SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFU3607TRL701P Infineon Technologies IRFU3607trl701p -
RFQ
ECAD 4999 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 56A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
PJQ5442-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5442-AU_R2_000A1 0.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5442 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5442-AU_R2_000A1CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 14A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 99.3W (TC)
DMG3414U-7 Diodes Incorporated DMG3414U-7 0.4600
RFQ
ECAD 240 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3414 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 9.6 NC @ 4.5 v ± 8V 829.9 pf @ 10 v - 780MW (TA)
FDP10AN06A0 onsemi FDP10AN06A0 -
RFQ
ECAD 4009 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP10 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 12A (TA), 75A (TC) 6V, 10V 10.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1840 pf @ 25 v - 135W (TC)
AOD418G Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD418G -
RFQ
ECAD 1986 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD41 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 13.5A (TA), 36A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
DMT10H032SFVW-13 Diodes Incorporated DMT10H032SFVW-13 0.2279
RFQ
ECAD 1925 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMT10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H032SFVW-13TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 32mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 544 pf @ 50 v - 1.3W (TA)
APT56F50L Microchip Technology APT56F50L 13.1000
RFQ
ECAD 9320 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT56F50 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 56A (TC) 10V 100mohm @ 28a, 10V 5V @ 2.5MA 220 NC @ 10 v ± 30V 8800 pf @ 25 v - 780W (TC)
IRL3714ZSPBF Infineon Technologies IRL3714ZSPBF -
RFQ
ECAD 5180 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 35W (TC)
NTMFS08N004C onsemi NTMFS08N004C 4.7500
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn NTMFS08 MOSFET (금속 (() 8-PQFN (5x6), Power56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 126A (TC) 6V, 10V 4MOHM @ 44A, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 4250 pf @ 40 v - 125W (TC)
SSM3J356R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R, LXHF 0.4900
RFQ
ECAD 7563 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101, U-MOSVI 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MOSFET (금속 (() SOT-23F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-SSM3J356R, LXHFCT 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 300mohm @ 1a, 10V 2V @ 1mA 8.3 NC @ 10 v +10V, -20V 330 pf @ 10 v - 1W (TA)
IRFU2905Z Infineon Technologies IRFU2905Z -
RFQ
ECAD 4715 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU2905Z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
NTLJS3D9N03CTAG onsemi NTLJS3D9N03CTAG -
RFQ
ECAD 8227 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerwdfn ntljs3 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 10.3A (TA) 1.8V, 4.5V 4.9mohm @ 10a, 4.5v 1.1V @ 250µA 14.7 NC @ 4.5 v ± 12V 1565 pf @ 15 v - 860MW (TA)
PJQ5472A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5472A_R2_00001 0.2226
RFQ
ECAD 7110 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5472 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5472A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.9A (TA), 13A (TC) 4.5V, 10V 115mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1413 pf @ 25 v - 2W (TA), 41W (TC)
HUF76619D3ST Fairchild Semiconductor huf76619d3st 1.0000
RFQ
ECAD 7026 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 18A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 16V 767 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRFH5007TR2PBF Infineon Technologies IRFH5007TR2PBF -
RFQ
ECAD 6301 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 75 v 17A (TA), 100A (TC) 5.9mohm @ 50a, 10V 4V @ 150µA 98 NC @ 10 v 4290 pf @ 25 v -
IPP06N03LA Infineon Technologies IPP06N03LA -
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP06N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 30A, 10V 2V @ 40µA 22 nc @ 5 v ± 20V 2653 pf @ 15 v - 83W (TC)
NTD4858NT4G onsemi NTD4858NT4G 0.8900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD4858 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 11.2A (TA), 73A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 19.2 NC @ 4.5 v ± 20V 1563 pf @ 12 v - 1.3W (TA), 54.5W (TC)
IRFI7536GPBF Infineon Technologies IRFI7536GPBF -
RFQ
ECAD 6732 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 86A (TC) 10V 3.4mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 195 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 48 v - 75W (TC)
IPA60R800CEXKSA1 Infineon Technologies IPA60R800CEXKSA1 -
RFQ
ECAD 3787 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 5.6A (TC) 10V 800mohm @ 2a, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 373 PF @ 100 v - 27W (TC)
IXTN46N50L IXYS IXTN46N50L 59.1600
RFQ
ECAD 8444 0.00000000 ixys 선의 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXTN46 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 46A (TC) 20V 160mohm @ 500ma, 20V 6V @ 250µA 260 nc @ 15 v ± 30V 7000 pf @ 25 v - 700W (TC)
NTD40N03R-001 onsemi NTD40N03R-001 -
RFQ
ECAD 1461 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD40 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 7.8A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 16.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 5.78 nc @ 4.5 v ± 20V 584 pf @ 20 v - 1.5W (TA), 50W (TC)
NVMFS5C450NLT1G onsemi NVMFS5C450NLT1G -
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 110A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 68W (TC)
IPD90N06S4L03ATMA1 Infineon Technologies IPD90N06S4L03ATMA1 -
RFQ
ECAD 2628 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD90 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 90µA 170 nc @ 10 v ± 16V 13000 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRF530 onsemi IRF530 0.4700
RFQ
ECAD 657 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 657 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 88W (TC)
IXKC20N60C IXYS IXKC20N60C 10.7998
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXKC20 MOSFET (금속 (() ISOPLUS220 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 15A (TC) 10V 190mohm @ 16a, 10V 3.9V @ 1mA 114 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - -
GSFC0213 Good-Ark Semiconductor GSFC0213 0.4800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 5.8A (TC) 1.5V, 4.5V 33mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 10V 2100 pf @ 15 v - 1.56W (TC)
IAUA250N04S6N007AUMA1 Infineon Technologies IAUA250N04S6N007AUMA1 3.4500
RFQ
ECAD 7155 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA250 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 435A (TJ) 7V, 10V 0.7mohm @ 100a, 10V 3V @ 130µA 151 NC @ 10 v ± 20V 9898 pf @ 25 v - 250W (TC)
IAUA250N04S6N007EAUMA1 Infineon Technologies IAUA250N04S6N00777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777auma1 3.2700
RFQ
ECAD 1437 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA250 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 435A (TJ) 7V, 10V 0.7ohm @ 100a, 10V 3V @ 130µA 151 NC @ 10 v ± 20V 9898 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRLI2910 Infineon Technologies irli2910 -
RFQ
ECAD 3768 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLI2910 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 31A (TC) 4V, 10V 26mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 16V 3700 pf @ 25 v - 63W (TC)
IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQDH35N03LM5CGATMA1 3.9700
RFQ
ECAD 7676 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-powertdfn IQDH35 MOSFET (금속 (() PG-TTFN-9-U02 - Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 5,000 n 채널 30 v 66A (TA), 700A (TC) 4.5V, 10V 0.35mohm @ 50a, 10V 2V @ 1.46MA 197 NC @ 10 v ± 20V 18000 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 278W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고