SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NVB110N65S3F onsemi NVB110N65S3F 6.5800
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NVB110 MOSFET (금속 (() D²PAK-3 (TO-263-3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 110mohm @ 15a, 10V 5V @ 3MA 58 NC @ 10 v ± 30V 2560 pf @ 400 v - 240W (TC)
RJK03C1DPB-00#J5 Renesas Electronics America Inc RJK03C1DPB-00#J5 -
RFQ
 ECAD 8724 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 60A (TA) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V - 42 NC @ 4.5 v ± 20V 6000 pf @ 10 v Schottky Diode (Body) 65W (TC)
IRF740LCL Vishay Siliconix IRF740LCL -
RFQ
 ECAD 7398 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF740 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF740LCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - -
RSS090N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS090N03FU6TB -
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RSS090 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA) 4V, 10V 15mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 5 v ± 20V 810 pf @ 10 v - 2W (TA)
SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4660DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7935 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4660 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 23.1A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 16V 2410 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 5.6W (TC)
PSMN5R8-40YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R8-40YS, 115 1.2500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmn5r8 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 90A (TC) 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 28.8 nc @ 10 v ± 20V 1703 pf @ 20 v - 89W (TC)
NTMFS4935NCT3G onsemi NTMFS4935NCT3G -
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4935 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 13A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 49.4 NC @ 10 v ± 20V 4850 pf @ 15 v - 930MW (TA), 48W (TC)
STS5PF30L STMicroelectronics STS5PF30L -
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS5P MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5A (TC) 4.5V, 10V 55mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 5 v ± 16V 1350 pf @ 25 v - 2.5W (TC)
AOD508 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD508 0.9000
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD50 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 22A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 49 NC @ 10 v ± 20V 2010 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
DMT10H010LSSQ-13 Diodes Incorporated DMT10H010LSSQ-13 0.7085
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMT10H010LSSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 12A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13a, 10V 2.8V @ 250µA 58.4 NC @ 10 v ± 20V 4166 pf @ 50 v - 1.9W (TA)
IRFF423 Harris Corporation IRFF423 -
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() TO-205AF (TO-39) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 450 v 1.4A (TC) 10V 4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 20W (TC)
PMV31XN,215 NXP USA Inc. PMV31XN, 215 -
RFQ
 ECAD 2169 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV3 MOSFET (금속 (() SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 5.9A (TC) 2.5V, 4.5V 37mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 5.8 NC @ 4.5 v ± 12V 410 pf @ 20 v - 280MW (TJ)
TK2R4E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage tk2r4e08qm, s1x 3.1800
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSX-H 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 120A (TC) 6V, 10V 2.44mohm @ 50a, 10V 3.5v @ 2.2ma 178 NC @ 10 v ± 20V 13000 pf @ 40 v - 300W (TC)
IXFT14N100 IXYS IXFT14N100 -
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT14 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 14A (TC) 10V 750mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 360W (TC)
IXTK102N65X2 IXYS IXTK102N65X2 20.5500
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 ixys x2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK102 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 650 v 102A (TC) 10V 30mohm @ 51a, 10V 5V @ 250µA 152 NC @ 10 v ± 30V 10900 pf @ 25 v - 1040W (TC)
AOB66916L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB66916L 3.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB66916 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 35.5A (TA), 120A (TC) 6V, 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 6180 pf @ 50 v - 8.3W (TA), 277W (TC)
DMNH6042SPDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6042SPDQ-13 0.9700
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH6042 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 5.7A (TA), 24A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 5.1a, 10V 3V @ 250µA 8.8 NC @ 10 v ± 20V 584 pf @ 25 v - 1.2W (TA)
APT5518BFLLG Microsemi Corporation APT5518BFLLG -
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 550 v 31A (TC) 10V 180mohm @ 15.5a, 10V 5V @ 1MA 67 NC @ 10 v ± 30V 3286 pf @ 25 v - 403W (TC)
IRF634B-FP001 onsemi IRF634B-FP001 -
RFQ
 ECAD 8811 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF634 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 4.05a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 74W (TC)
5LN01C-TB-E onsemi 5LN01C-TB-E -
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 5LN01 MOSFET (금속 (() SC-59-3/CP3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 7.8ohm @ 50ma, 4v - 1.57 NC @ 10 v ± 10V 6.6 pf @ 10 v - 250MW (TA)
NDB7050 onsemi NDB7050 -
RFQ
 ECAD 1683 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB705 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 50 v 75A (TC) 13mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 115 NC @ 10 v 3600 pf @ 25 v -
FQH44N10-F133 onsemi FQH44N10-F133 -
RFQ
 ECAD 3098 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FQH44N10 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 100 v 48A (TC) 10V 39mohm @ 24a, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 25 v - 180W (TC)
FCPF400N60 onsemi FCPF400N60 3.1200
RFQ
 ECAD 816 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF400 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 400mohm @ 5a, 10V 3.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 25 v - 31W (TC)
SIHP17N60D-E3 Vishay Siliconix SIHP17N60D-E3 1.7493
RFQ
 ECAD 4844 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP17 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) SIHP17N60DE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 17A (TC) 10V 340mohm @ 8a, 10V 5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 30V 1780 pf @ 100 v - 277.8W (TC)
GT100N12K Goford Semiconductor GT100N12K 1.6700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 2,500 n 채널 120 v 65A (TC) 10V 12MOHM @ 35A, 10V 3.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2911 PF @ 60 v - 75W (TC)
BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC059N04LSGATMA1 1.0400
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC059 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 16A (TA), 73A (TC) 4.5V, 10V 5.9mohm @ 50a, 10V 2V @ 23µA 40 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
IRFI620 Vishay Siliconix IRFI620 -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI620 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFI620 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 4.1A (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 30W (TC)
TPCC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8067-H, LQ (s -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCC8067 MOSFET (금속 (() 8 1 3. (3.1x3.1) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 4.5a, 10V 2.3v @ 100µa 9.5 nc @ 10 v ± 20V 690 pf @ 10 v - 700MW (TA), 15W (TC)
BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC050N04LSGATMA1 0.9500
RFQ
 ECAD 117 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC050 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 18A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 50a, 10V 2V @ 27µA 47 NC @ 10 v ± 20V 3700 pf @ 20 v - 2.5W (TA), 57W (TC)
SIHB24N65ET1-GE3 Vishay Siliconix SIHB24N65ET1-GE3 3.7126
RFQ
 ECAD 2884 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIHB24 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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