SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIE854DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE854DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 6300 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE854 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 60A (TC) 10V 14.2MOHM @ 13.2A, 10V 4.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 50 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
SPP03N60S5HKSA1 Infineon Technologies SPP03N60S5HKSA1 -
RFQ
ECAD 5587 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp03n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 5.5V @ 135µA 16 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 25 v - 38W (TC)
NTP27N06L onsemi NTP27N06L -
RFQ
ECAD 2259 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP27N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 27A (TA) 5V 48mohm @ 13.5a, 5V 2V @ 250µA 32 NC @ 5 v ± 15V 990 pf @ 25 v - 88.2W (TC)
RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor RQ7G080BGTCR 1.1000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RQ7G080 MOSFET (금속 (() TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TA) 4.5V, 10V 16.5mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 10.6 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 20 v - 1.1W (TA)
RJK0358DSP-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0358DSP-00#J0 0.5500
RFQ
ECAD 787 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
STF3N80K5 STMicroelectronics STF3N80K5 2.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF3N80 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 2.5A (TC) 10V 3.5ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 9.5 nc @ 10 v ± 30V 130 pf @ 100 v - 20W (TC)
CPH3431-TL-E onsemi CPH3431-TL-E 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK075N60E-T1-GE3 6.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 2582 pf @ 100 v - 167W (TC)
IRFR3504ZTRR Infineon Technologies irfr3504ztrr -
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 50µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM024NA04LCR RLG 1.5500
RFQ
ECAD 27 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn TSM024 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 170A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA 67 NC @ 10 v ± 20V 4224 pf @ 20 v - 125W (TC)
IRFBC40SPBF Vishay Siliconix IRFBC40SPBF 4.4500
RFQ
ECAD 1517 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBC40 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFBC40SPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 6.2A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 130W (TC)
IRF730PBF Vishay Siliconix IRF730PBF 1.5700
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF730 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF730PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3.3a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 74W (TC)
IPA50R190CEXKSA2 Infineon Technologies IPA50R190CEXKSA2 2.3700
RFQ
ECAD 490 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R190 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 18.5A (TC) 13V 190mohm @ 6.2a, 13v 3.5V @ 510µA 47.2 NC @ 10 v ± 20V 1137 pf @ 100 v - 32W (TC)
IRFP7537PBF Infineon Technologies IRFP7537PBF 3.5000
RFQ
ECAD 366 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP7537 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 60 v 172A (TC) 6V, 10V 3.3mohm @ 100a, 10V 3.7V @ 150µA 210 nc @ 10 v ± 20V 7020 pf @ 25 v - 230W (TC)
STD45NF75T4 STMicroelectronics STD45NF75T4 1.9500
RFQ
ECAD 34 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD45 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 75 v 40A (TC) 10V 24mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1760 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRLU2703PBF Infineon Technologies irlu2703pbf -
RFQ
ECAD 8324 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 23A (TC) 4.5V, 10V 45mohm @ 14a, 10V 1V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 16V 450 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRFR9110TRPBF Vishay Siliconix irfr9110trpbf 1.2300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9110 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 3.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
PJS6417_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6417_S1_00001 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6417 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6417_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 18.9 NC @ 4.5 v ± 8V 1760 pf @ 10 v - 2W (TA)
PSMN6R1-25MLDX Nexperia USA Inc. psmn6r1-25mldx 0.7400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn6r1 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 60A (TC) 4.5V, 10V 7.24mohm @ 15a, 10V 2.2v @ 1ma 10.7 NC @ 10 v ± 20V 702 pf @ 12 v Schottky Diode (Body) 42W (TC)
APT20M18B2VFRG Microchip Technology APT20M18B2VFRG 26.4900
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT20M18 MOSFET (금속 (() T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q8747305 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 100A (TC) 18mohm @ 50a, 10V 4V @ 2.5MA 330 nc @ 10 v 9880 pf @ 25 v -
IRFR9310TRL Vishay Siliconix irfr9310trl -
RFQ
ECAD 4144 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
IXFX62N25 IXYS IXFX62N25 -
RFQ
ECAD 1309 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXFX62 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 62A (TC) 10V 35mohm @ 31a, 10V 4V @ 4MA 240 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 390W (TC)
NTD3808NT4G onsemi NTD3808NT4G -
RFQ
ECAD 1720 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD38 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 16 v 12A (TA), 76A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 4.5 v ± 16V 1660 pf @ 12 v - 1.3W (TA), 52W (TC)
IRF3808SPBF Infineon Technologies IRF3808SPBF -
RFQ
ECAD 3106 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 106A (TC) 10V 7mohm @ 82a, 10V 4V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 5310 pf @ 25 v - 200W (TC)
DMN6069SE-13 Diodes Incorporated DMN6069SE-13 0.5100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DMN6069 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 4.3A (TA), 10A (TC) 4.5V, 10V 69mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 825 pf @ 30 v - 2.2W (TA)
R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor R8001cnd3fratl 2.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R8001 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 1A (TC) 10V 8.7ohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 1mA 7.2 NC @ 10 v ± 30V 60 pf @ 25 v - 36W (TC)
SIHW73N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHW73N60E-GE3 6.6456
RFQ
ECAD 1202 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHW73 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 480 n 채널 600 v 73A (TC) 10V 39mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 362 NC @ 10 v ± 20V 7700 pf @ 100 v - 520W (TC)
AUIRFR540ZTRL Infineon Technologies auirfr540ztrl 2.8700
RFQ
ECAD 651 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR540 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 35A (TC) 10V 28.5mohm @ 21a, 10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 v ± 20V 1690 pf @ 25 v - 91W (TC)
NTMFS4120NT1G onsemi ntmfs4120nt1g -
RFQ
ECAD 5539 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 26a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 3600 pf @ 24 v - 900MW (TA)
IRF6691TR1PBF Infineon Technologies IRF6691TR1PBF -
RFQ
ECAD 3684 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 71 NC @ 4.5 v ± 12V 6580 pf @ 10 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고