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단일 단일, MOSFETS (44971)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NDD03N60Z-1g | - |  | 4230 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | NDD03 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 600 v | 2.6A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10V | 4.5V @ 50µA | 12 nc @ 10 v | ± 30V | 312 pf @ 25 v | - | 61W (TC) | |||
 | pmv40un2r | 0.4900 | | 494 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | pmv40un2 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.7A (TA) | 1.8V, 4.5V | 44mohm @ 3.7a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 12V | 635 pf @ 15 v | - | 490MW (TA) | ||
 | FCH041N65F-F085 | 9.5400 | | 163 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 35 | n 채널 | 650 v | 76A (TC) | 10V | 41mohm @ 38a, 10V | 5V @ 250µA | 304 NC @ 10 v | ± 20V | 13566 pf @ 25 v | - | 595W (TC) | ||||||
 | BUK9606-75B, 118 | 3.5200 | | 7 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK9606 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 5V, 10V | 5.5mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 95 NC @ 5 v | ± 15V | 11693 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
 | RJK6013DPP-E0#T2 | - | | 6503 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 11A (TA) | 10V | 700mohm @ 5.5a, 10V | - | 37.5 nc @ 10 v | ± 30V | 1450 pf @ 25 v | - | 30W (TC) | |||
 | IXFE24N100 | - | | 5115 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFE24 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 1000 v | 22A (TC) | 10V | 390mohm @ 12a, 10V | 5V @ 8MA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 7000 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | |||
 | pjq4441p-au_r2_000a1 | 0.7100 | | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ4441 | MOSFET (금속 (() | DFN3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-pjq4441p-au_r2_000a1dkr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | p 채널 | 40 v | 8.5A (TA), 44A (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2030 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 59.5W (TC) | |
 | DMT3004LFG-7 | 0.3350 | | 3656 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMT3004 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 30 v | 10.4A (TA), 25A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | +20V, -16V | 2370 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 42W (TC) | ||
 | G75P04T | - | | 4272 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 50 | p 채널 | 40 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 v | ± 20V | 6985 pf @ 20 v | - | 277W (TC) | ||||
 | RRS075P03FD5TB1 | - | | 8191 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RRS075P03FD5TB1TR | 쓸모없는 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||
 | IXUC200N055 | - | | 3077 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | ISOPLUS220 ™ | IXUC200 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS220 ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 200a (TC) | 10V | 5.1MOHM @ 100A, 10V | 4V @ 2MA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | - | 300W (TC) | ||||
 | NTMFS4119NT3G | - | | 6558 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 29a, 10V | 2.5V @ 250µA | 60 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4800 pf @ 24 v | - | 900MW (TA) | |||
 | IPA65R380C6XKSA1 | 1.6245 | | 7989 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R380 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.2a, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 100 v | - | 31W (TC) | ||
 | yjl2301g | 0.0240 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJL2301GTR | 귀 99 | 3,000 | ||||||||||||||||||||
| IPD023N04NF2SATMA1 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ 2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD023 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 27A (TA), 143A (TC) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 70a, 10V | 3.4V @ 81µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 4800 pf @ 20 v | - | 3W (TA), 150W (TC) | ||
 | AON7244 | - | | 4727 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | Aon72 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3.3x3.3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 20A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 2435 pf @ 30 v | - | 6.2W (TA), 83W (TC) | |||
 | SFT1443-H | - | | 8178 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | SFT144 | MOSFET (금속 (() | IPAK/TP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 9A (TA) | 4V, 10V | 225mohm @ 3a, 10V | - | 9.8 nc @ 10 v | ± 20V | 490 pf @ 20 v | - | 1W (TA), 19W (TC) | |||
| IPT014N10N5ATMA1 | 6.6700 | | 5431 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-Powersfn | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 100 v | 362A | 10V | - | - | - | - | - | |||||
| TK5P60W5, RVQ | 1.3300 | | 1789 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 4.5A (TA) | 10V | 990mohm @ 2.3a, 10V | 4.5V @ 230µA | 11.5 nc @ 10 v | ± 30V | 370 pf @ 300 v | - | 60W (TC) | ||||
 | HUF76132S3st | 0.9800 | | 9 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | |||
 | FQA46N15 | - | | 6591 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA46 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 50A (TC) | 10V | 42mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 25V | 3250 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | ||
 | FQP3N40 | - | | 8964 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 2.5A (TC) | 10V | 3.4ohm @ 1.25a, 10V | 5V @ 250µA | 7.5 NC @ 10 v | ± 30V | 230 pf @ 25 v | - | 55W (TC) | |||
 | STD30NF06 | - | | 4358 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std30n | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 28A (TC) | 10V | 28mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 58 NC @ 10 v | ± 20V | 1750 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | ||
 | TK20S04K3L (T6L1, NQ | - | | 2714 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | u- 모시브 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TK20S04 | MOSFET (금속 (() | DPAK+ | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 20A (TA) | 6V, 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 3V @ 1mA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 820 pf @ 10 v | - | 38W (TC) | |||
 | NTLUS030N03CTAG | 1.2600 | | 3 | 0.00000000 | 온세미 | µCool ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powerufdfn | NTLUS030 | MOSFET (금속 (() | 6-UDFN (1.6x1.6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 4.5A (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 6a, 10V | 2.2V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 20V | 400 pf @ 15 v | - | 640MW (TA) | ||
| auirfr024ntrl | 1.0000 | | 9835 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 17A (TC) | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | 370 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||
 | RSR015P06HZGTL | 0.6500 | | 11 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | RSR015 | MOSFET (금속 (() | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 1.5A (TA) | 4V, 10V | 280mohm @ 1.5a, 10V | 3V @ 1mA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 500 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | ||
 | IRLR3717TRPBF | - | | 8613 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001553200 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 20 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 15a, 10V | 2.45V @ 250µA | 31 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2830 pf @ 10 v | - | 89W (TC) | ||
 | NVTFS5811NLWFTAG | - | | 9130 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS5 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 16A (TA) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 25 v | - | 3.2W (TA), 21W (TC) | ||
 | Sir642DP-T1-GE3 | - | | 4415 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir642 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 4155 pf @ 20 v | - | 4.8W (TA), 41.7W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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