SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
RRL035P03FRATR Rohm Semiconductor RRL035P03FRATR 0.5200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RRL035 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 1W (TA)
NTMFS4H01NT3G onsemi NTMFS4H01NT3G -
RFQ
ECAD 1567 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 54A (TA), 334A (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 5693 pf @ 12 v - 3.2W (TA), 125W (TC)
NTB90N02G onsemi NTB90N02G -
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB90 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 24 v 90A (TA) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 90a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2120 pf @ 20 v - 85W (TC)
AUIRLU3114Z Infineon Technologies auirlu3114z -
RFQ
ECAD 4822 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA auirlu3114 MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001516750 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 130A (TC) 4.5V, 10V 4.9mohm @ 42a, 10V 2.5V @ 100µa 56 NC @ 4.5 v ± 16V 3810 pf @ 25 v - 140W (TC)
IRL3715ZLPBF Infineon Technologies IRL3715ZLPBF -
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
IRF7404QTRPBF Infineon Technologies IRF7404QTRPBF -
RFQ
ECAD 4205 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 6.7A (TA) 40mohm @ 3.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 50 nc @ 4.5 v 1500 pf @ 15 v -
IRF830LPBF Vishay Siliconix IRF830LPBF 1.1708
RFQ
ECAD 1636 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF830 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830LPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 610 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IPS80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies IPS80R1K4P7AKMA1 0.5697
RFQ
ECAD 9380 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS80R1 MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 800 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.4a, 10V 3.5V @ 700µA 10 nc @ 10 v ± 20V - 32W (TC)
SI4420DYTRPBF Infineon Technologies si4420dytrpbf -
RFQ
ECAD 8961 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12.5a, 10V 1V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 2240 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
CPH6341-TL-E onsemi CPH6341-TL-E -
RFQ
ECAD 5608 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CPH634 MOSFET (금속 (() 6-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4V, 10V 59mohm @ 3a, 10V - 10 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
IRL1404L Infineon Technologies IRL1404L -
RFQ
ECAD 8279 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL1404L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 160A (TC) 4.3V, 10V 4mohm @ 95a, 10V 3V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
2N7002TA Diodes Incorporated 2N7002TA -
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 330MW (TA)
IXFH75N10 IXYS IXFH75N10 10.7410
RFQ
ECAD 4003 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH75 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFH75N10-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 20mohm @ 37.5a, 10V 4V @ 4MA 260 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF7424TRPBF Infineon Technologies IRF7424TRPBF 1.4600
RFQ
ECAD 37 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7424 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 11a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4030 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
FDS7079ZN3 onsemi FDS7079ZN3 -
RFQ
ECAD 1845 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS70 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 55 NC @ 5 v ± 25V 3630 pf @ 15 v - 3.13W (TA)
NTMFS5C410NT1G onsemi ntmfs5c410nt1g 6.0700
RFQ
ECAD 13 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 46A (TA), 300A (TC) 10V 0.92mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 6100 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 166W (TC)
TSM5NC50CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CP 0.9828
RFQ
ECAD 3969 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM5 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-tsm5nc50cptr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.38ohm @ 2.4a, 10V 4.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 586 pf @ 50 v - 83W (TC)
3LN01S-TL-E onsemi 3LN01S-TL-E -
RFQ
ECAD 1143 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 3LN01 MOSFET (금속 (() SMCP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 150MA (TA) 1.5V, 4V 3.7ohm @ 80ma, 4v - 1.58 nc @ 10 v ± 10V 7 pf @ 10 v - 150MW (TA)
2N6798U Microsemi Corporation 2N6798U -
RFQ
ECAD 5073 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 18-CLCC MOSFET (금속 (() 18-ULCC (9.14x7.49) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 5.5A (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 5.29 NC @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
IRF4905PBF Infineon Technologies IRF4905PBF 2.8100
RFQ
ECAD 76 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF4905 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 55 v 74A (TC) 10V 20mohm @ 38a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 3400 pf @ 25 v - 200W (TC)
IMBG120R008M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R008M2HXTMA1 51.9023
RFQ
ECAD 6493 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IMBG120R008M2HXTMA1TR 1,000
IRLH6224TRPBF Infineon Technologies irlh6224trpbf 1.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRLH6224 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 28A (TA), 105A (TC) 2.5V, 4.5V 3MOHM @ 20A, 4.5V 1.1V @ 50µA 86 NC @ 10 v ± 12V 3710 pf @ 10 v - 3.6W (TA), 52W (TC)
IRF450 Infineon Technologies IRF450 -
RFQ
ECAD 5978 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 500mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFIZ48G Vishay Siliconix irfiz48g -
RFQ
ECAD 5835 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfiz48 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 37A (TC) 10V 18mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2400 pf @ 25 v - 50W (TC)
SIHP18N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP18N60E-GE3 1.6464
RFQ
ECAD 9170 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 202mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 179W (TC)
DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated DMN2026UVT-13 0.1173
RFQ
ECAD 5796 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN2026 MOSFET (금속 (() TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN2026UVT-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 6.2A (TC) 2.5V, 4.5V 24mohm @ 6.2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18.4 NC @ 8 v ± 10V 887 pf @ 10 v - 1.15W (TA)
FDMS7692A onsemi FDMS7692A -
RFQ
ECAD 3902 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS76 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 13.5A (TA), 28A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 27W (TC)
EPC2033 EPC EPC2033 9.4600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EPC Egan® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 주사위 EPC20 Ganfet ((갈륨) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 500 n 채널 150 v 48A (TA) 7mohm @ 25a, 5V 2.5V @ 9mA 10 nc @ 5 v 1140 pf @ 75 v -
SIR5708DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIR5708DP-T1-RE3 1.5100
RFQ
ECAD 3427 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 9.5A (TA), 33.8A (TC) 7.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 975 pf @ 75 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
NTTFS002N04CLTAG onsemi NTTFS002N04CLTAG 2.2000
RFQ
ECAD 7157 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS002 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 28A (TA), 142A (TC) 4.5V, 10V 2.2mohm @ 50a, 10V 2V @ 90µA 49 NC @ 10 v ± 20V 2940 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 85W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고