SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRL3715Z Infineon Technologies IRL3715Z -
RFQ
 ECAD 1998 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3715Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
FQPF4N90 onsemi FQPF4N90 -
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF4 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 2.5A (TC) 10V 3.3ohm @ 1.25a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 47W (TC)
MCB200N06YA-TP Micro Commercial Co MCB200N06YA-TP 2.0200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MCB200N06 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 200a 6V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 3.8V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4165 pf @ 25 v - 260W (TJ)
AUIRFS3307Z International Rectifier AUIRFS3307Z -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 5.8mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 50 v - 230W (TC)
SIR106ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106adp-t1-Re3 1.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir106 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIR106ADP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.1A (TA), 65.8 (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2440 pf @ 50 v - 5W (TA), 83.3W (TC)
IPD135N08N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD135N08N3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD135N MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 45A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 45a, 10V 3.5V @ 33µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1730 pf @ 40 v - 79W (TC)
FDD10N20LZTM onsemi FDD10N20LZTM -
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 온세미 unifet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD10N20 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 7.6A (TC) 5V, 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 585 pf @ 25 v - 83W (TC)
PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSEJ 2.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn7r6 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TJ) 10V 7.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 128 NC @ 10 v ± 20V 7110 pf @ 50 v - 296W (TC)
FQA140N10 onsemi FQA140N10 7.1100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA140 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 140A (TC) 10V 10mohm @ 70a, 10v 4V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 25V 7900 pf @ 25 v - 375W (TC)
2N7002_L99Z onsemi 2N7002_L99Z -
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 200MW (TA)
PMV130ENEA/DG/B2R Nexperia USA Inc. PMV130ENEA/DG/B2R -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068781215 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2.1A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 3.6 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 20 v - 5W (TC)
AOI950A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI950A70 1.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOI950 MOSFET (금속 (() TO-251A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1820 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 1a, 10V 4.1V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 461 pf @ 100 v - 56.5W (TC)
SI7463ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7463ADP-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 7442 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7463 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 46A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 144 NC @ 10 v ± 20V 4150 pf @ 20 v - 5W (TA), 39W (TC)
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated zxm61p02fta 0.4600
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXM61P02 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 900MA (TA) 2.7V, 4.5V 600mohm @ 610ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 3.5 NC @ 4.5 v ± 12V 150 pf @ 15 v - 625MW (TA)
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J132TU, LF 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J132 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 5.4A (TA) 1.2V, 4.5V 17mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 1mA 33 NC @ 4.5 v ± 6V 2700 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2V7002LT3G onsemi 2V7002LT3G -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2V7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
IRF1405LPBF Infineon Technologies IRF1405LPBF -
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 131A (TC) 10V 5.3mohm @ 101a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 5480 pf @ 25 v - 200W (TC)
SPI12N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI12N50C3HKSA1 -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI12N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014467 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
AO4498 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4498 0.2634
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 44.5 nc @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
MCH6337-TL-H onsemi MCH6337-TL-H -
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH63 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 49mohm @ 3a, 4.5v - 7.3 NC @ 4.5 v ± 10V 670 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
DMN2310UTQ-7 Diodes Incorporated DMN2310UTQ-7 0.0736
RFQ
 ECAD 2358 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN2310 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2310UTQ-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.8V, 4.5V 240mohm @ 300ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 38 pf @ 10 v - 290MW (TA)
BUK663R2-40C,118 NXP Semiconductors BUK663R2-40C, 118 0.5000
RFQ
 ECAD 724 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-BUK663R2-40C, 118-954 1 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.2mohm @ 25a, 10V 2.8V @ 1MA 125 nc @ 10 v ± 16V 8020 pf @ 25 v - 204W (TC)
FDB24AN06LA0 onsemi FDB24AN06LA0 -
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 7.8A (TA), 40A (TC) 5V, 10V 19mohm @ 40a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 5 v ± 20V 1850 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRF7700TR Infineon Technologies irf7700tr -
RFQ
 ECAD 8975 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 20 v 8.6A (TC) 2.5V, 4.5V 15mohm @ 8.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 89 NC @ 5 v ± 12V 4300 pf @ 15 v - 1.5W (TC)
IPA50R140CPXKSA1 Infineon Technologies IPA50R140CPXKSA1 6.0300
RFQ
 ECAD 9371 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA50R140 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-31 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 23A (TC) 10V 140mohm @ 14a, 10V 3.5V @ 930µA 64 NC @ 10 v ± 20V 2540 pf @ 100 v - 34W (TC)
IRL8113S Infineon Technologies IRL8113S -
RFQ
 ECAD 9055 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL8113S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 105A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 21A, 10V 2.25V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 2840 pf @ 15 v - 110W (TC)
TSM2318CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2318CX RFG 1.4800
RFQ
 ECAD 178 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2318 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 3.9A (TA) 4.5V, 10V 45mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 20 v - 1.25W (TA)
IRLZ44NSTRR Infineon Technologies irlz44nstrr -
RFQ
 ECAD 2153 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 47A (TC) 4V, 10V 25A, 25A, 10V 2V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
RRL035P03FRATR Rohm Semiconductor RRL035P03FRATR 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RRL035 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.5A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 3.5a, 10V 2.5V @ 1mA 14 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 10 v - 1W (TA)
NTMFS4H01NT3G onsemi NTMFS4H01NT3G -
RFQ
 ECAD 1567 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 54A (TA), 334A (TC) 4.5V, 10V 0.7mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 5693 pf @ 12 v - 3.2W (TA), 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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