SIC
close

단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SIJA52ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sija52adp-t1-ge3 1.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sija52 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 41.6A (TA), 131A (TC) 4.5V, 10V 1.63mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 100 nc @ 10 v +20V, -16V 5500 pf @ 20 v - 4.8W (TA), 48W (TC)
IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies IPP65R190CFDXKSA2 4.0800
RFQ
 ECAD 8052 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R190 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 17.5A (TC) 10V 190mohm @ 7.3a, 10V 4.5V @ 700µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 100 v - 151W (TC)
MCB200N06YA-TP Micro Commercial Co MCB200N06YA-TP 2.0200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MCB200N06 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 200a 6V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 3.8V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4165 pf @ 25 v - 260W (TJ)
18N10 Goford Semiconductor 18n10 0.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 25A 53mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1318 pf @ 50 v 62.5W
SQRS140ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQRS140ELP-T1_GE3 2.6800
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® geniv 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8SW - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000 n 채널 40 v 504A (TC) 4.5V, 10V 600µohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 294 NC @ 10 v ± 20V 15398 pf @ 25 v - 266W (TC)
AO7410 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7410 0.1253
RFQ
 ECAD 1989 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 AO741 MOSFET (금속 (() SC-70-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.7A (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 1.7a, 10V 1.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 12V 285 pf @ 15 v - 350MW (TA)
APT31N80JC3 Microsemi Corporation APT31N80JC3 -
RFQ
 ECAD 3316 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 800 v 31A (TC) 10V 145mohm @ 22a, 10V 3.9V @ 2MA 355 NC @ 10 v ± 20V 4510 pf @ 25 v - 833W (TC)
IPB60R080P7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1 5.9900
RFQ
 ECAD 6618 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R080 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 80mohm @ 11.8a, 10V 4V @ 590µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2180 pf @ 400 v - 129W (TC)
IXFT80N30P3 IXYS ixft80n30p3 -
RFQ
 ECAD 1165 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 IXFT80 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
AON7526 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7526 -
RFQ
 ECAD 8801 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. * 대부분 쓸모 쓸모 Aon75 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
NDS331N_D87Z onsemi NDS331N_D87Z -
RFQ
 ECAD 2643 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NDS331 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.3A (TA) 2.7V, 4.5V 160mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 5 nc @ 4.5 v ± 8V 162 pf @ 10 v - 500MW (TA)
IRFR9020TR Vishay Siliconix irfr9020tr -
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 50 v 9.9A (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRFPC50PBF Vishay Siliconix IRFPC50PBF 6.4000
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPC50 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFPC50PBF 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 600mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 180W (TC)
IRF3711ZCL Infineon Technologies IRF3711ZCL -
RFQ
 ECAD 9668 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3711ZCL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
SI4322DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4322DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7011 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4322 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 1640 pf @ 15 v - 3.1W (TA), 5.4W (TC)
AO4578 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4578 -
RFQ
 ECAD 2385 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO45 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TA) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1128 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
IRF7834TRPBF Infineon Technologies IRF7834TRPBF -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 19A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 19a, 10V 2.25V @ 250µA 44 NC @ 4.5 v ± 20V 3710 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
BUK95150-55A,127 NXP USA Inc. BUK95150-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk95 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 13A (TC) 4.5V, 10V 137mohm @ 13a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 339 pf @ 25 v - 53W (TC)
IRFR3706TRR Infineon Technologies irfr3706trr -
RFQ
 ECAD 3786 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2410 pf @ 10 v - 88W (TC)
FDZ208P onsemi FDZ208P -
RFQ
 ECAD 1521 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 30-WFBGA FDZ20 MOSFET (금속 (() 30-bga (4x3.5) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 12.5a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 25V 2409 pf @ 15 v - 2.2W (TA)
AON7460 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7460 0.3505
RFQ
 ECAD 4162 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn AON746 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 300 v 1.2A (TA), 4A (TC) 10V 830mohm @ 1.2a, 10V 4.5V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 33W (TC)
BSC883N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC883N03LSGATMA1 -
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC883 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 34 v 17A (TA), 98A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 57W (TC)
SIB417EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB417EDK-T1-GE3 0.3969
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB417 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 8 v 9A (TC) 1.2V, 4.5V 58mohm @ 5.8a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 5 v ± 5V 565 pf @ 4 v - 2.4W (TA), 13W (TC)
PMV16UN,215 NXP USA Inc. PMV16UN, 215 -
RFQ
 ECAD 9100 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV1 MOSFET (금속 (() SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TA) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 5.8a, 4.5v 1V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 8V 670 pf @ 10 v - 510MW (TA)
NTMFS4847NT3G onsemi NTMFS4847NT3G -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 11.5A (TA), 85A (TC) 4.5V, 11.5V 4.1MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 16V 2614 pf @ 12 v - 880MW (TA), 48.4W (TC)
PJP60R190E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R190E_T0_00001 1.5046
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R190E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.1A (TA), 20A (TC) 10V 196MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 1421 pf @ 25 v - 2W (TA), 231W (TC)
IRFS7434-7PPBF Infineon Technologies IRFS7434-7PPBF -
RFQ
 ECAD 4932 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576182 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 240A (TC) 6V, 10V 1MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 315 NC @ 10 v ± 20V 10250 pf @ 25 v - 245W (TC)
IRFU3418PBF Infineon Technologies IRFU3418PBF -
RFQ
 ECAD 7533 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU3418PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 80 v 70A (TC) 10V 14mohm @ 18a, 10V 5.5V @ 250µA 94 NC @ 10 v ± 20V 3510 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 140W (TC)
IXFV52N30P IXYS ixfv52n30p -
RFQ
 ECAD 3164 0.00000000 ixys Polarht ™ Hiperfet ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV52 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 52A (TC) 10V 66MOHM @ 500MA, 10V 5V @ 4MA 110 NC @ 10 v ± 20V 3490 pf @ 25 v - 400W (TC)
FDFMA2P029Z onsemi FDFMA2P029Z -
RFQ
 ECAD 4081 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDFMA2 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.1A (TA) 2.5V, 4.5V 95mohm @ 3.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 12V 720 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TJ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다