SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
DMN2310UTQ-7 Diodes Incorporated DMN2310UTQ-7 0.0736
RFQ
 ECAD 2358 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN2310 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2310UTQ-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.8V, 4.5V 240mohm @ 300ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 38 pf @ 10 v - 290MW (TA)
BXL4004-1E onsemi BXL4004-1E -
RFQ
 ECAD 1028 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 BXL40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TA) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 50a, 10V - 140 NC @ 10 v ± 20V 8200 pf @ 20 v - 75W (TC)
NTB75N03L09T4 onsemi NTB75N03L09T4 -
RFQ
 ECAD 9000 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NTB75 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTB75N03L09T4OS 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 5V 8mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250µA 75 NC @ 5 v ± 20V 5635 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 125W (TC)
APT50M38JFLL Microchip Technology apt50m38jfll 91.5000
RFQ
 ECAD 5847 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT50M38 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 88A (TC) 38mohm @ 44a, 10V 5V @ 5MA 270 nc @ 10 v 12000 pf @ 25 v -
FCD5N60TF onsemi FCD5N60TF -
RFQ
 ECAD 3951 0.00000000 온세미 Superfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FCD5 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 4.6A (TC) 10V 950mohm @ 2.3a, 10V 5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 54W (TC)
DMTH8012LPS-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPS-13 0.3045
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH8012 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 10A (TA), 72A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1949 pf @ 40 v - 2.6W (TA), 136W (TC)
IRF1503STRLPBF Infineon Technologies IRF1503STRLPBF -
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1503 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550938 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 10V 3.3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 5730 pf @ 25 v - 200W (TC)
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies IAUS300N08S5N012ATMA1 7.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 갈매기 날개 IAUS300 MOSFET (금속 (() PG-HSOG-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 80 v 300A (TC) 6V, 10V 1.2MOHM @ 100A, 10V 3.8V @ 275µA 231 NC @ 10 v ± 20V 16250 pf @ 40 v - 375W (TC)
BSP316PE6327T Infineon Technologies BSP316PE6327T -
RFQ
 ECAD 6406 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 680MA (TA) 4.5V, 10V 1.8ohm @ 680ma, 10V 2V @ 170µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 146 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
FQP2N40-F080 onsemi FQP2N40-F080 -
RFQ
 ECAD 7600 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP2 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 5.8ohm @ 900ma, 10V 5V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 40W (TA)
STF2N62K3 STMicroelectronics STF2N62K3 1.5700
RFQ
 ECAD 737 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF2N62 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 620 v 2.2A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 50µA 15 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 50 v - 20W (TC)
IPW60R120P7 Infineon Technologies IPW60R120P7 -
RFQ
 ECAD 7406 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 120mohm @ 8.2a, 10V 4V @ 410µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1544 pf @ 400 v - 95W (TC)
ZVNL120ASTOA Diodes Incorporated zvnl120astoa -
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 3V, 5V 10ohm @ 250ma, 10V 1.5V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
AUIRFR5410 Infineon Technologies AUIRFR5410 -
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 13A (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 66W (TC)
FQI5N20LTU onsemi fqi5n20ltu -
RFQ
 ECAD 4941 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FQI5 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 4.5A (TC) 5V, 10V 1.2ohm @ 2.25a, 10V 2V @ 250µA 6.2 NC @ 5 v ± 25V 325 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 52W (TC)
FDC699P onsemi FDC699P -
RFQ
 ECAD 8432 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP FDC699 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 FLMP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7A (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 38 NC @ 5 v ± 12V 2640 pf @ 10 v - 2W (TA)
IPP50R399CPHKSA1 Infineon Technologies IPP50R399CPHKSA1 -
RFQ
 ECAD 9134 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP50R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 9A (TC) 10V 399mohm @ 4.9a, 10V 3.5V @ 330µA 23 nc @ 10 v ± 20V 890 pf @ 100 v - 83W (TC)
APT10050LVRG Microchip Technology APT10050LVRG 23.9700
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT10050 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 21A (TC) 500mohm @ 500ma, 10V 4V @ 2.5MA 500 NC @ 10 v 7900 pf @ 25 v -
APT30M36LLLG Microchip Technology apt30m36lllg 28.9400
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT30M36 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 300 v 84A (TC) 36mohm @ 42a, 10V 5V @ 2.5MA 115 NC @ 10 v 6480 pf @ 25 v -
SPI12N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI12N50C3HKSA1 -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI12N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014467 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
NVMFS5844NLT1G onsemi NVMFS5844NLT1G -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5844 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 11.2A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 107W (TC)
IRF820A Vishay Siliconix IRF820A -
RFQ
 ECAD 2120 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF820 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF820A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
STQ2NK60ZR-AP STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP -
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 컷 컷 (CT) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STQ2 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 400MA (TC) 10V 8ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 50µA 10 nc @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 3W (TC)
AOD450A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD450A70 0.7509
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD45 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOD450A70TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 11A (TC) 10V 450mohm @ 2.3a, 10V 3.6V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1115 pf @ 100 v - 125W (TC)
IPP70N10SL16AKSA1 Infineon Technologies IPP70N10SL16AKSA1 -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP70N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 70A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 50a, 10V 2V @ 2MA 240 NC @ 10 v ± 20V 4540 pf @ 25 v - 250W (TC)
IRLR7807ZTR Infineon Technologies IRLR7807ZTR -
RFQ
 ECAD 7312 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001558476 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 43A (TC) 4.5V, 10V 13.8mohm @ 15a, 10V 2.25V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 780 pf @ 15 v - 40W (TC)
FDC5612 onsemi FDC5612 0.6000
RFQ
 ECAD 1967 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC5612 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.3A (TA) 6V, 10V 55mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
DMPH6050SFG-7 Diodes Incorporated DMPH6050SFG-7 0.2482
RFQ
 ECAD 9500 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DMPH6050 MOSFET (금속 (() 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMPH6050SFG-7DI 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 60 v 6.1A (TA), 18A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 24.1 NC @ 10 v ± 20V 1293 pf @ 30 v - 3.2W
IXFQ12N80P IXYS ixfq12n80p -
RFQ
 ECAD 4278 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ12 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 12A (TC) 10V 850mohm @ 500ma, 10V 5.5V @ 2.5MA 51 NC @ 10 v ± 30V 2800 pf @ 25 v - 360W (TC)
IRF6674TR1PBF Infineon Technologies irf6674tr1pbf -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mz 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 13.4A (TA), 67A (TC) 10V 11mohm @ 13.4a, 10V 4.9V @ 100µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 89W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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