SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI7116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7116DN-T1-GE3 2.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7116 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10.5A (TA) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V - 1.5W (TA)
IMW120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW120R020M1HXKSA1 35.6200
RFQ
 ECAD 298 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 98A (TC) 15V, 18V 26.9mohm @ 41a, 18V 5.2v @ 17.6ma 83 NC @ 18 v +20V, -5V 3460 NF @ 25 v - 375W (TC)
RJK0395DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK0395DPA-00#J53 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 - 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wpak - 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TA) 7.7mohm @ 15a, 10V - 11 NC @ 4.5 v 1670 pf @ 10 v - 30W (TC)
IRLML6402TRPBF-1 Infineon Technologies irlml6402trpbf-1 -
RFQ
 ECAD 2794 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() Micro3 ™/SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.7A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 12V 633 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
IAUA250N04S6N007AUMA1 Infineon Technologies IAUA250N04S6N007AUMA1 3.4500
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA250 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 435A (TJ) 7V, 10V 0.7mohm @ 100a, 10V 3V @ 130µA 151 NC @ 10 v ± 20V 9898 pf @ 25 v - 250W (TC)
SPP100N04S2L-03 Infineon Technologies SPP100N04S2L-03 -
RFQ
 ECAD 9783 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp100n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 300W (TC)
2N7002KT7G onsemi 2N7002KT7G 0.2300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 n 채널 60 v 320MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 2.3V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 20V 24.5 pf @ 20 v - 300MW (TA)
IRFS4115TRL7PP Infineon Technologies IRFS4115trl7pp 4.0300
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB IRFS4115 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 105A (TC) 10V 11.8mohm @ 63a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 5320 pf @ 50 v - 380W (TC)
AUIRFR4104TRL International Rectifier auirfr4104trl 1.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 42A (TC) 5.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v 2950 pf @ 25 v - 140W (TC)
FDD3690 onsemi FDD3690 2.0400
RFQ
 ECAD 9318 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD369 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 22A (TC) 6V, 10V 64mohm @ 5.4a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1514 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 60W (TC)
PHP30NQ15T,127 Nexperia USA Inc. PHP30NQ15T, 127 -
RFQ
 ECAD 4562 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 29A (TC) 10V 63mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 55 NC @ 10 v ± 20V 2390 pf @ 25 v - 150W (TC)
R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor R8001cnd3fratl 2.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R8001 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 1A (TC) 10V 8.7ohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 1mA 7.2 NC @ 10 v ± 30V 60 pf @ 25 v - 36W (TC)
IXTA220N055T7 IXYS IXTA220N055T7 -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) IXTA220 MOSFET (금속 (() TO-263-7 (IXTA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 220A (TC) 10V 4mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 158 NC @ 10 v ± 20V 7200 pf @ 25 v - 430W (TC)
IRFU214PBF Vishay Siliconix IRFU214PBF 1.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU214 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU214PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 2.2A (TC) 10V 2ohm @ 1.3a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IPP120N04S401AKSA1 Infineon Technologies IPP120N04S401AKSA1 -
RFQ
 ECAD 7125 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP120N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 120A (TC) 10V 1.9mohm @ 100a, 10V 4V @ 140µA 176 NC @ 10 v ± 20V 14000 pf @ 25 v - 188W (TC)
DMP2120U-13 Diodes Incorporated DMP2120U-13 0.0560
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2120 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 3.8A (TA) 1.8V, 4.5V 62mohm @ 4.2a, 4.5v 1V @ 250µA 6.3 NC @ 4.5 v ± 8V 487 pf @ 20 v - 800MW
SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR5708DP-T1-RE3 1.5100
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 9.5A (TA), 33.8A (TC) 7.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 975 pf @ 75 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
RM2310 Rectron USA RM2310 0.0600
RFQ
 ECAD 4745 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2310tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 1.9V @ 250µA ± 20V 247 pf @ 30 v - 1.7W (TA)
IRF9510PBF Vishay Siliconix IRF9510PBF 1.1100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9510 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF9510PBF 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 43W (TC)
BSC010N04LSCATMA1 Infineon Technologies BSC010N04LSCATMA1 3.0800
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - - BSC010 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 282A (TC) 4.5V, 10V 1.05mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 133 NC @ 10 v ± 20V 9500 pf @ 20 v - 139W (TC)
IRLR3410PBF Infineon Technologies IRLR3410PBF -
RFQ
 ECAD 3715 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 17A (TC) 4V, 10V 10A @ 10A, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 79W (TC)
NDB6060L onsemi NDB6060L -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB6060 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 48A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 24a, 10V 2V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 16V 2000 pf @ 25 v - 100W (TC)
IRF9610PBF-BE3 Vishay Siliconix IRF9610PBF-BE3 1.6700
RFQ
 ECAD 860 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF9610 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-irf9610pbf-be3 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 1.8A (TC) 3ohm @ 900ma, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 20W (TC)
FQPF630 onsemi FQPF630 1.4100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF6 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 6.3A (TC) 10V 400mohm @ 3.15a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 550 pf @ 25 v - 38W (TC)
STF14NM65N STMicroelectronics STF14NM65N -
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF14 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 380mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 25V 1300 pf @ 50 v - 30W (TC)
IXTQ130N20T IXYS IXTQ130N20T 8.8933
RFQ
 ECAD 5962 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ130 MOSFET (금속 (() to-3p - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTQ130N20T 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 130A (TC) 10V 16mohm @ 65a, 10V 5V @ 1MA 150 nc @ 10 v ± 20V 8800 pf @ 25 v - 830W (TC)
IRLI2910 Infineon Technologies irli2910 -
RFQ
 ECAD 3768 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLI2910 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 31A (TC) 4V, 10V 26mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 16V 3700 pf @ 25 v - 63W (TC)
IQDH35N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies IQDH35N03LM5CGATMA1 3.9700
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-powertdfn IQDH35 MOSFET (금속 (() PG-TTFN-9-U02 - Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 5,000 n 채널 30 v 66A (TA), 700A (TC) 4.5V, 10V 0.35mohm @ 50a, 10V 2V @ 1.46MA 197 NC @ 10 v ± 20V 18000 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 278W (TC)
STF9N80K5 STMicroelectronics STF9N80K5 2.8600
RFQ
 ECAD 8306 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF9N80 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16493-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TC) 10V 900mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 100µa 12 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 100 v - 25W (TC)
APT20M18B2VFRG Microchip Technology APT20M18B2VFRG 26.4900
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT20M18 MOSFET (금속 (() T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q8747305 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 100A (TC) 18mohm @ 50a, 10V 4V @ 2.5MA 330 nc @ 10 v 9880 pf @ 25 v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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