전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SI2399DS-T1-BE3 | 0.5100 | ![]() | 5804 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SI2399DS-T1-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.1A (TA), 6A (TC) | 2.5V, 10V | 34mohm @ 5.1a, 10V | 1.5V @ 250µA | 20 nc @ 4.5 v | ± 12V | 835 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
![]() | IRF540ZSPBF | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 36A (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 20V | 1770 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | |||
![]() | NTHD4N02FT1 | - | ![]() | 5829 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | nthd4n | MOSFET (금속 (() | Chipfet ™ | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | nthd4n02ft1os | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.9A (TJ) | 2.5V, 4.5V | 80mohm @ 2.9a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 4 NC @ 4.5 v | ± 12V | 300 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 910MW (TJ) | |
![]() | TSM2NB60CH | 0.8512 | ![]() | 3314 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | TSM2 | MOSFET (금속 (() | TO-251 (IPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM2NB60CH | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1a, 10V | 4.5V @ 250µA | 9.4 NC @ 10 v | ± 30V | 249 pf @ 25 v | - | 44W (TC) | ||
![]() | IXTR140P10T | 19.0557 | ![]() | 1291 | 0.00000000 | ixys | Trenchp ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXTR140 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | p 채널 | 100 v | 110A (TC) | 10V | 13mohm @ 70a, 10V | 4V @ 250µA | 400 NC @ 10 v | ± 15V | 31400 pf @ 25 v | - | 270W (TC) | ||
![]() | DMTH4004SPS-13 | 1.2500 | ![]() | 5988 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMTH4004 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 31A (TA), 100A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 90a, 10V | 4V @ 250µA | 68.6 NC @ 10 v | ± 20V | 4305 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 167W (TC) | ||
![]() | SUM33N20-60P-E3 | - | ![]() | 2669 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | sum33 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 33A (TC) | 10V, 15V | 59mohm @ 20a, 15V | 4.5V @ 250µA | 113 NC @ 15 v | ± 25V | 2735 pf @ 25 v | - | 3.12W (TA), 156W (TC) | ||
![]() | FDP15N65 | - | ![]() | 2820 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP15 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 15A (TC) | 10V | 440mohm @ 7.5a, 10V | 5V @ 250µA | 63 NC @ 10 v | ± 30V | 3095 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||
![]() | SQM40081EL_GE3 | 1.7900 | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SQM40081 | MOSFET (금속 (() | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | p 채널 | 40 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 230 nc @ 10 v | ± 20V | 9950 pf @ 25 v | - | 107W (TC) | |||
![]() | FDFC2P100 | - | ![]() | 7210 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | FDFC2 | MOSFET (금속 (() | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 3a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 4.7 NC @ 10 v | ± 12V | 445 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.5W (TA) | |||
![]() | r6011knx | 1.9600 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | R6011 | MOSFET (금속 (() | TO-220FM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 11A (TC) | 10V | 390mohm @ 3.8a, 10V | 5V @ 1MA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 740 pf @ 25 v | - | 53W (TC) | ||
![]() | FDD6612A | - | ![]() | 7155 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD6612 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 9.5A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9.5a, 10V | 3V @ 250µA | 9.4 NC @ 5 v | ± 20V | 660 pf @ 15 v | - | 2.8W (TA), 36W (TC) | ||
![]() | NTP8G206NG | - | ![]() | 2223 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NTP8G2 | Ganfet ((갈륨) | TO-220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 17A (TC) | 8V | 180mohm @ 11a, 8v | 2.6V @ 500µA | 9.3 NC @ 4.5 v | ± 18V | 760 pf @ 480 v | - | 96W (TC) | |||
![]() | SIB412DK-T1-E3 | - | ![]() | 7233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-75-6 | SIB412 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-75-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 6.6a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10.16 NC @ 5 v | ± 8V | 535 pf @ 10 v | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||
![]() | spd18p06pgbtma1 | 1.4600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD18P06 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 18.6A (TC) | 10V | 130mohm @ 13.2a, 10V | 4V @ 1MA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 860 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | ||
![]() | NTP18N06 | - | ![]() | 5810 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NTP18N | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | NTP18N06OS | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 15A (TC) | 10V | 90mohm @ 7.5a, 10V | 4V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 450 pf @ 25 v | - | 48.4W (TC) | |
![]() | psmn011-60msx | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) | PSMN011 | MOSFET (금속 (() | LFPAK33 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 61A (TC) | 10V | 11.3mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1368 pf @ 30 v | - | 91W (TC) | ||
STL13NM60N | 3.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL13 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (8x8) HV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 385mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 790 pf @ 50 v | - | 3W (TA), 90W (TC) | |||
![]() | IRF540,127 | - | ![]() | 8622 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF54 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 23A (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4V @ 1MA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1187 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | ||
![]() | SIL04P06Y-TP | 0.3511 | ![]() | 6027 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | SIL04 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6L | 다운로드 | 353-SIL04P06Y-TP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 60 v | 3.5a | 4.5V, 10V | 85mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.27 NC @ 4.5 v | ± 20V | 505 pf @ 15 v | - | 1.56W | ||||
![]() | RJK0216DPA-WS#J53 | 0.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | AUIRF4905L | - | ![]() | 3083 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001521094 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 55 v | 42A (TC) | 10V | 20mohm @ 42a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 3500 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||
![]() | SPW47N60CFDFKSA1 | 14.0008 | ![]() | 9322 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SPW47N60 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | n 채널 | 600 v | 46A (TC) | 10V | 83mohm @ 29a, 10V | 5V @ 2.9ma | 322 NC @ 10 v | ± 20V | 7700 pf @ 25 v | - | 417W (TC) | ||
zxmn2b01fta | 0.4600 | ![]() | 69 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | ZXMN2 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 2.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 100mohm @ 2.4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 4.8 NC @ 4.5 v | ± 8V | 370 pf @ 10 v | - | 625MW (TA) | |||
![]() | BUK9604-40A, 118 | - | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK9604 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 4.3V, 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 128 NC @ 5 v | ± 15V | 8260 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
![]() | PSMN7R0-100PS, 127 | 3.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 튜브 | 활동적인 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | psmn7r0 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 100A (TC) | 10V | 12MOHM @ 15A, 10V | 4V @ 1MA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 6686 pf @ 50 v | - | 269W (TC) | ||
![]() | SIRA52DP-T1-GE3 | 1.3900 | ![]() | 9699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | sira52 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 15a, 10V | 2.4V @ 250µA | 150 nc @ 10 v | +20V, -16V | 7150 pf @ 20 v | - | 48W (TC) | |||
![]() | IRLR3705ZTRPBF | 1.7700 | ![]() | 1754 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR3705 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 42a, 10V | 3V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | ± 16V | 2900 pf @ 25 v | - | 130W (TC) | ||
![]() | IRL1404ZPBF | 2.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL1404 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 75a, 10V | 2.7V @ 250µA | 110 NC @ 5 v | ± 16V | 5080 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||
![]() | BSC152N10NSFGATMA1 | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 9.4A (TA), 63A (TC) | 10V | 15.2mohm @ 25a, 10V | 4V @ 72µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1900 pf @ 50 v | - | 114W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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