SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
DMN3110S-7 Diodes Incorporated DMN3110S-7 0.5600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3110 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 73mohm @ 3.1ma, 10v 3V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V 305.8 pf @ 15 v - 740MW (TA)
NTD20N03L27G onsemi NTD20N03L27G -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD20 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 20A (TA) 4V, 5V 27mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18.9 NC @ 10 v ± 20V 1260 pf @ 25 v - 1.75W (TA), 74W (TC)
JAN2N6762 Microsemi Corporation JAN2N6762 -
RFQ
ECAD 4932 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/542 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.8ohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 75W (TC)
HUFA75343S3S onsemi HUFA75343S3S -
RFQ
ECAD 9013 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB hufa75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 9mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 205 NC @ 20 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 270W (TC)
IRF9620L Vishay Siliconix IRF9620L -
RFQ
ECAD 6745 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF9620 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF9620L 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - -
SPD30N06S2-15 Infineon Technologies SPD30N06S2-15 -
RFQ
ECAD 3523 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 spd30n MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 14.7mohm @ 30a, 10V 4V @ 80µa 52 NC @ 10 v ± 20V 2070 pf @ 25 v - 136W (TC)
IPI075N15N3G Infineon Technologies IPI075N15N3G -
RFQ
ECAD 4585 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 150 v 120A (TC) 8V, 10V 7.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 270µA 93 NC @ 10 v ± 20V 5470 pf @ 75 v - 300W (TC)
2SK1449 Sanyo 2SK1449 3.0400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
NTD4N60T4 Motorola NTD4N60T4 0.7200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 모토로라 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2.4ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 96W (TC)
SCT4026DRC15 Rohm Semiconductor SCT4026DRC15 22.1000
RFQ
ECAD 450 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT4026 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4026DRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 750 v 56A (TC) 18V 34mohm @ 29a, 18V 4.8V @ 15.4mA 94 NC @ 18 v +21V, -4V 2320 pf @ 500 v - 176W
PMH850UPEH Nexperia USA Inc. pmh850upeh 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn PMH850 MOSFET (금속 (() DFN0606-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 30 v 600MA (TA) 1.5V, 4.5V 1ohm @ 500ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 8V 62.2 pf @ 15 v - 660MW (TA), 2.23W (TC)
IXFA72N30X3 IXYS IXFA72N30X3 10.3300
RFQ
ECAD 227 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA72 MOSFET (금속 (() TO-263AA (IXFA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 72A (TC) 10V 19mohm @ 36a, 10V 4.5V @ 1.5MA 82 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 390W (TC)
IPZ60R070P6FKSA1 Infineon Technologies IPZ60R070P6FKSA1 6.9163
RFQ
ECAD 3676 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P6 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 IPZ60R070 MOSFET (금속 (() PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 53.5A (TC) 10V 70mohm @ 20.6a, 10V 4.5V @ 1.72ma 100 nc @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 100 v - 391W (TC)
RFM10N50 Harris Corporation RFM10N50 -
RFQ
ECAD 3405 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 10A (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 3000 pf @ 25 v - 150W (TC)
FDMS8670S onsemi FDMS8670S -
RFQ
ECAD 4690 0.00000000 온세미 Powertrench®, SyncFet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS86 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 1mA 73 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 78W (TC)
TK5A60D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage tk5a60d (sta4, q, m) 1.5700
RFQ
ECAD 3980 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK5A60 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 5A (TA) 10V 1.43ohm @ 2.5a, 10V 4.4V @ 1mA 16 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 35W (TC)
CSD16401Q5 Texas Instruments CSD16401Q5 2.6400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD16401 MOSFET (금속 (() 8-vson-clip (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 38A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 40a, 10V 1.9V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v +16V, -12V 4100 pf @ 12.5 v - 3.1W (TA)
FQI5N40TU onsemi fqi5n40tu -
RFQ
ECAD 9499 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI5 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1.6ohm @ 2.25a, ​​10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 460 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 70W (TC)
IPD80N04S306ATMA1 Infineon Technologies IPD80N04S306ATMA1 0.9041
RFQ
ECAD 1307 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD80N04 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 5.2mohm @ 80a, 10V 4V @ 52µA 47 NC @ 10 v ± 20V 3250 pf @ 25 v - 100W (TC)
FDFS2P753AZ Fairchild Semiconductor FDFS2P753AZ 0.5300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 3A (TA) 4.5V, 10V 115mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 25V 455 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 3.1W (TA)
FDI8441 Fairchild Semiconductor FDI8441 1.5600
RFQ
ECAD 75 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 40 v 26A (TA), 80A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 280 nc @ 10 v ± 20V 15 pf @ 25 v - 300W (TC)
CSD17313Q2Q1T Texas Instruments CSD17313Q2Q1T 0.8664
RFQ
ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 CSD173 MOSFET (금속 (() 6- 웨슨 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 30 v 5A (TA) 3V, 8V 30mohm @ 4a, 8v 1.8V @ 250µA 2.7 NC @ 4.5 v +10V, -8V 340 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 17W (TC)
DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated DMT10H015LFG-7 1.0400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 10A (TA), 42A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 33.3 NC @ 10 v ± 20V 1871 pf @ 50 v - 2W (TA), 35W (TC)
NTMFS4C808NAT1G onsemi NTMFS4C808NAT1G 0.5438
RFQ
ECAD 3351 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,500 n 채널 30 v 9A (TA), 52A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10V 2.1V @ 250µA 18.2 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 15 v - 760MW (TA), 25.5W (TC)
MSJB06N80A-TP Micro Commercial Co MSJB06N80A-TP 1.0276
RFQ
ECAD 6038 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MSJB06 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 353-MSJB06N80A-TP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 6A 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 250µA 10.6 NC @ 10 v ± 30V 349 pf @ 100 v - 35W (TC)
NDD03N60Z-1G onsemi NDD03N60Z-1g -
RFQ
ECAD 4230 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NDD03 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 2.6A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 v ± 30V 312 pf @ 25 v - 61W (TC)
PMV40UN2R Nexperia USA Inc. pmv40un2r 0.4900
RFQ
ECAD 494 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmv40un2 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.7A (TA) 1.8V, 4.5V 44mohm @ 3.7a, 4.5v 900MV @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 12V 635 pf @ 15 v - 490MW (TA)
FCH041N65F-F085 Fairchild Semiconductor FCH041N65F-F085 9.5400
RFQ
ECAD 163 0.00000000 페어차일드 페어차일드 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 귀 99 8541.29.0095 35 n 채널 650 v 76A (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10V 5V @ 250µA 304 NC @ 10 v ± 20V 13566 pf @ 25 v - 595W (TC)
BUK9606-75B,118 Nexperia USA Inc. BUK9606-75B, 118 3.5200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BUK9606 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 75A (TC) 5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA 95 NC @ 5 v ± 15V 11693 pf @ 25 v - 300W (TC)
RJK6013DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK6013DPP-E0#T2 -
RFQ
ECAD 6503 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 11A (TA) 10V 700mohm @ 5.5a, 10V - 37.5 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고