SIC
close

단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI1065X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1065X-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 8941 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SI1065 MOSFET (금속 (() SC-89 (SOT-563F) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 1.18A (TA) 1.8V, 4.5V 156mohm @ 1.18a, 4.5v 950MV @ 250µA 10.8 nc @ 5 v ± 8V 480 pf @ 6 v - 236MW (TA)
FQI1P50TU onsemi fqi1p50tu -
RFQ
 ECAD 3005 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI1 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 500 v 1.5A (TC) 10V 10.5ohm @ 750ma, 10V 5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 63W (TC)
SIA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA469DJ-T1-GE3 0.4700
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-70-6 SIA469 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-70-6 싱글 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 26.5mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1020 pf @ 15 v - 15.6W (TC)
NDF11N50ZG onsemi NDF11N50ZG -
RFQ
 ECAD 5649 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NDF11 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 520mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 100µa 69 NC @ 10 v ± 30V 1645 pf @ 25 v - 39W (TC)
PSMN050-80PS,127 NXP USA Inc. PSMN050-80PS, 127 -
RFQ
 ECAD 2962 0.00000000 NXP USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMN0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 22A (TC) 10V 51mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 11 NC @ 10 v ± 20V 633 pf @ 12 v - 56W (TC)
DMP6023LFGQ-7 Diodes Incorporated DMP6023LFGQ-7 0.7400
RFQ
 ECAD 370 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP6023 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 7.7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 53.1 NC @ 10 v ± 20V 2569 pf @ 30 v - 1W (TA)
IRF610STRLPBF Vishay Siliconix irf610strlpbf 1.7300
RFQ
 ECAD 677 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF610 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 3W (TA), 36W (TC)
BUK7607-30B,118 Nexperia USA Inc. BUK7607-30B, 118 -
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 36 nc @ 10 v ± 20V 2427 pf @ 25 v - 157W (TC)
IRFR430APBF Vishay Siliconix IRFR430APBF 1.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR430 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 490 pf @ 25 v - 110W (TC)
BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies BSC022N04LS6ATMA1 1.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC022 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 27A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 20 v - 3W (TA), 79W (TC)
PJD25N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD25N04-AU_L2_000A1 0.2301
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD25 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd25n04-au_l2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
SCH1331-P-TL-H onsemi SCH1331-P-TL-H -
RFQ
 ECAD 2092 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SCH133 - 6-sch - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 3A (TJ) - - - -
FCD380N60E onsemi FCD380N60E 2.4600
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 온세미 Superfet® II 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FCD380 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 10.2A (TC) 10V 380mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 106W (TC)
AUIRFS8408-7TRL Infineon Technologies AUIRFS8408-7TRL 5.2200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB AUIRF8408 MOSFET (금속 (() PG-to263-7-900 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 240A (TC) 10V 1MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 NC @ 10 v ± 20V 10250 pf @ 25 v - 294W (TC)
STF33N60M6 STMicroelectronics STF33N60M6 4.9500
RFQ
 ECAD 1243 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M6 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF33 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-18247 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250µA 33.4 NC @ 10 v ± 25V 1515 pf @ 100 v - 35W (TC)
IPB120P04P404ATMA1 Infineon Technologies IPB120P04P404ATMA1 3.9200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB120 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 40 v 120A (TC) 10V 3.5mohm @ 100a, 10V 4V @ 340µA 205 NC @ 10 v ± 20V 14790 pf @ 25 v - 136W (TC)
NTP45N06G onsemi NTP45N06G -
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP45N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTP45N06GOS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 45A (TA) 10V 22.5A, 10V 26mohm 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 125W (TJ)
NDS9435A Fairchild Semiconductor NDS9435A -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.3a, 10V 3V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 25V 528 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPW65R150CFDFKSA2 Infineon Technologies IPW65R150CFDFKSA2 5.2300
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R150 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 22.4A (TC) 10V 150mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 900µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 100 v - 195.3W (TC)
NTTFS4965NFTAG onsemi NTTFS4965NFTAG -
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4965 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 16.3A (TA), 64A (TC) 3.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 29.4 NC @ 10 v 2075 pf @ 15 v - -
AO4482 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4482 0.4410
RFQ
 ECAD 9728 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6A (TA) 4.5V, 10V 37mohm @ 6a, 10V 2.7V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
NTTFS010N10MCLTAG onsemi NTTFS010N10MCLTAG 1.7200
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS010 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 10.7A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 10.6mohm @ 15a, 10V 3V @ 85µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2150 pf @ 50 v 2.3W (TA), 52W (TC)
ZXMN3A14FTA Diodes Incorporated zxmn3a14fta 0.6100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.2a, 10V 2.2V @ 250µA 8.6 NC @ 10 v ± 20V 448 pf @ 15 v - 1W (TA)
ATP216-TL-H onsemi ATP216-TL-H -
RFQ
 ECAD 9454 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 atpak (2 2+탭) ATP216 MOSFET (금속 (() atpak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 50 v 35A (TA) 1.8V, 4.5V 23mohm @ 18a, 4.5v - 30 nc @ 4.5 v ± 10V 2700 pf @ 20 v - 40W (TC)
IXFA36N55X2 IXYS IXFA36N55X2 9.1982
RFQ
 ECAD 8479 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 - - - IXFA36 - - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXFA36N55X2 귀 99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
SI7454CDP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7454CDP-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2262 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 22A (TC) 4.5V, 10V 30.5mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 250µA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 580 pf @ 50 v - 4.1W (TA), 29.7W (TC)
SIPC26N50C3X1SA2 Infineon Technologies SIPC26N50C3X1SA2 -
RFQ
 ECAD 3919 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 SIPC26 - Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 SP000956996 0000.00.0000 1 -
STP11N65M5 STMicroelectronics STP11N65M5 2.0700
RFQ
 ECAD 6941 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP11 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 644 pf @ 100 v - 85W (TC)
AON6450L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6450L -
RFQ
 ECAD 1336 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SDMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON645 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 52A (TC)
CMPDM302PH TR Central Semiconductor Corp cmpdm302ph tr -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.4A (TA) 2.5V, 4.5V 91mohm @ 1.2a, 4.5v 1.4V @ 250µA 9.6 NC @ 5 v 12V 800 pf @ 10 v - 350MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다