SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFS4010TRL7PP Infineon Technologies IRFS4010trl7pp 3.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB IRFS4010 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 190a (TC) 10V 4mohm @ 110a, 10V 4V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 9830 pf @ 50 v - 380W (TC)
FDI038AN06A0 onsemi FDI038AN06A0 -
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FDI038 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 17A (TA), 80A (TC) 6V, 10V 3.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 124 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 25 v - 310W (TC)
DMP3036SFV-7 Diodes Incorporated DMP3036SFV-7 0.2035
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3036 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 30 v 30A (TA) 5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 1931 pf @ 15 v - 2.3W (TA)
NP70N10KUF-E2-AY Renesas Electronics America Inc NP70N10KUF-E2-ay -
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 쓸모없는 0000.00.0000 3,000 70A (TC)
TPC6011(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TPC6011 (TE85L, F, M) -
RFQ
 ECAD 5591 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u- 모시브 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 TPC6011 MOSFET (금속 (() VS-6 (2.9x2.8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 640 pf @ 10 v - 700MW (TA)
SIHG47N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG47N65E-GE3 8.0800
RFQ
 ECAD 5833 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG47 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 47A (TC) 10V 72mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 273 NC @ 10 v ± 30V 5682 pf @ 100 v - 417W (TC)
IXTQ200N085T IXYS IXTQ200N085T -
RFQ
 ECAD 3390 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ200 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 85 v 200a (TC) 10V 5MOHM @ 25A, 10V 4V @ 250µA 152 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 25 v - 480W (TC)
BSS159NH6906XTSA1 Infineon Technologies BSS159NH6906XTSA1 0.7800
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS159 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 230MA (TA) 0V, 10V 3.5ohm @ 160ma, 10V 2.4V @ 26µA 2.9 NC @ 5 v ± 20V 44 pf @ 25 v 고갈 고갈 360MW (TA)
SIA436DJ-T4-GE3 Vishay Siliconix SIA436DJ-T4-GE3 0.2467
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA436 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sia436dj-t4-ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 8 v 12A (TC) 1.2V, 4.5V 9.4mohm @ 15.7a, 4.5v 800MV @ 250µA 25.2 NC @ 5 v ± 5V 1508 pf @ 4 v - 3.5W (TA), 19W (TC)
MCAC50P03-TP Micro Commercial Co MCAC50P03-TP -
RFQ
 ECAD 1328 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MCAC50 MOSFET (금속 (() DFN5060 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-mcac50p03-tptr 5,000 p 채널 30 v 50a 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 7394 pf @ 15 v - 45W
STB15N65M5 STMicroelectronics STB15N65M5 -
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB15N MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 340mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 25V 810 pf @ 100 v - 85W (TC)
IXFI7N80P IXYS ixfi7n80p -
RFQ
 ECAD 6019 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IXFI7 MOSFET (금속 (() TO-262 (I2PAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 1.44ohm @ 3.5a, 10V 5V @ 1MA 32 NC @ 10 v ± 30V 1890 pf @ 25 v - 200W (TC)
AUIRFU4104 Infineon Technologies auirfu4104 -
RFQ
 ECAD 9512 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001518784 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 25 v - 140W (TC)
2N7002ET1G onsemi 2N7002ET1G 0.2500
RFQ
 ECAD 651 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 260MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 240ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.81 nc @ 5 v ± 20V 26.7 pf @ 25 v - 300MW (TJ)
SI3433BDV-T1-E3 Vishay Siliconix SI3433BDV-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 5654 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SI3433 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 42mohm @ 5.6a, 4.5v 850MV @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 8V - 1.1W (TA)
IPB03N03LB Infineon Technologies IPB03N03LB -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB03N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 55a, 10V 2V @ 100µa 59 NC @ 5 v ± 20V 7624 pf @ 15 v - 150W (TC)
BSZ028N04LSATMA1 Infineon Technologies BSZ028N04LSATMA1 1.5700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ028 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 21A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V - 32 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 63W (TC)
JANSR2N7261U Microsemi Corporation JANSR2N7261U -
RFQ
 ECAD 2055 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/601 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 8A (TC) 12V 185mohm @ 8a, 12v 4V @ 1MA 50 nc @ 12 v ± 20V - 25W (TC)
JAN2N6768 Microsemi Corporation JAN2N6768 -
RFQ
 ECAD 6393 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-PRF-19500/543 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE MOSFET (금속 (() 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 14A (TC) 10V 400mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 150W (TC)
FQA9N90 Fairchild Semiconductor FQA9N90 -
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 900 v 8.6A (TC) 10V 1.3ohm @ 4.3a, 10V 5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 30V 2700 pf @ 25 v - 240W (TC)
AON7702B Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7702B -
RFQ
 ECAD 5533 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SRFET ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Aon77 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 13.5A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.5a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 810 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 3.1W (TA), 23W (TC)
IRLML6402GTRPBF Infineon Technologies irlml6402gtrpbf -
RFQ
 ECAD 3967 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 12V 633 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
FDB9503L-F085 onsemi FDB9503L-F085 5.3400
RFQ
 ECAD 9979 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB9503 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 40 v 110A (TC) 4.5V, 10V 2.6mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 255 NC @ 10 v ± 16V 8320 pf @ 20 v - 333W (TJ)
RD3L07BATTL1 Rohm Semiconductor RD3L07BATTL1 2.3700
RFQ
 ECAD 5558 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3L07 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 70A (TA) 4.5V, 10V 12.7mohm @ 70a, 10V 2.5V @ 1mA 105 NC @ 10 v ± 20V 6700 pf @ 30 v - 101W (TA)
RP1E070XNTCR Rohm Semiconductor rp1e070xntcr -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RP1E070 MOSFET (금속 (() MPT6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 7A (TA) 4V, 10V 28mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 5.8 NC @ 5 v ± 20V 390 pf @ 10 v - 2W (TA)
STD96N3LLH6 STMicroelectronics std96n3llh6 1.3200
RFQ
 ECAD 2983 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD96 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 80A (TC) 5.5V, 10V 40a, 40a, 10V 4.2mohm 2.5V @ 250µA 20 nc @ 4.5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 70W (TC)
NVMFS5C442NWFT1G onsemi NVMFS5C442NWFT1G -
RFQ
 ECAD 4376 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 140A (TC) 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
NTLUS4195PZTBG onsemi NTLUS4195PZTBG -
RFQ
 ECAD 2478 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn NTLUS41 MOSFET (금속 (() 6-UDFN (1.6x1.6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 20V 250 pf @ 15 v - 600MW (TA)
NVMFS5C426NT3G onsemi NVMFS5C426NT3G -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 235A (TC) 10V 1.3mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 128W (TC)
IXTH16N50D2 IXYS IXTH16N50D2 13.8500
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH16 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 16A (TC) 0V 240mohm @ 8a, 0v - 199 NC @ 5 v ± 20V 5250 pf @ 25 v 고갈 고갈 695W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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