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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
APT6038SLLG Microchip Technology APT6038SLLG 11.3800
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT6038 MOSFET (금속 (() D3 [S] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 17A (TC) 380mohm @ 8.5a, 10V 5V @ 1MA 43 NC @ 10 v 1850 pf @ 25 v -
IXTP12N65X2M IXYS IXTP12N65X2M 2.9501
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IXTP12 MOSFET (금속 (() TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 12A (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 250µA 17.7 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 40W (TC)
2N65G UMW 2N65G 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 음 음 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 2,500 n 채널 650 v 2A (TJ) 10V 5.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 311 pf @ 25 v - -
IXTY50N085T IXYS IXTY50N085T -
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY5 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 85 v 50A (TC) 10V 23mohm @ 25a, 10V 4V @ 25µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 130W (TC)
IXTM10P60 IXYS IXTM10P60 -
RFQ
 ECAD 5151 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 - - - IXTM10 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
IXFT10N100 IXYS IXFT10N100 -
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT10 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 10A (TC) 10V 1.2ohm @ 5a, 10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 300W (TC)
PSMN8R5-100PSQ Nexperia USA Inc. psmn8r5-100psq 3.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn8r5 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 100A (TJ) 10V 8.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 111 NC @ 10 v ± 20V 5512 pf @ 50 v - 263W (TC)
DMN2015UFDE-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDE-7 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMN2015 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 10.5A (TA) 1.5V, 4.5V 11.6MOHM @ 8.5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 45.6 NC @ 10 v ± 12V 1779 pf @ 10 v - 660MW (TA)
IRF6691TR1PBF Infineon Technologies IRF6691TR1PBF -
RFQ
 ECAD 3684 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 71 NC @ 4.5 v ± 12V 6580 pf @ 10 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
STB110N55F6 STMicroelectronics STB110N55F6 -
RFQ
 ECAD 4204 0.00000000 stmicroelectronics - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - STB110 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1,000 -
2N7002E-7-F Diodes Incorporated 2N7002E-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.22 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
SIB456DK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB456DK-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB456 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6.3A (TC) 4.5V, 10V 185mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 130 pf @ 50 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
RS1G180MNTB Rohm Semiconductor RS1G180MNTB 1.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn Rs1g MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 18A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 19.5 nc @ 10 v ± 20V 1293 pf @ 20 v - 3W (TA), 30W (TC)
FDS8878 onsemi FDS8878 0.7000
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS88 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10.2A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 10.2a, 10V 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 897 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
SIHB6N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHB6N80AE-GE3 2.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHB6N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 22.5 nc @ 10 v ± 30V 422 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
BSP92PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP92PH6327XTSA1 0.6900
RFQ
 ECAD 3380 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP92PH6327 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 250 v 260MA (TA) 2.8V, 10V 12ohm @ 260ma, 10V 2V @ 130µA 5.4 NC @ 10 v ± 20V 104 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
NVMFS5C442NLAFT1G onsemi NVMFS5C442NLAFT1G 1.8000
RFQ
 ECAD 7354 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 29A (TA), 130A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 83W (TC)
BSC130P03LS G Infineon Technologies BSC130P03LS g -
RFQ
 ECAD 4938 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
NTMFS4C50NT1G Sanyo ntmfs4c50nt1g 0.5300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Sanyo - 대부분 활동적인 - 표면 표면 8-powertdfn NTMFS4 - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,500 - 21.7A (TA) - - - -
G75P04K Goford Semiconductor G75P04K 1.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 70A (TC) 10V 10MOHM @ 10A, 20V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 20V 5380 pf @ 20 v - 130W (TC)
DMN6075SQ-7 Diodes Incorporated DMN6075SQ-7 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6075 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 3.2a, 10V 3V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 20V 606 PF @ 20 v - 800MW (TA)
SUD50N03-09P-E3 Vishay Siliconix SUD50N03-09P-E3 -
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 63A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 7.5W (TA), 65.2W (TC)
NTP27N06L onsemi NTP27N06L -
RFQ
 ECAD 2259 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP27N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 27A (TA) 5V 48mohm @ 13.5a, 5V 2V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 15V 990 pf @ 25 v - 88.2W (TC)
MGSF3441VT1 onsemi MGSF3441VT1 0.1400
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3,000
IRL1004LPBF Infineon Technologies IRL1004LPBF -
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 78a, 10V 1V @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 16V 5330 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
SI8417DB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8417dB-T2-E1 -
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6 c ® ®csp SI8417 MOSFET (금속 (() 6 (™ ™ (1.5x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 14.5A (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 1a, 4.5v 900MV @ 250µA 57 NC @ 5 v ± 8V 2220 pf @ 6 v - 2.9W (TA), 6.57W (TC)
2SJ387STL-E Renesas Electronics America Inc 2SJ387STL-e 2.6200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK075N60E-T1-GE3 6.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 2582 pf @ 100 v - 167W (TC)
RJK0305DPB-02#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0305DPB-02#J0 -
RFQ
 ECAD 6124 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SC-100, SOT-669 RJK0305 MOSFET (금속 (() LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TA) 4.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V - 8 NC @ 4.5 v +16V, -12V 1250 pf @ 10 v - -
TSM070NH04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NH04CR RLG 2.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 대만 대만 회사 Perfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFNU (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 15A (TA), 54A (TC) 7V, 10V 7mohm @ 27a, 10V 3.6V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1337 pf @ 25 v - 46.8W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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