전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP60R099C7XKSA1 | 6.2800 | ![]() | 5288 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ C7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP60R099 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 22A (TC) | 10V | 99mohm @ 9.7a, 10V | 4V @ 490µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 1819 pf @ 400 v | - | 110W (TC) | ||
![]() | FQPF14N15 | - | ![]() | 9548 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF1 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 150 v | 9.8A (TC) | 10V | 210mohm @ 4.9a, 10V | 4V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 25V | 715 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | |||
![]() | nthd5904nt3g | - | ![]() | 1670 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | nthd59 | MOSFET (금속 (() | Chipfet ™ | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3.3a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 465 pf @ 16 v | - | 640MW (TA) | |||
![]() | DKI04035 | - | ![]() | 7722 | 0.00000000 | 산켄 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 48A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 51a, 10V | 2.5V @ 1mA | 63.2 NC @ 10 v | ± 20V | 3910 pf @ 25 v | - | 61W (TC) | ||||
![]() | IXFX32N50Q | - | ![]() | 8455 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXFX32 | MOSFET (금속 (() | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 500 v | 32A (TC) | 10V | 160mohm @ 16a, 10V | 4.5V @ 4mA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 3950 pf @ 25 v | - | 416W (TC) | ||||
![]() | SI3474DV-T1-BE3 | 0.4400 | ![]() | 6956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 2.8A (TA), 3.8A (TC) | 4.5V, 10V | 126MOHM @ 2A, 10V | 3V @ 250µA | 10.4 NC @ 10 v | ± 20V | 196 pf @ 50 v | - | 2W (TA), 3.6W (TC) | |||||
![]() | NVMFS5C604NLAFT1G | 6.1700 | ![]() | 3718 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 287A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 52 NC @ 4.5 v | ± 20V | 8900 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||
![]() | IPC302N15N3X1SA1 | 3.6657 | ![]() | 5035 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | - | 표면 표면 | 주사위 | IPC302N | MOSFET (금속 (() | 호일에 호일에 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 150 v | 1A (TJ) | 10V | 100mohm @ 2a, 10V | 4V @ 270µA | - | - | - | ||||
![]() | zxm66n03n8ta | - | ![]() | 9602 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | Digi-Reel® | 쓸모 쓸모 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 15mohm @ 7.3a, 10V | 1V @ 250µA | - | |||||||||
![]() | TSM2303CX RFG | - | ![]() | 9737 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2303 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 1.3A (TA) | 4.5V, 10V | 180mohm @ 1.3a, 10V | 3V @ 250µA | 3.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 565 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | ||
![]() | DMN3009LFVW-13 | 0.2200 | ![]() | 3060 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | DMN3009 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 20V | 2000 pf @ 15 v | - | 1W (TA) | ||
![]() | 2SK3480-AZ | - | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 2SK3480 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 25a, 10V | - | 74 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 10 v | - | 1.5W (TA), 84W (TC) | ||
![]() | SI3460DV-T1-E3 | - | ![]() | 7192 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3460 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 5.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5v | 450mv @ 1ma (min) | 20 nc @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||
![]() | ZVN4424ASTOA | - | ![]() | 5815 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 240 v | 260MA (TA) | 2.5V, 10V | 5.5ohm @ 500ma, 10V | 1.8V @ 1mA | ± 40V | 200 pf @ 25 v | - | 750MW (TA) | |||||
![]() | 2N7002KCX | 0.0310 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 2N7002 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-2n7002kcxtr | 귀 99 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | NDD02N40T4G | - | ![]() | 1978 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NDD02 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 400 v | 1.7A (TC) | 10V | 5.5ohm @ 220ma, 10V | 2V @ 250µA | 5.5 nc @ 10 v | ± 20V | 121 pf @ 25 v | - | 39W (TC) | |||
![]() | FQP44N08 | - | ![]() | 6825 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FQP4 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 80 v | 44A (TC) | 10V | 34mohm @ 22a, 10V | 4V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 25V | 1430 pf @ 25 v | - | 127W (TC) | |||
![]() | irl3103L | - | ![]() | 5856 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL3103L | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 64A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 1V @ 250µA | 33 NC @ 4.5 v | ± 16V | 1650 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | ||
![]() | DMNH3010LK3-13 | 0.3197 | ![]() | 3705 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DMNH3010 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 15A (TA), 55A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 18a, 10V | 2.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 2075 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||
![]() | IRF720SPBF | 1.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF720 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRF720SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 400 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 410 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||
![]() | NTMTS001N06CTXG | 11.1800 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NTMTS001 | MOSFET (금속 (() | 8-DFNW (8.3x8.4) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 53.7a (TA), 376A (TC) | 10V | 0.91mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 113 NC @ 10 v | ± 20V | 8705 pf @ 30 v | - | 5W (TA), 244W (TC) | ||
![]() | fqpf10n50cf | 1.3500 | ![]() | 67 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | FRFET® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 223 | n 채널 | 500 v | 10A (TC) | 10V | 610mohm @ 5a, 10V | 4V @ 250µA | 56 NC @ 10 v | ± 30V | 2096 pf @ 25 v | - | 48W (TC) | ||||||
![]() | IRFR130ATM | - | ![]() | 6322 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFR1 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 13A (TC) | 10V | 110mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 41W (TC) | |||
![]() | NP89N04puk-e1-ay | - | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Renesas | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-3 | - | 2156-np89n04puk-e1-ay | 1 | n 채널 | 40 v | 90A (TC) | 10V | 2.95mohm @ 45a, 5V | 4V @ 250µA | 102 NC @ 10 v | ± 20V | 5850 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 147W (TC) | |||||||
![]() | IPSA70R1K4CEAKMA1 | - | ![]() | 3917 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPSA70 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001605398 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 700 v | 5.4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 100µA | 10.5 nc @ 10 v | ± 20V | 225 pf @ 100 v | - | 53W (TC) | |
![]() | FDC655BN_NBNN007 | - | ![]() | 8529 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | FDC655 | MOSFET (금속 (() | SUPERSOT ™ -6 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.3A (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 6.3a, 10V | 3V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 15 v | - | 800MW | |||
![]() | FQP20N06TSTU | - | ![]() | 4448 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 10V | 60mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 25V | 590 pf @ 25 v | - | 53W (TC) | |||
![]() | irliz24g | - | ![]() | 9071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | irliz24 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | *irliz24g | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 14A (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 8.4a, 5V | 2V @ 250µA | 18 nc @ 5 v | ± 10V | 870 pf @ 25 v | - | 37W (TC) | ||
![]() | STF11N52K3 | - | ![]() | 6959 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF11 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 525 v | 10A (TC) | 10V | 510mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 51 NC @ 10 v | ± 30V | 1400 pf @ 50 v | - | 30W (TC) | ||
![]() | IAUCN04S7N004ATMA1 | 1.8931 | ![]() | 4039 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-53 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 175a | 7V, 10V | 0.44mohm @ 88a, 10V | 3V @ 130µA | 169 NC @ 10 v | ± 20V | 11310 pf @ 20 v | - | 219W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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