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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RRL035P03FRATR | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | RRL035 | MOSFET (금속 (() | Tumt6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3.5A (TA) | 4V, 10V | 50mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | ||
![]() | NTMFS4H01NT3G | - | ![]() | 1567 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 25 v | 54A (TA), 334A (TC) | 4.5V, 10V | 0.7mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 250µA | 85 NC @ 10 v | ± 20V | 5693 pf @ 12 v | - | 3.2W (TA), 125W (TC) | ||
![]() | NTB90N02G | - | ![]() | 4613 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NTB90 | MOSFET (금속 (() | d²pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 24 v | 90A (TA) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 90a, 10V | 3V @ 250µA | 29 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2120 pf @ 20 v | - | 85W (TC) | |||
![]() | auirlu3114z | - | ![]() | 4822 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | auirlu3114 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001516750 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 130A (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 42a, 10V | 2.5V @ 100µa | 56 NC @ 4.5 v | ± 16V | 3810 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |
![]() | IRL3715ZLPBF | - | ![]() | 8559 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 870 pf @ 10 v | - | 45W (TC) | ||||
![]() | IRF7404QTRPBF | - | ![]() | 4205 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 20 v | 6.7A (TA) | 40mohm @ 3.2a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 50 nc @ 4.5 v | 1500 pf @ 15 v | - | ||||||||
![]() | IRF830LPBF | 1.1708 | ![]() | 1636 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IRF830 | MOSFET (금속 (() | TO-262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF830LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 610 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||
![]() | IPS80R1K4P7AKMA1 | 0.5697 | ![]() | 9380 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | IPS80R1 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 800 v | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1.4a, 10V | 3.5V @ 700µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | - | 32W (TC) | |||
![]() | si4420dytrpbf | - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 12.5A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.5a, 10V | 1V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 2240 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||
![]() | CPH6341-TL-E | - | ![]() | 5608 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | CPH634 | MOSFET (금속 (() | 6-CPH | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 5A (TA) | 4V, 10V | 59mohm @ 3a, 10V | - | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 430 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | ||
![]() | IRL1404L | - | ![]() | 8279 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL1404L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 160A (TC) | 4.3V, 10V | 4mohm @ 95a, 10V | 3V @ 250µA | 140 nc @ 5 v | ± 20V | 6600 pf @ 25 v | - | 3.8W (TA), 200W (TC) | ||
2N7002TA | - | ![]() | 9385 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 330MW (TA) | ||||
![]() | IXFH75N10 | 10.7410 | ![]() | 4003 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH75 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | IXFH75N10-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 10V | 20mohm @ 37.5a, 10V | 4V @ 4MA | 260 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |
![]() | IRF7424TRPBF | 1.4600 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7424 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 11a, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 4030 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | ||
![]() | FDS7079ZN3 | - | ![]() | 1845 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 | FDS70 | MOSFET (금속 (() | 8- flmp | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 16A (TA) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 16a, 10V | 3V @ 250µA | 55 NC @ 5 v | ± 25V | 3630 pf @ 15 v | - | 3.13W (TA) | |||
![]() | ntmfs5c410nt1g | 6.0700 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 46A (TA), 300A (TC) | 10V | 0.92mohm @ 50a, 10V | 3.5V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | ± 20V | 6100 pf @ 25 v | - | 3.9W (TA), 166W (TC) | ||
![]() | TSM5NC50CP | 0.9828 | ![]() | 3969 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM5 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-tsm5nc50cptr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 500 v | 5A (TC) | 10V | 1.38ohm @ 2.4a, 10V | 4.5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 586 pf @ 50 v | - | 83W (TC) | ||
![]() | 3LN01S-TL-E | - | ![]() | 1143 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3LN01 | MOSFET (금속 (() | SMCP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 150MA (TA) | 1.5V, 4V | 3.7ohm @ 80ma, 4v | - | 1.58 nc @ 10 v | ± 10V | 7 pf @ 10 v | - | 150MW (TA) | |||
![]() | 2N6798U | - | ![]() | 5073 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 200 v | 5.5A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 5.29 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | IRF4905PBF | 2.8100 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF4905 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | p 채널 | 55 v | 74A (TC) | 10V | 20mohm @ 38a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 3400 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||
![]() | IMBG120R008M2HXTMA1 | 51.9023 | ![]() | 6493 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IMBG120R008M2HXTMA1TR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | irlh6224trpbf | 1.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | IRLH6224 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 20 v | 28A (TA), 105A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3MOHM @ 20A, 4.5V | 1.1V @ 50µA | 86 NC @ 10 v | ± 12V | 3710 pf @ 10 v | - | 3.6W (TA), 52W (TC) | ||
![]() | IRF450 | - | ![]() | 5978 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (금속 (() | TO-204AA (TO-3) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 500mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |||
![]() | irfiz48g | - | ![]() | 5835 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irfiz48 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 37A (TC) | 10V | 18mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||
![]() | SIHP18N60E-GE3 | 1.6464 | ![]() | 9170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP18 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 202mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 92 NC @ 10 v | ± 30V | 1640 pf @ 100 v | - | 179W (TC) | ||||
![]() | DMN2026UVT-13 | 0.1173 | ![]() | 5796 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMN2026 | MOSFET (금속 (() | TSOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMN2026UVT-13DI | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 6.2A (TC) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 6.2a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 18.4 NC @ 8 v | ± 10V | 887 pf @ 10 v | - | 1.15W (TA) | |
![]() | FDMS7692A | - | ![]() | 3902 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS76 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 13.5A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 13a, 10V | 3V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 27W (TC) | ||
![]() | EPC2033 | 9.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 500 | n 채널 | 150 v | 48A (TA) | 7mohm @ 25a, 5V | 2.5V @ 9mA | 10 nc @ 5 v | 1140 pf @ 75 v | - | ||||||
![]() | SIR5708DP-T1-RE3 | 1.5100 | ![]() | 3427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 9.5A (TA), 33.8A (TC) | 7.5V, 10V | 23mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 975 pf @ 75 v | - | 5.2W (TA), 65.7W (TC) | ||||
![]() | NTTFS002N04CLTAG | 2.2000 | ![]() | 7157 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS002 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 28A (TA), 142A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 50a, 10V | 2V @ 90µA | 49 NC @ 10 v | ± 20V | 2940 pf @ 25 v | - | 3.2W (TA), 85W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고