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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | rjk1001dpp-e0#t2 | - |  | 5749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 100 v | 80A (TA) | 10V | 5.5mohm @ 40a, 10V | - | 147 NC @ 10 v | ± 20V | 10000 pf @ 10 v | - | 30W (TC) | |||
 | STF13N95K3 | 6.3500 | | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF13 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 950 v | 10A (TC) | 10V | 850mohm @ 5a, 10V | 5V @ 100µa | 51 NC @ 10 v | ± 30V | 1620 pf @ 100 v | - | 40W (TC) | ||
 | NVMFS5C442NLWFT3G | - | | 7873 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 27A (TA), 127A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 50a, 10V | 2V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 83W (TC) | ||
 | IPB03N03LA g | - | | 2242 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB03N | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 25 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 55a, 10V | 2V @ 100µa | 57 NC @ 5 v | ± 20V | 7027 pf @ 15 v | - | 150W (TC) | |||
 | DMN53D0LQ-13 | 0.0491 | | 6290 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN53 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 50 v | 500MA (TA) | 2.5V, 10V | 1.6ohm @ 500ma, 10V | 1.5V @ 250µA | 0.6 nc @ 4.5 v | ± 20V | 46 pf @ 25 v | - | 370MW (TA) | ||
 | 2SK3906 (Q) | - | | 5343 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | 2SK3906 | MOSFET (금속 (() | TO-3P (N) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20A (TA) | 10V | 330mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 4250 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||||
| 2N7002AQ-7 | 0.2900 | | 271 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 180MA (TA) | 5V | 5ohm @ 115ma, 10V | 2V @ 250µA | ± 20V | 23 pf @ 25 v | - | 370MW (TA) | |||
 | IRF3704LPBF | - | | 5267 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF3704LPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 20 v | 77A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 3V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1996 PF @ 10 v | - | 87W (TC) | |||
 | zvp4105astob | - | | 8675 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | p 채널 | 50 v | 175MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 1mA | ± 20V | 40 pf @ 25 v | - | 625MW (TA) | |||||
 | AOB66920L | 2.4100 | | 1 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB66920 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 22.5A (TA), 80A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 50 nc @ 10 v | ± 20V | 2500 pf @ 50 v | - | 8.3W (TA), 100W (TC) | ||
 | SI7860ADP-T1-GE3 | - | | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7860 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 16a, 10V | 3V @ 250µA | 18 nc @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.8W (TA) | |||
 | IPZA65R029CFD7XKSA1 | 15.4500 | | 230 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | CoolMOS ™ CFD7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IPZA65 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-4-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 69A (TC) | 10V | 29mohm @ 35.8a, 10V | 4.5V @ 1.79ma | 145 NC @ 10 v | ± 20V | 7149 pf @ 400 v | - | 305W (TC) | ||
 | irfrc20trrpbf | 0.8236 | | 6797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | IPB034N06N3G | 0.8800 | | 3 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Optimos ™ 3 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | PG-to263-7-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 10V | 3.4mohm @ 100a, 10V | 4V @ 93µA | 130 NC @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 30 v | - | 167W (TC) | |||
 | IRL540 | - | | 6749 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRL540 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL540 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 28A (TC) | 4V, 5V | 77mohm @ 17a, 5V | 2V @ 250µA | 64 NC @ 5 v | ± 10V | 2200 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | |
 | SI8465DB-T2-E1 | 0.4500 | | 90 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8465 | MOSFET (금속 (() | 4 마이크로 푸드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 2.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 104mohm @ 1.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 12V | 450 pf @ 10 v | - | 780MW (TA), 1.8W (TC) | ||
 | IPI90N06S4L04AKSA1 | - | | 4281 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI90N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 60 v | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 90a, 10V | 2.2V @ 90µA | 170 nc @ 10 v | ± 16V | 13000 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||
 | SIAA00DJ-T1-GE3 | 0.6800 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SC-70-6 | SIAA00 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 20.1A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | +16V, -12V | 1090 pf @ 12.5 v | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||
 | BUK655R0-75C, 127 | - | | 9580 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | buk65 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 75 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 25a, 10V | 2.8V @ 1MA | 177 NC @ 10 v | ± 16V | 11400 pf @ 25 v | - | 263W (TC) | ||
 | IXFN110N85X | 65.6500 | | 3170 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra x | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN110 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 850 v | 110A (TC) | 10V | 33mohm @ 55a, 10V | 5.5V @ 8mA | 425 NC @ 10 v | ± 30V | 17000 pf @ 25 v | - | 1170W (TC) | ||
| BUK752R7-30B, 127 | - | | 2919 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK75 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 10V | 2.7mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 91 NC @ 10 v | ± 20V | 6212 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
 | STB50NE10T4 | - | | 8373 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STB50N | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 10V | 27mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 166 NC @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 25 v | - | 180W (TC) | ||
 | SIHFL110TR-BE3 | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | SIHFL110 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | 1 (무제한) | 742-SIHFL110TR-BE3TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 1.5A (TC) | 540mohm @ 900ma, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | IXTV280N055T | - | | 4529 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3,-탭 | IXTV280 | MOSFET (금속 (() | Plus220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 280A (TC) | 10V | 3.2mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 9800 pf @ 25 v | - | 550W (TC) | |||
 | FDP8D5N10C | 2.8900 | | 1777 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP8D5 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-FDP8D5N10C-488 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 76A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 76a, 10V | 4V @ 130µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 2475 pf @ 50 v | - | 2.4W (TA), 107W (TC) | |
 | SPD30N03S2L-07 | - | | 3057 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | spd30n | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 30a, 10V | 2V @ 85µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 2530 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||
 | IRFL31N20D | - | | 7631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | - | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFL31 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFL31N20D | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 31A (TA) | - | - | - | - | |||||
 | IPC60R165CPX1SA4 | 2.4628 | | 1040 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | IPC60 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP000482544 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||
 | IXFH4N100Q | - | | 3313 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Q 클래스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH4 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 4A (TC) | 10V | 3ohm @ 2a, 10V | 5V @ 1.5MA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 1050 pf @ 25 v | - | 150W (TC) | ||
 | STW24N60DM2 | 5.1500 | | 14 | 0.00000000 | stmicroelectronics | FDMESH ™ II 플러스 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW24 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 200mohm @ 9a, 10V | 5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 25V | 1055 pf @ 100 v | - | 150W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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