전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF820ASPBF | 1.6800 | ![]() | 993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF820 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF820ASPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||
![]() | NVH4L018N075SC1 | 50.4500 | ![]() | 450 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | sicfet ((카바이드) | TO-247-4L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVH4L018N075SC1 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 750 v | 140A (TC) | 15V, 18V | 18mohm @ 66a, 18V | 4.3v @ 22ma | 262 NC @ 18 v | +22V, -8V | 5010 pf @ 375 v | - | 500W (TC) | ||
![]() | IXTP44N10T | 1.9800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ixys | 도랑 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXTP44 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 44A (TC) | 10V | 30mohm @ 22a, 10V | 4.5V @ 25µA | 33 NC @ 10 v | ± 30V | 1262 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||
![]() | FQB4P40TM | - | ![]() | 1344 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FQB4 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 400 v | 3.5A (TC) | 10V | 3.1ohm @ 1.75a, 10V | 5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 30V | 680 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 85W (TC) | |||
![]() | NTD4913N-35G | - | ![]() | 7159 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | NTD49 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 7.7A (TA), 32A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 1013 pf @ 15 v | - | 1.36W (TA), 24W (TC) | |||
![]() | IPA65R280C6XKSA1 | 1.9039 | ![]() | 1654 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R280 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 13.8A (TC) | 10V | 280mohm @ 4.4a, 10V | 3.5V @ 440µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 950 pf @ 100 v | - | 32W (TC) | ||
![]() | APT5010JVR | 38.7000 | ![]() | 5220 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | APT5010 | MOSFET (금속 (() | ISOTOP® | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 44A (TC) | 100mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 2.5MA | 470 nc @ 10 v | 8900 pf @ 25 v | - | ||||||
![]() | IRF3709ZPBF | - | ![]() | 3879 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 87A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 21a, 10V | 2.25V @ 250µA | 26 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2130 pf @ 15 v | - | 79W (TC) | |||
![]() | SI2336DS-T1-GE3 | 0.5100 | ![]() | 5756 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2336 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.2A (TC) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 3.8a, 4.5v | 1V @ 250µA | 15 nc @ 8 v | ± 8V | 560 pf @ 15 v | - | 1.25W (TA), 1.8W (TC) | ||
![]() | irld014pbf | 1.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) | irld014 | MOSFET (금속 (() | 4-HVMDIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *irld014pbf | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | n 채널 | 60 v | 1.7A (TA) | 4V, 5V | 200mohm @ 1a, 5V | 2V @ 250µA | 8.4 NC @ 5 v | ± 10V | 400 pf @ 25 v | - | 1.3W (TA) | ||
![]() | PSMN2R0-60PSRQ | 2.0969 | ![]() | 6628 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PSMN2R0 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934068472127 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.2MOHM @ 25A, 10V | 4V @ 1MA | 192 NC @ 10 v | ± 20V | 13500 pf @ 30 v | - | 338W (TC) | |
![]() | IPA075N15N3G | - | ![]() | 4057 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | n 채널 | 150 v | 43A (TC) | 8V, 10V | 7.5mohm @ 43a, 10V | 4V @ 270µA | 93 NC @ 10 v | ± 20V | 7280 pf @ 75 v | - | 39W (TC) | ||||||
![]() | 2N6788U | - | ![]() | 1196 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 4.5A (TC) | 10V | 300mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TC) | ||||
![]() | PJU2NA60_T0_00001 | - | ![]() | 4560 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | PJU2NA60 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | - | 3757-PJU2NA60_T0_00001 | 쓸모없는 | 1 | n 채널 | 600 v | 2A (TA) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 5.7 NC @ 10 v | ± 30V | 257 pf @ 25 v | - | 34W (TC) | |||||
STP24N60M2 | 2.8700 | ![]() | 990 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | STP24 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13556-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 190mohm @ 9a, 10V | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 25V | 1060 pf @ 100 v | - | 150W (TC) | ||
![]() | PHB45NQ10T, 118 | 1.8300 | ![]() | 430 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | PHB45NQ10 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 47A (TC) | 10V | 25mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 61 NC @ 10 v | ± 20V | 2600 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||
![]() | NVD6495NLT4G | - | ![]() | 7265 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVD649 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 1024 pf @ 25 v | - | 83W (TC) | ||
![]() | BUK9Y11-30B, 115 | - | ![]() | 8410 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y11 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 59A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 16.5 nc @ 5 v | ± 15V | 1614 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||
IXFA3N120-TRL | 6.4701 | ![]() | 1236 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXFA3 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA (IXFA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 1200 v | 3A (TC) | 10V | 4.5ohm @ 1.5a, 10V | 5V @ 1.5MA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1050 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||
![]() | NDS8435 | - | ![]() | 5967 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | NDS843 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 7A (TA) | 28mohm @ 7a, 10V | 3V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | 1500 pf @ 15 v | - | ||||||
![]() | IXFR180N15P | 16.7170 | ![]() | 7166 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 상자 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFR180 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 100A (TC) | 10V | 13mohm @ 90a, 10V | 5V @ 4MA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 7000 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | AOD2N60 | 0.6800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD2 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 325 pf @ 25 v | - | 56.8W (TC) | ||
![]() | IXFP18N65X3 | 5.0984 | ![]() | 7812 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 활동적인 | IXFP18 | - | 238-IXFP18N65X3 | 50 | ||||||||||||||||||||||
![]() | NDP6030PL | - | ![]() | 1733 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NDP603 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | p 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 19a, 10V | 2V @ 250µA | 36 nc @ 5 v | ± 16V | 1570 pf @ 15 v | - | 75W (TC) | |||
![]() | IPN95R3K7P7ATMA1 | 0.9800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | IPN95R3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 950 v | 2A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 800ma, 10V | 3.5V @ 40µA | 6 nc @ 10 v | ± 20V | 196 pf @ 400 v | - | 6W (TC) | ||
NVATS5A302PLZT4G | - | ![]() | 2894 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NVATS5 | MOSFET (금속 (() | atpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 80A (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 35a, 10V | 2.6v @ 1ma | 115 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 20 v | - | 84W (TC) | |||
![]() | NDP4050L | - | ![]() | 3280 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NDP405 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 45 | n 채널 | 50 v | 15A (TC) | 5V, 10V | 80mohm @ 15a, 10V | 2V @ 250µA | 17 nc @ 5 v | ± 16V | 600 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||
![]() | IRFP260PBF | 6.5100 | ![]() | 949 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP260 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP260PBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 200 v | 46A (TC) | 10V | 55mohm @ 28a, 10V | 4V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 5200 pf @ 25 v | - | 280W (TC) | ||
![]() | AOTF16N50 | 1.0079 | ![]() | 3204 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF16 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 16A (TC) | 10V | 370mohm @ 8a, 10V | 4.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 30V | 2297 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||
![]() | FCP16N60N-F102 | - | ![]() | 8856 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCP16 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 600 v | 16A (TC) | 10V | 199mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 52.3 NC @ 10 v | ± 30V | 2170 pf @ 100 v | - | 134.4W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고