SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
PJA3415AE_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3415AE_R1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3415 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3415AE_R1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 50mohm @ 4.3a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 8V 907 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
SIHA120N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHA120N60E-GE3 5.2500
RFQ
 ECAD 3707 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA120 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 30V 1562 pf @ 100 v - 34W (TC)
DMP1100UCB4-7 Diodes Incorporated DMP1100UCB4-7 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, WLBGA DMP1100 MOSFET (금속 (() X2-WLB0808-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 2.5A (TA) 1.3V, 4.5V 83mohm @ 3a, 4.5v 800MV @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 820 pf @ 6 v - 670MW (TA)
FQPF4N60 Fairchild Semiconductor FQPF4N60 0.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 2.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 1.3a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 36W (TC)
RCJ331N25TL Rohm Semiconductor RCJ331N25TL 4.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ331 MOSFET (금속 (() TO-263S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 250 v 33A (TC) 10V 105mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 1MA 80 nc @ 10 v ± 30V 4500 pf @ 25 v - 1.56W (TA), 211W (TC)
CSD16301Q2 Texas Instruments CSD16301Q2 0.5800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 CSD16301 MOSFET (금속 (() 6 아들 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 5A (TC) 3V, 8V 24mohm @ 4a, 8v 1.55V @ 250µA 2.8 NC @ 4.5 v +10V, -8V 340 pf @ 12.5 v - 2.3W (TA)
IPW65R022CFD7AXKSA1 Infineon Technologies IPW65R022CFD7AXKSA1 27.1900
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW65R MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 650 v 96A (TC) 10V 22mohm @ 58.2a, 10V 4.5V @ 2.91ma 234 NC @ 10 v ± 20V 11659 pf @ 400 v - 446W (TC)
RQ5E025SPTL Rohm Semiconductor RQ5E025SPTL 0.6300
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5E025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4V, 10V 98mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1mA 5.4 NC @ 5 v ± 20V 460 pf @ 10 v - 700MW (TA)
IRF7456TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7456TRPBF-1 -
RFQ
 ECAD 2487 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 20 v 16A (TA) 2.8V, 10V 6.5mohm @ 16a, 10V 2V @ 250µA 62 NC @ 5 v ± 12V 3640 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IXFC74N20P IXYS IXFC74N20P -
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 ixys Polarht ™ Hiperfet ™ 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXFC74N20 MOSFET (금속 (() ISOPLUS220 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 35A (TC) 10V 36mohm @ 37a, 10V 5V @ 4MA 107 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 25 v - 120W (TC)
IRLR8256PBF International Rectifier IRLR8256PBF -
RFQ
 ECAD 9841 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 648 n 채널 25 v 81A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 25µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1470 pf @ 13 v - 63W (TC)
IRFB7787PBF Infineon Technologies IRFB7787pbf -
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB7787 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 76A (TC) 6V, 10V 8.4mohm @ 46a, 10V 3.7v @ 100µa 109 NC @ 10 v ± 20V 4020 pf @ 25 v - 125W (TC)
AO4771 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4771 -
RFQ
 ECAD 7138 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO47 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 4a, 10V 2.3V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
IRFR3411PBF International Rectifier IRFR3411PBF 0.3200
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 2156-IRFR3411PBF-IR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 32A (TC) 44mohm @ 16a, 10V 4V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 20V 1960 pf @ 25 v - 130W (TC)
FQD7P06TM_NB82050 onsemi FQD7P06TM_NB82050 -
RFQ
 ECAD 8316 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 5.4A (TC) 10V 451mohm @ 2.7a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 25V 295 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
IXFK100N25 IXYS IXFK100N25 -
RFQ
 ECAD 5892 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK100 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 100A (TC) 10V 27mohm @ 50a, 10V 4V @ 8MA 300 NC @ 10 v ± 20V 9100 pf @ 25 v - 560W (TC)
IXFH12N50F IXYS IXFH12N50F -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 ixys Hiperrf ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH12 MOSFET (금속 (() TO-247 (IXFH) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 12A (TC) 10V 400mohm @ 6a, 10V 5.5V @ 2.5MA 54 NC @ 10 v ± 20V 1870 pf @ 25 v - 180W (TC)
BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC097N06NSATMA1 0.9500
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC097 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 46A (TC) 6V, 10V 9.7mohm @ 40a, 10V 3.3V @ 14µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1075 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 36W (TC)
XP202A0003MR-G Torex Semiconductor Ltd XP202A0003MR-G 0.3715
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP202A MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TJ) 4V, 10V 45mohm @ 1.5a, 10V 2.6v @ 1ma 10 nc @ 10 v ± 20V 435 pf @ 10 v - 1W
STP75N75F4 STMicroelectronics STP75N75F4 -
RFQ
 ECAD 5682 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP75N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13395-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 78A (TC) 10V 11mohm @ 39a, 10V 4V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 20V 5015 pf @ 25 v - 150W (TC)
SPI80N03S2L-03 Infineon Technologies SPI80N03S2L-03 -
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.1mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 220 NC @ 10 v ± 20V 8180 pf @ 25 v - 300W (TC)
AO4440L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4440L -
RFQ
 ECAD 3078 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 20V 540 pf @ 30 v - 2.5W (TA)
NTD15N06L-1G onsemi NTD15N06L-1g 0.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
AUIRFS3206TRL Infineon Technologies auirfs3206trl 3.4993
RFQ
 ECAD 3890 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3MOHM @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nc @ 10 v ± 20V 6540 pf @ 50 v - 300W (TC)
IRFI740GPBF Vishay Siliconix IRFI740GPBF 2.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI740 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI740GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 5.4A (TC) 10V 550mohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1370 pf @ 25 v - 40W (TC)
AO4292E Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4292E 0.3624
RFQ
 ECAD 9751 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO42 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 8A (TA)
NTMFS4837NHT1G onsemi NTMFS4837NHT1G -
RFQ
 ECAD 2576 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4837 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 10.2A (TA), 75A (TC) 4.5V, 11.5V 5MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 23.8 nc @ 4.5 v ± 20V 3016 pf @ 12 v - 880MW (TA), 48W (TC)
2N7236U Microsemi Corporation 2N7236U -
RFQ
 ECAD 4339 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-267AB MOSFET (금속 (() TO-267AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 100 v 18A (TC) 10V 200mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V - 4W (TA), 125W (TC)
NTD4960N-1G onsemi NTD4960N-1G -
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD49 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTD4960N-1GOS 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 8.9A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 15 v - 1.07W (TA), 35.71W (TC)
BSS84LT7G onsemi BSS84LT7G 0.3900
RFQ
 ECAD 6003 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 250µA 2.2 NC @ 10 v ± 20V 36 pf @ 5 v - 225MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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