SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NTDV5805NT4G onsemi NTDV5805NT4G -
RFQ
ECAD 8395 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTDV58 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 51A (TC) 5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - -
SPP06N60C3HKSA1 Infineon Technologies SPP06N60C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 2166 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp06n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 6.2A (TC) 10V 750mohm @ 3.9a, 10V 3.9V @ 260µA 31 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 74W (TC)
DMG4435SSS-13 Diodes Incorporated DMG4435SSS-13 -
RFQ
ECAD 8660 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4435 MOSFET (금속 (() 도 8- - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 7.3A (TA) 5V, 20V 16mohm @ 11a, 20V 2.5V @ 250µA 35.4 NC @ 10 v ± 25V 1614 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IPC60R070C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies IPC60R070C6UNSANGX6SA1 -
RFQ
ECAD 2698 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 IPC60R - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000910382 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
PSMN057-200B,118 Nexperia USA Inc. PSMN057-200B, 118 2.9300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMN057 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 39A (TC) 10V 57mohm @ 17a, 10V 4V @ 1MA 96 NC @ 10 v ± 20V 3750 pf @ 25 v - 250W (TC)
SIDR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIDR870ADP-T1-GE3 2.0500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR870 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 95A (TC) 4.5V, 10V 6.6MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2866 pf @ 50 v - 125W (TC)
IRFBC30LPBF Vishay Siliconix IRFBC30LPBF -
RFQ
ECAD 7674 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBC30 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFBC30LPBF 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 3.6A (TC) 10V 2.2ohm @ 2.2a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IXTU05N120 IXYS IXTU05N120 -
RFQ
ECAD 7859 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모 쓸모 - 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() TO-251AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 1200 v 500MA (TC) - - - -
BSS806NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS806NH6327XTSA1 0.4600
RFQ
ECAD 587 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS806 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.3A (TA) 1.8V, 2.5V 57mohm @ 2.3a, 2.5v 750MV @ 11µA 1.7 NC @ 2.5 v ± 8V 529 pf @ 10 v - 500MW (TA)
PSMN5R0-80PS,127 Nexperia USA Inc. PSMN5R0-80PS, 127 3.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 psmn5r0 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 100A (TC) 10V 4.7mohm @ 15a, 10V 4V @ 1MA 101 NC @ 10 v ± 20V 6793 pf @ 12 v - 270W (TC)
CPH3314-TL-H Sanyo CPH3314-TL-H -
RFQ
ECAD 5361 0.00000000 Sanyo - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C 표면 표면 SC-96 MOSFET (금속 (() 3-cph - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-CPH3314-TL-H-600057 1 p 채널 30 v 1.6A (TA) 4V, 10V 270mohm @ 800ma, 10V 2.6v @ 1ma 4.7 NC @ 10 v ± 20V 185 pf @ 10 v - 1W (TA)
PSMNR60-25YLHX Nexperia USA Inc. psmnr60-25ylhx 3.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 psmnr60 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 300A (TA) 4.5V, 10V 700mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 2MA 147 NC @ 10 v ± 20V 8117 pf @ 12 v - 268W (TA)
STF19NM65N STMicroelectronics STF19NM65N -
RFQ
ECAD 2469 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF19 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 15.5A (TC) 10V 270mohm @ 7.75a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 25V 1900 pf @ 50 v - 35W (TC)
2N7002LT7H onsemi 2N7002LT7H -
RFQ
ECAD 4571 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,500 n 채널 60 v 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
GPI65005DF68 GaNPower GPI65005DF68 2.5000
RFQ
ECAD 490 0.00000000 ganpower - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Ganfet ((갈륨) 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 4025-gpi65005df68tr 3A001 8541.49.7000 1 n 채널 650 v 5a 6V 1.7v @ 3.5ma 1.6 NC @ 6 v +7.5V, -12V 39 pf @ 500 v
IPI80N06S208AKSA2 Infineon Technologies IPI80N06S208AKSA2 -
RFQ
ECAD 7072 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI80N06 MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 10V 8mohm @ 58a, 10V 4V @ 150µA 96 NC @ 10 v ± 20V 2860 pf @ 25 v - 215W (TC)
STFW38N65M5 STMicroelectronics STFW38N65M5 4.8165
RFQ
ECAD 1015 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 STFW38 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-15006-5 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 95mohm @ 15a, 10V 5V @ 250µA 71 NC @ 10 v ± 25V 3000 pf @ 100 v - 57W (TC)
FQI5N60CTU Fairchild Semiconductor fqi5n60ctu 0.8600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 600 v 4.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 670 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 100W (TC)
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated DMG4466SSSSS-13 0.4400
RFQ
ECAD 2937 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4466 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 478.9 pf @ 15 v - 1.42W (TA)
SI4427BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4427BDY-T1-GE3 0.8363
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4427 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9.7A (TA) 10V 10.5mohm @ 12.6a, 10V 1.4V @ 250µA 70 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
SI2392ADS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2392ADS-T1-BE3 0.5400
RFQ
ECAD 2716 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-SI2392ADS-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.2A (TA), 3.1A (TC) 4.5V, 10V 126MOHM @ 2A, 10V 3V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 196 pf @ 50 v - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
STL150N3LLH6 STMicroelectronics STL150N3LLH6 -
RFQ
ECAD 9440 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL150 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 16.5a, 10V 1V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 4040 pf @ 25 v - 80W (TC)
AON7418A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7418A -
RFQ
ECAD 2158 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn AON741 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 2994 pf @ 15 v - 83W (TC)
BUK9606-55B,118 NXP USA Inc. BUK9606-55B, 118 0.6800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 buk96 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800
AON7538 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7538 0.2101
RFQ
ECAD 7802 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Aon75 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 23A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 5.1MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1128 pf @ 15 v - 4.2W (TA), 24W (TC)
CPH3355-TL-H onsemi CPH3355-TL-H -
RFQ
ECAD 3833 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH335 MOSFET (금속 (() 3-cph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4V, 10V 156mohm @ 1a, 10V 2.6v @ 1ma 3.9 NC @ 10 v ± 20V 172 pf @ 10 v - 1W (TA)
IXFA22N65X2 IXYS IXFA22N65X2 5.9400
RFQ
ECAD 288 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA22 MOSFET (금속 (() TO-263HV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 22A (TC) 10V 160mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 1.5MA 38 NC @ 10 v ± 30V 2310 pf @ 25 v - 390W (TC)
FDP10N60NZ onsemi FDP10N60NZ -
RFQ
ECAD 1042 0.00000000 온세미 Unifet-II ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP10 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 25V 1475 pf @ 25 v - 185W (TC)
IXFH80N10 IXYS IXFH80N10 -
RFQ
ECAD 5278 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH80 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 80A (TC) 10V 12.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 4MA 180 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRL3714ZLPBF Infineon Technologies IRL3714ZLPBF -
RFQ
ECAD 4113 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3714ZLPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 20V 550 pf @ 10 v - 35W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고