- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
단일 단일, MOSFETS (44971)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AOD4132 | 1.1200 |  | 56 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD41 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 76 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 100W (TC) | ||
 | vn0106n3-g | 0.8100 | | 5 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 가방 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | VN0106 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 350MA (TJ) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 65 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||
 | IPB180P04P4L02AUMA1 | - | | 6714 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos®-P2 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | IPB180 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | - | 쓸모없는 | 1 | p 채널 | 40 v | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 2.2V @ 410µA | 286 NC @ 10 v | +5V, -16V | 18700 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||||
 | SI7336ADP-T1-E3 | 1.8000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7336 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 30A (TA) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 25A, 10V | 3V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 20V | 5600 pf @ 15 v | - | 5.4W (TA) | |||
 | FQB16N25CTM | - | | 8479 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB1 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 250 v | 15.6A (TC) | 10V | 270mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250µA | 53.5 nc @ 10 v | ± 30V | 1080 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 139W (TC) | |||
 | IRF6645TRPBF | 1.8200 | | 21 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DirectFet ™ ™ 메트릭 SJ | IRF6645 | MOSFET (금속 (() | DirectFet ™ SJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,800 | n 채널 | 100 v | 5.7A (TA), 25A (TC) | 10V | 35mohm @ 5.7a, 10V | 4.9V @ 50µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 890 pf @ 25 v | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||
 | TPWR6003PL, L1Q | 3.0600 | | 458 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosix-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C | 표면 표면 | 8-powerwdfn | TPWR6003 | MOSFET (금속 (() | 8-DSOP 발전 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 0.6mohm @ 50a, 10V | 2.1v @ 1ma | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 10000 pf @ 15 v | - | 960MW (TA), 170W (TC) | ||||
 | BSC029N025S g | - | | 5987 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 24A (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 50a, 10V | 2V @ 80µa | 41 NC @ 5 v | ± 20V | 5090 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 78W (TC) | ||||
 | PSMN2R0-25MLD, 115 | - | | 1642 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PSMN2R0 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | PJQ4443P_R2_00001 | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ4443 | MOSFET (금속 (() | DFN3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 40 v | 8.8A (TA), 46A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2767 pf @ 25 v | - | 2.1W (TA), 59.5W (TC) | ||
| FDB5645 | - | | 8036 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB564 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 80A (TA) | 6V, 10V | 9.5mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250µA | 107 NC @ 10 v | ± 20V | 4468 pf @ 30 v | - | 125W (TC) | |||
| BSC059N03S g | - | | 5255 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 17.5A (TA), 73A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 50a, 10V | 2V @ 35µA | 21 NC @ 5 v | ± 20V | 2670 pf @ 15 v | - | 17.5W (TA), 48W (TC) | ||||
 | PHP191NQ06LT, 127 | 1.5700 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PHP19 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||
| PMX2000ENZ | - | | 6956 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | PMX2000 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 1727-PMX2000ENZ | 쓸모없는 | 1 | |||||||||||||||||||
 | irfh8202trpbftr | - | | 6572 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | STI42N65M5 | - | | 7101 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ v | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI42N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 33A (TC) | 10V | 79mohm @ 16.5a, 10V | 5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 25V | 4650 pf @ 100 v | - | 190W (TC) | ||
| TSM180P03CS | 0.6100 | | 5273 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | TSM180 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM180P03CSTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 30 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1730 pf @ 15 v | - | 2.5W (TC) | ||
 | CSD22205LT | 1.0800 | | 30 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFLGA | CSD22205 | MOSFET (금속 (() | 4-Picostar | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 250 | p 채널 | 8 v | 7.4A (TA) | 1.5V, 4.5V | 9.9mohm @ 1a, 4.5v | 1.05V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 v | -6V | 1390 pf @ 4 v | - | 600MW (TA) | ||
 | IXFK30N100Q2 | - | | 4061 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q2 클래스 | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK30 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 1000 v | 30A (TC) | 10V | 400mohm @ 15a, 10V | 5V @ 8MA | 186 NC @ 10 v | ± 30V | 8200 pf @ 25 v | - | 735W (TC) | ||
 | auirfr4620trl | - | | 2502 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 24A (TC) | 10V | 78mohm @ 15a, 10V | 5V @ 100µa | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 1710 pf @ 50 v | - | 144W (TC) | ||||||
| 2SK1485 (0) -T1 -AZ | - | | 9703 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | APT5016BLLG | 11.1800 | | 2954 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Power MOS 7® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | APT5016 | MOSFET (금속 (() | TO-247 [B] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 160mohm @ 15a, 10V | 5V @ 1MA | 72 NC @ 10 v | ± 30V | 2833 pf @ 25 v | - | 329W (TC) | ||
 | IPZA60R060P7XKSA1 | 8.9800 | | 5368 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZA60 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 48A (TC) | 10V | 60mohm @ 15.9a, 10V | 4V @ 800µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 2895 pf @ 400 v | - | 164W (TC) | ||
| NDB6020P | - | | 8297 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NDB602 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 20 v | 24A (TC) | 4.5V | 50mohm @ 12a, 4.5v | 1V @ 250µA | 35 NC @ 5 v | ± 8V | 1590 pf @ 10 v | - | 60W (TC) | |||
 | DMN3024SFG-7 | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMN3024 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 7.5A (TA) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 10a, 10V | 2.4V @ 250µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 25V | 479 pf @ 15 v | - | 900MW (TA) | ||
 | MCP87018T-U/MF | - | | 6118 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MCP87018 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,300 | n 채널 | 25 v | 100A (TC) | 3.3V, 10V | 1.9mohm @ 25a, 10V | 1.6V @ 250µA | 37 NC @ 4.5 v | +10V, -8V | 2925 pf @ 12.5 v | - | 2.2W (TA) | ||
 | STP150NF55 | 3.7700 | | 7434 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP150 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-6117-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 120A (TC) | 10V | 60A, 60A, 10V | 4V @ 250µA | 190 NC @ 10 v | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |
 | TSM8N70CI C0G | - | | 3987 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | MOSFET (금속 (() | ITO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 700 v | 8A (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 2006 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||
 | IPI05N03LA | - | | 3001 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI05N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 25 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 55a, 10V | 2V @ 50µA | 25 nc @ 5 v | ± 20V | 3110 pf @ 15 v | - | 94W (TC) | |||
 | RSQ035N03HZGTR | 0.6900 | | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | RSQ035 | MOSFET (금속 (() | TSMT6 (SC-95) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.5A (TA) | 4V, 10V | 62mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 7.4 NC @ 5 v | ± 20V | 290 pf @ 10 v | - | 950MW (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)