전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN3110S-7 | 0.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN3110 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 2.5A (TA) | 4.5V, 10V | 73mohm @ 3.1ma, 10v | 3V @ 250µA | 8.6 NC @ 10 v | ± 20V | 305.8 pf @ 15 v | - | 740MW (TA) | |||
![]() | NTD20N03L27G | - | ![]() | 8688 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD20 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 20A (TA) | 4V, 5V | 27mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 18.9 NC @ 10 v | ± 20V | 1260 pf @ 25 v | - | 1.75W (TA), 74W (TC) | |||
![]() | JAN2N6762 | - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/542 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | - | 4W (TA), 75W (TC) | ||||
![]() | HUFA75343S3S | - | ![]() | 9013 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | hufa75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 205 NC @ 20 v | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 270W (TC) | |||
![]() | IRF9620L | - | ![]() | 6745 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF9620 | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *IRF9620L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 200 v | 3.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | - | ||
![]() | SPD30N06S2-15 | - | ![]() | 3523 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | spd30n | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 30A (TC) | 10V | 14.7mohm @ 30a, 10V | 4V @ 80µa | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2070 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||
![]() | IPI075N15N3G | - | ![]() | 4585 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 150 v | 120A (TC) | 8V, 10V | 7.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 270µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 5470 pf @ 75 v | - | 300W (TC) | ||||||
![]() | 2SK1449 | 3.0400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | NTD4N60T4 | 0.7200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 모토로라 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 4A (TC) | 10V | 2.4ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 760 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | |||
![]() | SCT4026DRC15 | 22.1000 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | SCT4026 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-SCT4026DRC15 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 450 | n 채널 | 750 v | 56A (TC) | 18V | 34mohm @ 29a, 18V | 4.8V @ 15.4mA | 94 NC @ 18 v | +21V, -4V | 2320 pf @ 500 v | - | 176W | |
![]() | pmh850upeh | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | PMH850 | MOSFET (금속 (() | DFN0606-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | p 채널 | 30 v | 600MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 1ohm @ 500ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.9 nc @ 4.5 v | ± 8V | 62.2 pf @ 15 v | - | 660MW (TA), 2.23W (TC) | ||
IXFA72N30X3 | 10.3300 | ![]() | 227 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X3 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA72 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA (IXFA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 300 v | 72A (TC) | 10V | 19mohm @ 36a, 10V | 4.5V @ 1.5MA | 82 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 25 v | - | 390W (TC) | |||
IPZ60R070P6FKSA1 | 6.9163 | ![]() | 3676 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P6 | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZ60R070 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 600 v | 53.5A (TC) | 10V | 70mohm @ 20.6a, 10V | 4.5V @ 1.72ma | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4750 pf @ 100 v | - | 391W (TC) | |||
![]() | RFM10N50 | - | ![]() | 3405 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 10A (TC) | 10V | 600mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 3000 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
![]() | FDMS8670S | - | ![]() | 4690 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench®, SyncFet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS86 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 20A (TA), 42A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 1mA | 73 NC @ 10 v | ± 20V | 4000 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | ||
![]() | tk5a60d (sta4, q, m) | 1.5700 | ![]() | 3980 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | π-mosvii | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK5A60 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 5A (TA) | 10V | 1.43ohm @ 2.5a, 10V | 4.4V @ 1mA | 16 nc @ 10 v | ± 30V | 700 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | |||
![]() | CSD16401Q5 | 2.6400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD16401 | MOSFET (금속 (() | 8-vson-clip (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 38A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 40a, 10V | 1.9V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | +16V, -12V | 4100 pf @ 12.5 v | - | 3.1W (TA) | ||
![]() | fqi5n40tu | - | ![]() | 9499 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | FQI5 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 2.25a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 460 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 70W (TC) | |||
![]() | IPD80N04S306ATMA1 | 0.9041 | ![]() | 1307 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD80N04 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 5.2mohm @ 80a, 10V | 4V @ 52µA | 47 NC @ 10 v | ± 20V | 3250 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||
![]() | FDFS2P753AZ | 0.5300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 3A (TA) | 4.5V, 10V | 115mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 25V | 455 pf @ 15 v | Schottky 분리 (다이오드) | 3.1W (TA) | |||||
![]() | FDI8441 | 1.5600 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 40 v | 26A (TA), 80A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 280 nc @ 10 v | ± 20V | 15 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||
![]() | CSD17313Q2Q1T | 0.8664 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | CSD173 | MOSFET (금속 (() | 6- 웨슨 (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 250 | n 채널 | 30 v | 5A (TA) | 3V, 8V | 30mohm @ 4a, 8v | 1.8V @ 250µA | 2.7 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 340 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA), 17W (TC) | ||
![]() | DMT10H015LFG-7 | 1.0400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT10 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 10A (TA), 42A (TC) | 6V, 10V | 13.5mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 33.3 NC @ 10 v | ± 20V | 1871 pf @ 50 v | - | 2W (TA), 35W (TC) | ||
![]() | NTMFS4C808NAT1G | 0.5438 | ![]() | 3351 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 9A (TA), 52A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 18a, 10V | 2.1V @ 250µA | 18.2 NC @ 10 v | ± 20V | 1670 pf @ 15 v | - | 760MW (TA), 25.5W (TC) | |||
![]() | MSJB06N80A-TP | 1.0276 | ![]() | 6038 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MSJB06 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 353-MSJB06N80A-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 6A | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 10.6 NC @ 10 v | ± 30V | 349 pf @ 100 v | - | 35W (TC) | ||||
![]() | NDD03N60Z-1g | - | ![]() | 4230 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NDD03 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 2.6A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 312 pf @ 25 v | - | 61W (TC) | |||
pmv40un2r | 0.4900 | ![]() | 494 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | pmv40un2 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 44mohm @ 3.7a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 12V | 635 pf @ 15 v | - | 490MW (TA) | |||
![]() | FCH041N65F-F085 | 9.5400 | ![]() | 163 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 35 | n 채널 | 650 v | 76A (TC) | 10V | 41mohm @ 38a, 10V | 5V @ 250µA | 304 NC @ 10 v | ± 20V | 13566 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | ||||||
![]() | BUK9606-75B, 118 | 3.5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK9606 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 5V, 10V | 5.5mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 95 NC @ 5 v | ± 15V | 11693 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | RJK6013DPP-E0#T2 | - | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 11A (TA) | 10V | 700mohm @ 5.5a, 10V | - | 37.5 nc @ 10 v | ± 30V | 1450 pf @ 25 v | - | 30W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고