- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
단일 단일, MOSFETS (44971)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AON6260L | - |  | 4390 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | Aon62 | - | - | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||
 | spp47n10 | - | | 7807 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | spp47n | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000012415 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 100 v | 47A (TC) | 10V | 33mohm @ 33a, 10V | 4V @ 2MA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 25 v | - | 175W (TC) | |
 | hufa76629d3st | - | | 6444 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | hufa76 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 52MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 46 NC @ 10 v | ± 16V | 1285 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||
 | IRFP450LC | - | | 3800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP450 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFP450LC | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 500 v | 14A (TC) | 10V | 400mohm @ 8.4a, 10V | 4V @ 250µA | 74 NC @ 10 v | ± 30V | 2200 pf @ 25 v | - | 190W (TC) | |
 | IRF734PBF | - | | 7243 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF734 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF734PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 4.9A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 680 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |
 | irfl024ntrpbf | 0.8100 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IRFL024 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 2.8A (TA) | 10V | 75mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250µA | 18.3 NC @ 10 v | ± 20V | 400 pf @ 25 v | - | 1W (TA) | ||
 | irlhs6242trpbf | 0.6300 | | 149 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-powervdfn | IRLHS6242 | MOSFET (금속 (() | 6-pqfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 20 v | 10A (TA), 12A (TC) | 2.5V, 4.5V | 11.7mohm @ 8.5a, 4.5v | 1.1V @ 10µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1110 pf @ 10 v | - | 1.98W (TA), 9.6W (TC) | ||
| RJK0225DNS-00#J5 | - | | 9419 | 0.00000000 | Renesas | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-HVSON (3x3.3) | - | 2156-RJK0225DNS-00#J5 | 1 | n 채널 | 25 v | 30A (TA) | 4.5V, 10V | 7.2mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 1mA | 8.5 NC @ 4.5 v | +16V, -12V | 2310 pf @ 10 v | - | 30W (TA) | |||||||
 | NVMFS6B03NLWFT1G | - | | 5651 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS6 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 100 v | 145A (TC) | 4.5V, 10V | 4MOHM @ 20A, 10V | 3V @ 250µA | 9.4 NC @ 10 v | ± 16V | 5320 pf @ 25 v | - | 3.9W (TA), 198W (TC) | ||
 | AUIRFS3307Z | - | | 4605 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 10V | 5.8mohm @ 75a, 10V | 4V @ 150µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 4750 pf @ 50 v | - | 230W (TC) | |||
 | FCPF067N65S3 | 6.9300 | | 52 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® III | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF067 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 44A (TC) | 10V | 67mohm @ 22a, 10V | 4.5V @ 4.4ma | 78 NC @ 10 v | ± 30V | 3090 pf @ 400 v | - | 46W (TC) | ||
 | sir106adp-t1-Re3 | 1.5700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sir106 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-SIR106ADP-T1-RE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 16.1A (TA), 65.8 (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10V | 4V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 2440 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 83.3W (TC) | ||
 | NTGS3443T2G | - | | 3849 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | NTGS34 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 4.4a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 12V | 565 pf @ 5 v | - | 500MW (TA) | |||
 | zvn3320astz | - | | 9604 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 100MA (TA) | 10V | 25ohm @ 100ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 45 pf @ 25 v | - | 625MW (TA) | ||||
 | IXTP12N65X2 | 2.7187 | | 9924 | 0.00000000 | ixys | x2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP12 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 12A (TC) | 10V | 300mohm @ 6a, 10V | 5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 1100 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | ||
 | NTB90N02G | - | | 4613 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NTB90 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 24 v | 90A (TA) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 90a, 10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2120 pf @ 20 v | - | 85W (TC) | |||
 | CPH6443-TL-H | 0.2267 | | 1421 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | CPH6443 | MOSFET (금속 (() | 6-CPH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2166-CPH6443-TL-H-488 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 35 v | 6A (TA) | 4V, 10V | 37mohm @ 3a, 10V | - | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 470 pf @ 20 v | - | 1.6W (TA) | |
 | ntr4101pt1g | 0.4100 | | 85 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NTR4101 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 1.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 85mohm @ 1.6a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 8.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 675 pf @ 10 v | - | 420MW (TA) | ||
 | STI21NM60nd | - | | 3656 | 0.00000000 | stmicroelectronics | FDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI21N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 10V | 220mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||
| IPP80N06S4L05AKSA2 | - | | 5016 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP80N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001028716 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 40a, 4.5v | 2.2v @ 60µa | 110 NC @ 10 v | ± 16V | 8180 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | ||
 | SI1031R-T1-E3 | - | | 8647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | SI1031 | MOSFET (금속 (() | SC-75A | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 1.5 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||
 | PMN23UN, 135 | - | | 2077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (금속 (() | SC-74 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 6.3A (TC) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 2a, 4.5v | 700mv @ 1ma (유형) | 10.6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 740 pf @ 10 v | - | 1.75W (TC) | ||
| TSM7NC60CF | 1.5053 | | 5551 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TSM7 | MOSFET (금속 (() | ITO-220S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM7NC60CF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10V | 4.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 1169 pf @ 50 v | - | 44.6W (TC) | ||
| auirl1404strl | 1.7900 | | 820 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 4.3V, 10V | 4mohm @ 95a, 10V | 3V @ 250µA | 140 nc @ 5 v | ± 20V | 6600 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | |||
 | GAN140-650FBEZ | 6.2500 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | GAN140 | Ganfet ((갈륨) | DFN5060-5 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 17A (TA) | 6V | 140mohm @ 5a, 6V | 2.5V @ 17.2ma | 3.5 NC @ 6 v | +7V, -1.4V | 125 pf @ 400 v | - | 113W (TA) | ||
 | SI4426DY-T1-GE3 | - | | 4632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4426 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 6.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 8.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 50 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 1.5W (TA) | ||||
| CPH6341-TL-E | - | | 5608 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | CPH634 | MOSFET (금속 (() | 6-CPH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 5A (TA) | 4V, 10V | 59mohm @ 3a, 10V | - | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 430 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | ||
 | AO4260 | - | | 4780 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO42 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 18A (TA) | 4.5V, 10V | 5.2mohm @ 18a, 10V | 2.4V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 4940 pf @ 30 v | - | 3.1W (TA) | |||
 | sihu7n60e-ge3 | 1.8300 | | 2344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | sihu7 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 100 v | - | 78W (TC) | |||
| AO4423 | - | | 9704 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO44 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 17A (TA) | 6V, 20V | 6.2mohm @ 15a, 20V | 2.6V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 25V | 3033 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)