SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
PSMN1R7-30YL,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R7-30YL, 115 1.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMN1R7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 15a, 10V 2.15v @ 1ma 77.9 NC @ 10 v ± 20V 5057 pf @ 12 v - 109W (TC)
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TJ8S06M3L (T6L1, NQ) 1.2600
RFQ
 ECAD 9068 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TJ8S06 MOSFET (금속 (() DPAK+ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 8A (TA) 6V, 10V 104mohm @ 4a, 10V 3V @ 1mA 19 NC @ 10 v +10V, -20V 890 pf @ 10 v - 27W (TC)
DMT67M8LK3-13 Diodes Incorporated DMT67M8LK3-13 0.3587
RFQ
 ECAD 1887 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT67M8LK3-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 87A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 37.5 nc @ 10 v ± 20V 2130 pf @ 30 v - 3.1W (TA), 89.3W (TC)
BUK7Y98-80EX Nexperia USA Inc. BUK7Y98-80EX 0.2796
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y98 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 12.3A (TC) 10V 98mohm @ 5a, 10V 4V @ 1MA 8.5 NC @ 10 v ± 20V 498 pf @ 25 v - 37W (TC)
AUIRFS6535 International Rectifier AUIRFS6535 -
RFQ
 ECAD 9088 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 300 v 19A (TC) 10V 185mohm @ 11a, 10V 5V @ 150µA 57 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 25 v - 210W (TC)
NTNS3A92PZT5G onsemi NTNS3A92PZT5G 0.3434
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - NTNS3 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8,000 - - - - - -
IXTP152N085T IXYS IXTP152N085T -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP152 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 85 v 152A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 25 v - 360W (TC)
NDS331N_D87Z onsemi NDS331N_D87Z -
RFQ
 ECAD 2643 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NDS331 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 2.7V, 4.5V 160mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 8V 162 pf @ 10 v - 500MW (TA)
AUIRLU3114Z Infineon Technologies auirlu3114z -
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA auirlu3114 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001516750 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µa 56 NC @ 4.5 v ± 16V 3810 pf @ 25 v - 140W (TC)
FQD2N50TF onsemi FQD2N50TF -
RFQ
 ECAD 5719 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 1.6A (TC) 10V 5.3ohm @ 800ma, 10V 5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 30V 230 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
FDD068AN03L onsemi FDD068AN03L -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD068 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2525 pf @ 15 v - 80W (TC)
NX3008PBK,215 Nexperia USA Inc. NX3008PBK, 215 0.2900
RFQ
 ECAD 132 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NX3008 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 230MA (TA) 2.5V, 4.5V 4.1ohm @ 200ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.72 nc @ 4.5 v ± 8V 46 pf @ 15 v - 350MW (TA), 1.14W (TC)
AON6426 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6426 -
RFQ
 ECAD 4960 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON642 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 14A (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 2W (TA), 42W (TC)
NTB6410ANT4G onsemi NTB6410ANT4G 3.1200
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB6410 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 76A (TC) 10V 13mohm @ 76a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 188W (TC)
IRF6618TRPBF Infineon Technologies irf6618trpbf -
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt IRF6618 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 30A (TA), 170A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.35V @ 250µA 65 NC @ 4.5 v ± 20V 5640 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRFS4610PBF Infineon Technologies IRFS4610PBF -
RFQ
 ECAD 2252 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
VS-FC420SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC420SA10 23.7600
RFQ
 ECAD 6400 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 FC420 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 100 v 435A (TC) 10V 2.15mohm @ 200a, 10V 3.8V @ 750µA 375 NC @ 10 v ± 20V 17300 pf @ 25 v - 652W (TC)
IPU04N03LA G Infineon Technologies IPU04N03LA g -
RFQ
 ECAD 2858 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU04N MOSFET (금속 (() P-to251-3-1 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 50a, 10V 2V @ 80µa 41 NC @ 5 v ± 20V 5199 pf @ 15 v - 115W (TC)
NDT3055L onsemi NDT3055L 0.8900
RFQ
 ECAD 8502 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NDT3055 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 4A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 4a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 345 pf @ 25 v - 3W (TA)
AON6403L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6403L -
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON640 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 21A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 196 NC @ 10 v ± 20V 9120 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 83W (TC)
SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4634DY-T1-GE3 0.8080
RFQ
 ECAD 3654 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4634 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 24.5A (TC) 4.5V, 10V 5.2mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 3150 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
IRLZ14SPBF Vishay Siliconix IRLZ14SPBF 1.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRLZ14 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 10A (TC) 4V, 5V 200mohm @ 6a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
STSJ60NH3LL STMicroelectronics stsj60nh3ll 2.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 STSJ60 MOSFET (금속 (() 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 60A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 7.5a, 10V 1V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 16V 1810 pf @ 25 v - 3W (TA), 50W (TC)
IRF1405STRRPBF Infineon Technologies IRF1405STPBF -
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1405 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 131A (TC) 10V 5.3mohm @ 101a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 5480 pf @ 25 v - 200W (TC)
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage tk2r4e08qm, s1x 3.1800
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSX-H 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2.44mohm @ 50a, 10V 3.5v @ 2.2ma 178 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 40 v - 300W (TC)
IRL540SPBF Vishay Siliconix IRL540SPBF 2.7000
RFQ
 ECAD 215 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRL540 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRL540SPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 28A (TC) 4V, 5V 77mohm @ 17a, 5V 2V @ 250µA 64 NC @ 5 v ± 10V 2200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 150W (TC)
NTD95N02R-1G onsemi NTD95N02R-1g -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD95 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 24 v 12A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 20V 2400 pf @ 20 v - 1.25W (TA), 86W (TC)
FQI4N20TU Fairchild Semiconductor fqi4n20tu 0.3100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 3.6A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 220 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 45W (TC)
STH110N10F7-2 STMicroelectronics STH110N10F7-2 3.5100
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH110 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 110A (TC) 10V 6.5mohm @ 55a, 10V 4.5V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 5117 pf @ 50 v - 150W (TC)
IRF730PBF Vishay Siliconix IRF730PBF 1.5700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF730PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 74W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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