SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF7468PBF Infineon Technologies IRF7468PBF -
RFQ
 ECAD 9898 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001559918 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 40 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 9.4a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 12V 2460 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
SI4668DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4668DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4668 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 16.2A (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 15a, 10V 2.6V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 16V 1654 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5W (TC)
IXTK102N65X2 IXYS IXTK102N65X2 20.5500
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK102 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 102A (TC) 10V 30mohm @ 51a, 10V 5V @ 250µA 152 NC @ 10 v ± 30V 10900 pf @ 25 v - 1040W (TC)
IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB081N06L3GATMA1 1.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB081 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 34µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 4900 pf @ 30 v - 79W (TC)
RQ3E120GNTB Rohm Semiconductor RQ3E120GNTB 0.5200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E120 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 590 pf @ 15 v - 2W (TA), 16W (TC)
IRF6612TR1PBF Infineon Technologies IRF6612TR1PBF -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 24A (TA), 136A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 24a, 10V 2.25V @ 250µA 45 NC @ 4.5 v ± 20V 3970 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
AOT66920L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AoT66920L 1.9900
RFQ
 ECAD 748 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT66920 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1840 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 22.5A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 8.3W (TA), 100W (TC)
IXTA1R4N100P IXYS ixta1r4n100p 3.3100
RFQ
 ECAD 260 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA1 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 1.4A (TC) 10V 11ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 50µA 17.8 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 63W (TC)
NTD12N10T4G onsemi NTD12N10T4G -
RFQ
 ECAD 6646 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD12 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12A (TA) 10V 165mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 1.28W (TA), 56.6W (TC)
R6035KNZC8 Rohm Semiconductor R6035KNZC8 -
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 R6035 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 35A (TC) 10V 102mohm @ 18.1a, 10v 5V @ 1MA 72 NC @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 25 v - 102W (TC)
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies IPN70R1K5CEATMA1 0.7800
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN70R1 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 5.4A (TC) 10V 1.5ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 5W (TC)
NTB6N60T4 onsemi NTB6N60T4 -
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-NTB6N60T4-488 1 n 채널 600 v 6A (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 25 v - 142W (TC)
TP65H050WSQA Transphorm TP65H050WSQA 19.7300
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 반죽 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 TP65H050 Ganfet ((코드 코드 갈륨 질화물 질화물 Fet) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1707-TP65H050WSQA 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 36A (TC) 10V 60mohm @ 25a, 10V 4.8V @ 700µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 400 v - 150W (TC)
TP2522N8-G Microchip Technology TP2522N8-G 1.3900
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA TP2522 MOSFET (금속 (() TO-243AA (SOT-89) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 220 v 260MA (TJ) 4.5V, 10V 12ohm @ 200ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 125 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
NVTFS5811NLTWG onsemi NVTFS5811NLTWG -
RFQ
 ECAD 8184 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5811 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 16A (TA) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1570 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 21W (TC)
IRF3708STRL Infineon Technologies IRF3708STRL -
RFQ
 ECAD 7949 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 62A (TC) 2.8V, 10V 12MOHM @ 15A, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
IRFSL4710PBF Infineon Technologies IRFSL4710PBF -
RFQ
 ECAD 6266 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFSL4710pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 14mohm @ 45a, 10V 5.5V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 6160 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
PH4840S,115 Nexperia USA Inc. PH4840S, 115 -
RFQ
 ECAD 5714 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 94.5A (TC) 7V, 10V 4.1mohm @ 25a, 10V 3V @ 1mA 67 NC @ 10 v ± 20V 3660 pf @ 10 v - 62.5W (TC)
FDMC2512SDC onsemi FDMC2512SDC -
RFQ
 ECAD 2720 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 FDMC25 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
FQPF3N60 onsemi FQPF3N60 -
RFQ
 ECAD 1267 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF3 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 450 pf @ 25 v - 34W (TC)
PHB45NQ15T,118 Nexperia USA Inc. PHB45NQ15T, 118 2.0000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB45NQ15 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 150 v 45.1A (TC) 10V 42MOHM @ 20A, 10V 4V @ 1MA 32 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 230W (TC)
IXTA80N12T2 IXYS IXTA80N12T2 3.1660
RFQ
 ECAD 3939 0.00000000 ixys Trencht2 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA80 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 120 v 80A (TC) 10V 17mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 4740 pf @ 25 v - 325W (TC)
SIRA90DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sira90dp-t1-Re3 1.5500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sira90 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 0.8mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 153 NC @ 10 v +20V, -16V 10180 pf @ 15 v - 104W (TC)
IXFP7N100P IXYS IXFP7N100p 6.2500
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP7N100 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfp7n100p 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 7A (TC) 10V 1.9ohm @ 3.5a, 10V 6V @ 1MA 47 NC @ 10 v ± 30V 2590 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRF6629TR1PBF Infineon Technologies irf6629tr1pbf -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 29A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 2.1mohm @ 29a, 10V 2.35V @ 100µa 51 NC @ 4.5 v ± 20V 4260 pf @ 13 v - 2.8W (TA), 100W (TC)
FQPF1N60T onsemi FQPF1N60T -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 900ma (TC) 10V 11.5ohm @ 450ma, 10V 5V @ 250µA 6 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 21W (TC)
IRFR120NTRLPBF Infineon Technologies irfr120ntrlpbf 0.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
BSM300C12P3E301 Rohm Semiconductor BSM300C12P3E301 1.0000
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 기준 기준 BSM300 sicfet ((카바이드) 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-BSM300C12P3E301 귀 99 8541.29.0095 4 n 채널 1200 v 300A (TC) - - 5.6v @ 80ma +22V, -4V 1500 pf @ 10 v 기준 1360W (TC)
STL57N65M5 STMicroelectronics STL57N65M5 11.4800
RFQ
 ECAD 2950 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL57 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (8x8) HV 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 4.3A (TA), 22.5A (TC) 10V 69mohm @ 20a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 4200 pf @ 100 v - 2.8W (TA), 189W (TC)
SI2366DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI236DS-T1-GE3 0.4600
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2366 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.8A (TC) 10V 36mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 335 pf @ 15 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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