SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
GSFKW0202 Good-Ark Semiconductor GSFKW0202 0.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 n 채널 20 v 2.5A (TA) 2.5V, 4.5V 70mohm @ 2.5a, 4.5v 1.1V @ 250µA 2.9 NC @ 10 v ± 10V 280 pf @ 10 v - 700MW (TA)
BUK9Y65-100E,115 NXP USA Inc. BUK9Y65-100E, 115 1.0000
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 19A (TC) 5V 63.3mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 14 nc @ 5 v ± 10V 1523 pf @ 25 v - 64W (TC)
DI050P03PT Diotec Semiconductor Di050p03pt 0.4905
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerQFN 3x3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-di050p03pttr 8541.29.0000 200,000 p 채널 50a 39W
SIHP22N60EL-GE3 Vishay Siliconix SIHP22N60EL-GE3 2.1903
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP22 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 21A (TC) 10V 197mohm @ 11a, 10V 5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 30V 1690 pf @ 100 v - 227W (TC)
YJS12N03A Yangjie Technology YJS12N03A 0.0980
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJS12N03ART 귀 99 4,000
YJJ3724A Yangjie Technology YJJ3724A 0.0740
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJJ3724AT 귀 99 3,000
IPD65R380E6 Infineon Technologies IPD65R380E6 1.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ E6 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 283 n 채널 650 v 10.6A (TC) 380mohm @ 3.2a, 10V 3.5V @ 320µA 39 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 83W (TC)
FCPF250N65S3R0L-F154 onsemi FCP250N65S3R0L-F154 3.4500
RFQ
 ECAD 930 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF250 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 12A (TJ) 10V 250mohm @ 6a, 10V 4.5V @ 290µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1010 pf @ 400 v - 31W (TC)
FDBL9406L-F085 onsemi FDBL9406L-F085 3.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL9406 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 43A (TA), 240A (TC) 4.5V, 10V 1.1mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 121 NC @ 10 v ± 20V 8600 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 300W (TC)
IRF6726MTRPBFTR International Rectifier IRF6726MTRPBFTR 1.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-IRF6726MTRPBFTR-600047 1 n 채널 30 v 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 32a, 10V 2.35V @ 150µA 77 NC @ 4.5 v ± 20V 6140 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRL540NL Infineon Technologies IRL540NL -
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL540NL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 4V, 10V 44mohm @ 18a, 10V 2V @ 250µA 74 NC @ 5 v ± 16V 1800 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 140W (TC)
STF11N60M2-EP STMicroelectronics STF11N60M2-EP 1.7700
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2-EP 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF11 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7.5A (TC) 10V 595mohm @ 3.75a, 10V 4.75V @ 250µA 12.4 NC @ 10 v ± 25V 390 pf @ 100 v - 25W (TC)
FQD9N25TM onsemi FQD9N25TM -
RFQ
 ECAD 5112 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD9N25 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 7.4A (TC) 10V 420mohm @ 3.7a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 55W (TC)
IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R190CFDXKSA2 4.0800
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R190 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 17.5A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4.5V @ 700µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 100 v - 151W (TC)
DMG4496SSSQ-13 Diodes Incorporated DMG4496SSSQ-13 0.1851
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4496 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMG4496SSSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 21.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 10.2 NC @ 10 v ± 25V 493.5 pf @ 15 v - 1.42W (TA)
SFU9024TU Fairchild Semiconductor SFU9024TU -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 7.8A (TC) 10V 280mohm @ 3.9a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 600 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 32W (TC)
IGT60R042D1ATMA1 Infineon Technologies IGT60R042D1ATMA1 14.8242
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 인피온 인피온 Coolgan ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 8-Powersfn Ganfet ((갈륨) PG-HSOF-8-3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 - 600 v - - - - - - -
SI7302DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7302DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 2381 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7302 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 220 v 8.4A (TC) 4.5V, 10V 320mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 645 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
SFP9540 Fairchild Semiconductor SFP9540 0.6100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 17A (TC) 10V 200mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1535 pf @ 25 v - 132W (TC)
2SK3065T100 Rohm Semiconductor 2SK3065T100 0.7600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SK3065 MOSFET (금속 (() MPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 60 v 2A (TA) 2.5V, 4V 320mohm @ 1a, 4v 1.5V @ 1mA ± 20V 160 pf @ 10 v - 500MW (TA)
AONT32136C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONT32136C 0.0998
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 AONT321 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-ant32136ctr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 8A (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 8a, 4.5v 1.25V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 12V 660 pf @ 10 v - 2.7W (TA)
IXTV30N60PS IXYS IXTV30N60PS -
RFQ
 ECAD 3021 0.00000000 ixys Polarhv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Plus-220SMD IXTV30 MOSFET (금속 (() Plus-220SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 240mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 30V 5050 pf @ 25 v - 540W (TC)
IXTA150N15X4 IXYS IXTA150N15X4 13.7900
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 ixys x4 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA150 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 150A (TC) 10V 6.9mohm @ 75a, 10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 25 v - 480W (TC)
IPI80N08S207AKSA1 Infineon Technologies IPI80N08S207AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRLR7821TRRPBF Infineon Technologies IRLR7821TRRPBF -
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 65A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1030 pf @ 15 v - 75W (TC)
VN10KN3-G-P013 Microchip Technology vn10kn3-g-p013 0.5400
RFQ
 ECAD 4269 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 vn10kn3 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 310MA (TJ) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 30V 60 pf @ 25 v - 1W (TC)
STP5NK80Z STMicroelectronics STP5NK80Z 2.3000
RFQ
 ECAD 5499 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP5NK80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 4.3A (TC) 10V 2.4ohm @ 2.15a, 10V 4.5V @ 100µa 45.5 nc @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 110W (TC)
UF3C170400B7S Qorvo UF3C170400B7S 7.7000
RFQ
 ECAD 475 0.00000000 Qorvo - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA UF3C170400 Sicfet (Cascode Sicjfet) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1700 v 7.6A (TC) 12V 515mohm @ 5a, 12v 6V @ 10MA 23.1 NC @ 15 v ± 25V 734 pf @ 1200 v - 100W (TC)
FQA35N40 Fairchild Semiconductor FQA35N40 4.4800
RFQ
 ECAD 197 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 400 v 35A (TC) 10V 105mohm @ 17.5a, 10V 5V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 30V 5600 pf @ 25 v - 310W (TC)
IRFR1219A Harris Corporation IRFR1219A 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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