SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
TPCA8120,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8120, LQ (cm -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn TPCA8120 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 45A (TA) 4.5V, 10V 3MOHM @ 22.5A, 10V 2V @ 1mA 190 NC @ 10 v +20V, -25V 7420 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 45W (TC)
IRF1010Z Infineon Technologies IRF1010Z -
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF1010Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 2840 pf @ 25 v - 140W (TC)
TPC8067-H,LQ(S Toshiba Semiconductor and Storage TPC8067-H, LQ (s -
RFQ
 ECAD 9337 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPC8067 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 4.5a, 10V 2.3v @ 100µa 9.5 nc @ 10 v ± 20V 690 pf @ 10 v - 1W (TA)
NX7002AK215 NXP Semiconductors NX7002AK215 -
RFQ
 ECAD 3044 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - 2156-NX7002AK215 1 n 채널 60 v 190ma (TA), 300MA (TC) 5V, 10V 4.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.43 nc @ 4.5 v ± 20V 20 pf @ 10 v - 265MW (TA), 1.33W (TC)
IXFT50N60P3-TRL IXYS ixft50n60p3-trl 8.7704
RFQ
 ECAD 4885 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT50 MOSFET (금속 (() TO-268 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXFT50N60P3-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 600 v 50A (TC) 10V 145mohm @ 25a, 10V 5V @ 4MA 94 NC @ 10 v ± 30V 6300 pf @ 25 v - 1.04kW (TC)
2N7002E-7-F Diodes Incorporated 2N7002E-7-F 0.2800
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.22 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
IRLI3705NPBF International Rectifier IRLI3705NPBF -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 - 2156-irli3705npbf 1 n 채널 55 v 52A (TC) 4V, 10V 10mohm @ 28a, 10V 2V @ 250µA 98 NC @ 5 v ± 16V 3600 pf @ 25 v - 58W (TC)
AOT10T60L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10T60L -
RFQ
 ECAD 7918 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1635-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 700mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1346 PF @ 100 v - 208W (TC)
TP65H015G5WS Transphorm TP65H015G5WS 33.5400
RFQ
 ECAD 274 0.00000000 반죽 Supergan ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 Ganfet ((갈륨) TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 1707-TP65H015G5WS 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 93A (TC) 10V 18mohm @ 60a, 10V 4.8V @ 2MA 100 nc @ 10 v ± 20V 5218 pf @ 400 v - 266W (TC)
FDD8870-F085 onsemi FDD8870-F085 -
RFQ
 ECAD 3431 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD887 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 118 NC @ 10 v ± 20V 5160 pf @ 15 v - 160W (TC)
SIHF15N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHF15N65E-GE3 1.9257
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHF15 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 1640 pf @ 100 v - 34W (TC)
FQP85N06 Fairchild Semiconductor FQP85N06 -
RFQ
 ECAD 8435 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 60 v 85A (TC) 10V 10mohm @ 42.5a, 10V 4V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 25V 4120 pf @ 25 v - 160W (TC)
SIHP35N60E-GE3 Vishay Siliconix SIHP35N60E-GE3 3.1987
RFQ
 ECAD 8954 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SIHP35 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 32A (TC) 10V 94mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 132 NC @ 10 v ± 30V 2760 pf @ 100 v - 250W (TC)
IPW60R040C7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R040C7XKSA1 14.2100
RFQ
 ECAD 412 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R040 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 50A (TC) 10V 40mohm @ 24.9a, 10V 4V @ 1.24ma 107 NC @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 400 v - 227W (TC)
IPB14N03LA Infineon Technologies IPB14N03LA -
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB14N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 30A, 10V 2V @ 20µA 8.3 NC @ 5 v ± 20V 1043 pf @ 15 v - 46W (TC)
2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2SK3541T2L 0.4700
RFQ
 ECAD 92 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 2SK3541 MOSFET (금속 (() VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 8ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa ± 20V 13 pf @ 5 v - 150MW (TA)
2SJ557(0)T1B-AT Renesas Electronics America Inc 2SJ557 (0) T1B-AT 0.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
IXTA3N100D2HV-TRL IXYS IXTA3N100D2HV-TRL 3.4518
RFQ
 ECAD 4915 0.00000000 ixys 고갈 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA3 MOSFET (금속 (() TO-263HV - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA3N100D2HV-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 1000 v 3A (TJ) 0V 6ohm @ 1.5a, 0v 4.5V @ 250µA 37.5 nc @ 5 v ± 20V 1020 pf @ 25 v 고갈 고갈 125W (TC)
SPP04N60S5BKSA1 Infineon Technologies SPP04N60S5BKSA1 -
RFQ
 ECAD 6159 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP04N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200µA 22.9 NC @ 10 v ± 20V 580 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRF540ZSTRR Infineon Technologies IRF540ZSTRR -
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
STULED623 STMicroelectronics stuled623 -
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA stuled623 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 620 v 3A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 50µA 15.5 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 50 v - 45W (TC)
DMP4011SPS-13 Diodes Incorporated DMP4011SPS-13 0.6520
RFQ
 ECAD 4077 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP4011 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMP4011SPS-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 11.7A (TA), 76A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2747 pf @ 20 v - 1.3W (TA)
IXTX17N120L IXYS IXTX17N120L 41.4727
RFQ
 ECAD 4561 0.00000000 ixys 선의 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 IXTX17 MOSFET (금속 (() Plus247 ™ -3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 17A (TC) 20V 900mohm @ 8.5a, 20V 5V @ 250µA 155 nc @ 15 v ± 30V 8300 pf @ 25 v - 700W (TC)
RJ1L12BGNTLL Rohm Semiconductor rj1l12bgntll 6.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RJ1L12 MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 120A (TA) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 500µA 175 NC @ 10 v ± 20V 9000 pf @ 30 v - 192W (TA)
FDMC86102 onsemi FDMC86102 2.2700
RFQ
 ECAD 2256 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMC86 MOSFET (금속 (() Power33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 7A (TA), 20A (TC) 6V, 10V 24mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 965 pf @ 50 v - 2.3W (TA), 41W (TC)
PMV62XN,215 NXP USA Inc. PMV62XN, 215 -
RFQ
 ECAD 7380 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 pmv6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934066503215 귀 99 8541.29.0095 3,000
IRF9510STRLPBF Vishay Siliconix irf9510strlpbf 1.7000
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
NVMFS5C430NLT3G onsemi NVMFS5C430NLT3G -
RFQ
 ECAD 5162 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 200a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 4300 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
NVMTS0D6N04CLTXG onsemi NVMTS0D6N04CLTXG 8.4200
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) - - NVMTS0 MOSFET (금속 (() - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 78.9A (TA), 554.5A (TC) 4.5V, 10V 0.42mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 265 NC @ 10 v ± 20V 16013 PF @ 20 v - 5W (TA), 245W (TC)
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies IPD60R1K5PFD7SAUMA1 0.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ PFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3-344 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 169 pf @ 400 v - 22W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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