5.2A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 225 pf @ 100 v | - | 5W (TC) | |||||||
![]() | FDS6630A | - | ![]() | 1718 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS66 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 6.5A (TA) | 4.5V, 10V | 38mohm @ 6.5a, 10V | 3V @ 250µA | 7 nc @ 5 v | ± 20V | 460 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||
![]() | RD3L140SPTL1 | 1.7200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3L140 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 14A (TA) | 4V, 10V | 84mohm @ 14a, 10V | 3V @ 1mA | 27 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 10 v | - | 20W (TC) | ||
![]() | 2SJ325-Z-ay | 0.9400 | ![]() | 381 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 381 | |||||||||||||||||||
IPN50R650CEATMA1 | 0.8700 | ![]() | 9222 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IPN50R650 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 13V | 650mohm @ 1.8a, 13v | 3.5V @ 150µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 342 pf @ 100 v | - | 5W (TC) | |||
![]() | NTD110N02RT4 | - | ![]() | 1630 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD110 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 24 v | 12.5A (TA), 110A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3440 pf @ 20 v | - | 1.5W (TA), 110W (TC) | ||
![]() | SPB11N60S5ATMA1 | - | ![]() | 1107 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | spb11n | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 380mohm @ 7a, 10V | 5.5v @ 500µa | 54 NC @ 10 v | ± 20V | 1460 pf @ 25 v | - | 125W (TC) | |||
![]() | ixtr210p10t | 30.4840 | ![]() | 5770 | 0.00000000 | ixys | Trenchp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTR210 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 100 v | 195a (TC) | 10V | 8mohm @ 105a, 10V | 4.5V @ 250µA | 740 NC @ 10 v | ± 15V | 69500 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | ||
![]() | irfr3710ztrlpbf | - | ![]() | 1078 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 100 v | 42A (TC) | 10V | 18mohm @ 33a, 10V | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 2930 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||
![]() | IPB80N04S2H4ATMA1 | - | ![]() | 1275 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB80N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 40 v | 80A (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 148 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | HUF75321P3 | 0.6400 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 468 | n 채널 | 55 v | 35A (TC) | 10V | 34mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 20 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 93W (TC) | ||||||
![]() | FDMC610P | 2.2900 | ![]() | 6006 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMC610 | MOSFET (금속 (() | Power33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 80A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.9mohm @ 22a, 4.5v | 1V @ 250µA | 99 NC @ 4.5 v | ± 8V | 1250 pf @ 6 v | - | 2.4W (TA), 48W (TC) | ||
![]() | FQP47P06_SW82049 | - | ![]() | 9735 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP4 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 60 v | 47A (TC) | 10V | 26mohm @ 23.5a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 25V | 3600 pf @ 25 v | - | 160W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고