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 | SQM10250E_GE3 | 3.2100 | | 8409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM10250 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 65A (TC) | 7.5V, 10V | 30mohm @ 15a, 10V | 3.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 4050 pf @ 25 v | - | 375W (TC) | |||
 | FQA13N50CF_F109 | - | | 2080 | 0.00000000 | 온세미 | FRFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA1 | MOSFET (금속 (() | 3pn | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 500 v | 15A (TC) | 10V | 480mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 30V | 2055 PF @ 25 v | - | 218W (TC) | |||
 | IXTH14N80 | - | | 7343 | 0.00000000 | ixys | 메가모스 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTH14 | MOSFET (금속 (() | TO-247 (ixth) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 800 v | 14A (TC) | 10V | 700mohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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