SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
UPA2816T1S-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2816T1S-E2-AT 0.5301
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn UPA2816 MOSFET (금속 (() 8-HWSON (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1161-UPA2816T1S-E2-ATCT 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 17A (TC) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 17a, 10V - 33.4 NC @ 10 v +20V, -25V 1160 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
NTMFS5C646NLT3G onsemi NTMFS5C646NLT3G 1.1506
RFQ
 ECAD 1804 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 20A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 2164 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 79W (TC)
IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099P7XKSA1 5.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 31A (TC) 10V 99mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 530µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1952 pf @ 400 v - 117W (TC)
PXP020-20QXJ Nexperia USA Inc. PXP020-20QXJ 0.5500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA), 23.5A (TC) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 7.7a, 4.5v 1.25V @ 250µA 29.1 NC @ 4.5 v ± 12V 1900 pf @ 10 v - 1.7W (TA), 15W (TC)
SI5853DDC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5853DDC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7426 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5853 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TC) 1.8V, 4.5V 105mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 8 v ± 8V 320 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.3W (TA), 3.1W (TC)
BUK9624-55A118 NXP USA Inc. BUK9624-55A118 0.6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0095 515
SISS10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix siss10dn-t1-ge3 1.0200
RFQ
 ECAD 5890 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8S SISS10 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 4.5V, 10V 2.65mohm @ 15a, 10V 2.4V @ 250µA 75 NC @ 10 v +20V, -16V 3750 pf @ 20 v - 57W (TC)
AOWF10N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF10N60 0.8328
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA AOWF10 MOSFET (금속 (() TO-262F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10V 4.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 25W (TC)
TK35A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK35A65W, S5X 6.5000
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK35A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 35A (TA) 10V 80mohm @ 17.5a, 10V 3.5v @ 2.1ma 100 nc @ 10 v ± 30V 4100 pf @ 300 v - 50W (TC)
IPP90N06S4L04AKSA2 Infineon Technologies IPP90N06S4L04AKSA2 -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP90N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001028752 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 90A (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 90a, 10V 2.2V @ 90µA 170 nc @ 10 v ± 16V 13000 pf @ 25 v - 150W (TC)
EPC2020 EPC EPC2020 7.8700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EPC Egan® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 EPC20 Ganfet ((갈륨) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 500 n 채널 60 v 90A (TA) 5V 2.2mohm @ 31a, 5V 2.5V @ 16MA 16 nc @ 5 v +6V, -4V 1780 pf @ 30 v - -
ZVN3310ASTOB Diodes Incorporated zvn3310astob -
RFQ
 ECAD 4940 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 100 v 200MA (TA) 10V 10ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 25 v - 625MW (TA)
STB28N65M2 STMicroelectronics STB28N65M2 3.7000
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ M2 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB28 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 25V 1440 pf @ 100 v - 170W (TC)
IRF2907ZS-7PPBF Infineon Technologies IRF2907ZS-7PPBF -
RFQ
 ECAD 9770 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 160A (TC) 10V 3.8mohm @ 110a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 7580 pf @ 25 v - 300W (TC)
NDB7050L onsemi NDB7050L -
RFQ
 ECAD 2815 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB705 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 50 v 75A (TC) 15mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250µA 115 NC @ 5 v 4000 pf @ 25 v -
IRFU210 Vishay Siliconix IRFU210 -
RFQ
 ECAD 2611 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU2 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU210 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF6662TR1PBF Infineon Technologies irf6662tr1pbf -
RFQ
 ECAD 9110 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mz MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mz 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 8.3A (TA), 47A (TC) 10V 22mohm @ 8.2a, 10V 4.9V @ 100µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 25 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
DMN30H4D1S-7 Diodes Incorporated DMN30H4D1S-7 -
RFQ
 ECAD 5660 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN30 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN30H4D1S-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 300 v 430MA (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 4.8 NC @ 10 v ± 20V 174 pf @ 25 v - 360MW (TA)
NP180N04TUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP180N04TUG-e1-ay -
RFQ
 ECAD 2840 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() TO-263-7 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 180A (TC) 10V 1.5mohm @ 90a, 10V 4V @ 250µA 390 NC @ 10 v ± 20V 25700 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 288W (TC)
IPB100N06S205ATMA1 Infineon Technologies IPB100N06S205ATMA1 -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB100N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 100A (TC) 10V 4.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 5110 pf @ 25 v - 300W (TC)
DMP2900UW-7 Diodes Incorporated DMP2900UW-7 0.0622
RFQ
 ECAD 1588 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMP2900 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2900UW-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 600MA (TA) 1.8V, 4.5V 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 6V 49 pf @ 16 v - 300MW
FQD2P40TF onsemi FQD2P40TF -
RFQ
 ECAD 5223 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 400 v 1.56A (TC) 10V 6.5ohm @ 780ma, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 38W (TC)
IPP06CN10LGXKSA1 Infineon Technologies IPP06CN10LGXKSA1 -
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP06C MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 100A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 100A, 10V 2.4V @ 180µA 124 NC @ 10 v ± 20V 11900 pf @ 50 v - 214W (TC)
IRFU2905ZPBF Infineon Technologies IRFU2905ZPBF -
RFQ
 ECAD 4622 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
FDS8882 onsemi FDS8882 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS88 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 940 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
ZXMN3A02X8TC Diodes Incorporated ZXMN3A02X8TC -
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXMN3 MOSFET (금속 (() 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 12a, 10V 1V @ 250µA 26.8 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 1.1W (TA)
SPP03N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPP03N60C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 3151 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp03n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 3.2A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 135µA 17 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 38W (TC)
CMS42N06V8-HF Comchip Technology CMS42N06V8-HF -
RFQ
 ECAD 9043 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CMS42N06V8-HFTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 42A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.2V @ 250µA 39.2 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 2W (TA), 52W (TC)
IXTP152N085T IXYS IXTP152N085T -
RFQ
 ECAD 2233 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP152 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 85 v 152A (TC) 10V 7mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 20V 5500 pf @ 25 v - 360W (TC)
IRF6614TR1 Infineon Technologies IRF6614TR1 -
RFQ
 ECAD 2142 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 st MOSFET (금속 (() DirectFet ™ st 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001525534 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 12.7A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 12.7a, 10V 2.25V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2560 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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