SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
TK1R5R04PB,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK1R5R04PB, LXGQ 2.6900
RFQ
ECAD 2158 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TK1R5R04 MOSFET (금속 (() d2pak+ 다운로드 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TA) 6V, 10V 1.5mohm @ 80a, 10V 3V @ 500µA 103 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 10 v - 205W (TC)
FQB17N08TM onsemi FQB17N08TM -
RFQ
ECAD 3175 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB1 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 16.5A (TC) 10V 115mohm @ 8.25a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 65W (TC)
PJS6414_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6414_S1_00001 0.1185
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6414 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6414_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.6A (TA) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 6.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 12V 400 pf @ 10 v - 2W (TA)
YJQ50N03B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJQ50N03B 0.5400
RFQ
ECAD 3993 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8-powervdfn 8-DFN (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 5,000
STP9NK90Z STMicroelectronics STP9NK90Z 4.0900
RFQ
ECAD 4359 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP9NK90 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 8A (TC) 10V 1.3ohm @ 3.6a, 10V 4.5V @ 100µa 72 NC @ 10 v ± 30V 2115 pf @ 25 v - 160W (TC)
NTK3142PT1G onsemi NTK3142PT1G -
RFQ
ECAD 8477 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 NTK314 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 20 v 215MA (TA) 1.8V, 4.5V 4ohm @ 260ma, 4.5v 1.3V @ 250µA ± 8V 15.3 pf @ 10 v - 280MW (TA)
RSS070N05TB1 Rohm Semiconductor RSS070N05TB1 -
RFQ
ECAD 8087 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-RSS070N05TB1TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 45 v 7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 16.8 nc @ 5 v ± 20V 1000 pf @ 10 v - 2W (TA)
IXUV170N075S IXYS IXUV170N075S -
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 - 표면 표면 Plus-220SMD IXUV170 MOSFET (금속 (() Plus-220SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 175A (TC) - - - -
IRLI530NPBF Infineon Technologies irli530npbf -
RFQ
ECAD 6365 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 12A (TC) 4V, 10V 100mohm @ 9a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 5 v ± 16V 800 pf @ 25 v - 41W (TC)
BSS138-7-F Diodes Incorporated BSS138-7-F 0.2100
RFQ
ECAD 1687 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 10 v - 300MW (TA)
NVMFS9D6P04M8LT1G onsemi NVMFS9D6P04M8LT1G 0.6510
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS9 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-nvmfs9d6p04m8lt1gtr 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 40 v 17.1A (TA), 77A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 580µA 14.47 NC @ 10 v ± 20V 2002 pf @ 20 v - 3.7W (TA), 75W (TC)
BS107PSTZ Diodes Incorporated BS107PSTZ 0.9100
RFQ
ECAD 8848 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 BS107 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 120MA (TA) 2.6V, 5V 30ohm @ 100ma, 5V - ± 20V 85 pf @ 25 v - 500MW (TA)
IXTP90N055T IXYS IXTP90N055T -
RFQ
ECAD 3608 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP90 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 90A (TC) 10V 8.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 50µA 61 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 25 v - 176W (TC)
PJP3NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJP3NA80_T0_00001 0.5292
RFQ
ECAD 3207 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP3NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3A (TA) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 406 pf @ 25 v - 106W (TC)
IRF6775MTR1PBF Infineon Technologies IRF6775MTR1PBF -
RFQ
ECAD 5439 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mz 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 4.9A (TA), 28A (TC) 10V 56MOHM @ 5.6A, 10V 5V @ 100µa 36 nc @ 10 v ± 20V 1411 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRLM120ATF onsemi IRLM120ATF -
RFQ
ECAD 4169 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLM120 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-irlm120ATF-488 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 2.3A (TC) 5V 220mohm @ 1.15a, 5V 2V @ 250µA 15 nc @ 5 v ± 20V 440 pf @ 25 v - 2.7W (TC)
YJQ55P02A Yangjie Technology yjq55p02a 0.2040
RFQ
ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-yjq55p02atr 귀 99 5,000
IRF2804STRL7PP Infineon Technologies IRF2804STRL7PP 3.6300
RFQ
ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB IRF2804 MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 1.6MOHM @ 160A, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 6930 pf @ 25 v - 330W (TC)
NTTFS3A08PZTAG onsemi NTTFS3A08PZTAG -
RFQ
ECAD 7051 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS3 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,500 p 채널 20 v 9A (TA) 2.5V, 4.5V 6.7mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 56 NC @ 4.5 v ± 8V 5000 pf @ 10 v - 840MW (TA)
BSP129H6327XTSA1 Infineon Technologies BSP129H6327XTSA1 0.8700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP129 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 350MA (TA) 0V, 10V 6ohm @ 350ma, 10V 1V @ 108µA 5.7 NC @ 5 v ± 20V 108 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
IRFS3507 Infineon Technologies IRFS3507 -
RFQ
ECAD 7504 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFS3507 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 97A (TC) 10V 8.8mohm @ 58a, 10V 4V @ 100µa 130 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 50 v - 190W (TC)
IPDQ65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R099CFD7XTMA1 6.3700
RFQ
ECAD 2327 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op IPDQ65 MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 750 n 채널 650 v 29A (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10V 4.5V @ 480µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1942 pf @ 400 v - 186W (TC)
FCP25N60N onsemi fcp25n60n -
RFQ
ECAD 4363 0.00000000 온세미 Supremos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FCP25 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 3352 pf @ 100 v - 216W (TC)
BSP122,115 Nexperia USA Inc. BSP122,115 0.6200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BSP122 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 550MA (TA) 2.4V, 10V 2.5ohm @ 750ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
MCP90N12A-BP Micro Commercial Co MCP90N12A-BP 2.9100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MCP90 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-MCP90N12A-BP 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 120 v 90A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 45a, 10V 3V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 60 v - 166W
IRLR3714TRPBF Infineon Technologies IRLR3714TRPBF -
RFQ
ECAD 1882 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 4.5 v ± 20V 670 pf @ 10 v - 47W (TC)
SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7430DP-T1-GE3 2.9200
RFQ
ECAD 6268 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7430 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 26A (TC) 8V, 10V 45mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1735 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 64W (TC)
2SK3377(0)-Z-E2-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3377 (0) -z-e2-az -
RFQ
ECAD 4215 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 20A (TJ)
IRFR2405TRR Infineon Technologies irfr2405trr -
RFQ
ECAD 3423 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2405 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 56A (TC) 10V 16mohm @ 34a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 2430 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPN50R1K4CEATMA1 Infineon Technologies IPN50R1K4CEATMA1 0.6700
RFQ
ECAD 3453 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN50R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 4.8A (TC) 13V 1.4ohm @ 900ma, 13v 3.5V @ 70µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 178 pf @ 100 v - 5W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고