SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FDMC7672 Fairchild Semiconductor FDMC7672 0.4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench®, SyncFet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 715 n 채널 30 v 16.9A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 16.9a, 10V 3V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3890 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 33W (TC)
IPB04N03LAT Infineon Technologies IPB04N03LAT 1.2000
RFQ
 ECAD 512 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB04N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 55a, 10V 2V @ 60µA 32 NC @ 5 v ± 20V 3877 pf @ 15 v - 107W (TC)
IQE220N15NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQE220N15NM5CGATMA1 1.4849
RFQ
 ECAD 6350 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 9-powertdfn IQE220N15 MOSFET (금속 (() PG-TTFN-9-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 150 v 44A (TC) 10V 22mohm @ 16a, 10V 4.6V @ 46µA 18.3 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 75 v - 2.5W (TA), 100W (TC)
IRFPE30 Vishay Siliconix IRFPE30 -
RFQ
 ECAD 9379 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFPE30 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFPE30 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIDR622DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-RE3 2.5200
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 1 (무제한) 742-SIDR622DP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 64.6A (TA), 56.7A (TC) 7.5V, 10V 17.7mohm @ 20a, 10V 4.5V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 1516 pf @ 75 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7461DP-T1-GE3 2.4000
RFQ
 ECAD 6795 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7461 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8.6A (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 14.4a, 10V 3V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
IRF1104LPBF Infineon Technologies IRF1104LPBF 0.4700
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TC) 9mohm @ 60a, 10V 4V @ 250µA 93 NC @ 10 v 2900 pf @ 25 v -
RSF014N03TL Rohm Semiconductor RSF014N03TL 0.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 RSF014 MOSFET (금속 (() tumt3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.4A (TA) 4V, 10V 240mohm @ 1.4a, 10V 2.5V @ 1mA 2 nc @ 5 v 20V 70 pf @ 10 v - 800MW (TA)
IRFL210TRPBF Vishay Siliconix irfl210trpbf 0.8800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRFL210 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 960MA (TC) 10V 1.5ohm @ 580ma, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2W (TA), 3.1W (TC)
STW19NM50N STMicroelectronics STW19NM50N 6.9300
RFQ
 ECAD 376 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW19 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 14A (TC) 10V 250mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 25V 1000 pf @ 50 v - 110W (TC)
NTLJD3182FZTBG onsemi NTLJD3182FZTBG -
RFQ
 ECAD 2039 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 NTLJD31 MOSFET (금속 (() 6-wdfn (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.2A (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 8V 450 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 710MW (TA)
UPA2816T1S-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2816T1S-E2-AT 0.5301
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn UPA2816 MOSFET (금속 (() 8-HWSON (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1161-UPA2816T1S-E2-ATCT 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 17A (TC) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 17a, 10V - 33.4 NC @ 10 v +20V, -25V 1160 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
NTMFS5C646NLT3G onsemi NTMFS5C646NLT3G 1.1506
RFQ
 ECAD 1804 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 20A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 2164 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099P7XKSA1 5.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 31A (TC) 10V 99mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 530µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1952 pf @ 400 v - 117W (TC)
PXP020-20QXJ Nexperia USA Inc. PXP020-20QXJ 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA), 23.5A (TC) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 7.7a, 4.5v 1.25V @ 250µA 29.1 NC @ 4.5 v ± 12V 1900 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 15W (TC)
SI5853DDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5853DDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7426 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5853 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TC) 1.8V, 4.5V 105mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 8 v ± 8V 320 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA), 3.1W (TC)
BUK9624-55A118 NXP USA Inc. BUK9624-55A118 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 515
SISS10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss10dn-t1-ge3 1.0200
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS10 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.65mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v +20V, -16V 3750 pf @ 20 v - 57W (TC)
AOWF10N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF10N60 0.8328
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA AOWF10 MOSFET (금속 (() TO-262F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 25W (TC)
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W, S5X 6.5000
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK35A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 35A (TA) 10V 80mohm @ 17.5a, 10V 3.5v @ 2.1ma 100 nc @ 10 v ± 30V 4100 pf @ 300 v - 50W (TC)
IPP90N06S4L04AKSA2 Infineon Technologies IPP90N06S4L04AKSA2 -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP90N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001028752 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 90µA 170 nc @ 10 v ± 16V 13000 pf @ 25 v - 150W (TC)
EPC2020 EPC EPC2020 7.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EPC Egan® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 EPC20 Ganfet ((갈륨) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 500 n 채널 60 v 90A (TA) 5V 2.2mohm @ 31a, 5V 2.5V @ 16MA 16 nc @ 5 v +6V, -4V 1780 pf @ 30 v - -
ZVN3310ASTOB Diodes Incorporated zvn3310astob -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 100 v 200MA (TA) 10V 10ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 25 v - 625MW (TA)
STB28N65M2 STMicroelectronics STB28N65M2 3.7000
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB28 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 25V 1440 pf @ 100 v - 170W (TC)
IRF2907ZS-7PPBF Infineon Technologies IRF2907ZS-7PPBF -
RFQ
 ECAD 9770 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 160A (TC) 10V 3.8mohm @ 110a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 7580 pf @ 25 v - 300W (TC)
NDB7050L onsemi NDB7050L -
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB705 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 50 v 75A (TC) 15mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250µA 115 NC @ 5 v 4000 pf @ 25 v -
IRFU210 Vishay Siliconix IRFU210 -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU2 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU210 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF6662TR1PBF Infineon Technologies irf6662tr1pbf -
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mz 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 8.3A (TA), 47A (TC) 10V 22mohm @ 8.2a, 10V 4.9V @ 100µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
DMN30H4D1S-7 Diodes Incorporated DMN30H4D1S-7 -
RFQ
 ECAD 5660 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN30 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN30H4D1S-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 300 v 430MA (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 4.8 NC @ 10 v ± 20V 174 pf @ 25 v - 360MW (TA)
NP180N04TUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP180N04TUG-e1-ay -
RFQ
 ECAD 2840 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 180A (TC) 10V 1.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 250µA 390 NC @ 10 v ± 20V 25700 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 288W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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