SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
TT8U1TR Rohm Semiconductor tt8u1tr 0.3152
RFQ
 ECAD 4930 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TT8U1 MOSFET (금속 (() 8-TSST 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.4A (TA) 1.5V, 4.5V 105mohm @ 2.4a, 4.5v 1V @ 1mA 6.7 NC @ 4.5 v ± 10V 850 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.25W (TA)
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1 1.8700
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60N10 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 60A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 60A, 10V 2.1V @ 46µA 49 NC @ 10 v ± 16V 3170 pf @ 25 v - 94W (TC)
SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies SPW17N80C3FKSA1 6.0500
RFQ
 ECAD 330 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SPW17N80 MOSFET (금속 (() PG-to247-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 1mA 177 NC @ 10 v ± 20V 2320 pf @ 25 v - 227W (TC)
NVMYS2D4N04CTWG onsemi NVMYS2D4N04CTWG 2.0400
RFQ
 ECAD 3121 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK NVMYS2 MOSFET (금속 (() LFPAK4 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 30A (TA), 138A (TC) 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 3.5V @ 90µA 32 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 83W (TC)
FQD2N90TM onsemi FQD2N90TM 1.3300
RFQ
 ECAD 5266 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2N90 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 900 v 1.7A (TC) 10V 7.2ohm @ 850ma, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 500 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
FDC5612 onsemi FDC5612 0.6000
RFQ
 ECAD 1967 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC5612 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.3A (TA) 6V, 10V 55mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 650 pf @ 25 v - 1.6W (TA)
IXTN32P60P IXYS ixtn32p60p 39.6000
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 ixys Polarp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXTN32 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 p 채널 600 v 32A (TC) 10V 350mohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 196 NC @ 10 v ± 20V 11100 pf @ 25 v - 890W (TC)
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics STD3NK80ZT4 1.6500
RFQ
 ECAD 6543 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD3NK80 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 2.5A (TC) 10V 4.5ohm @ 1.25a, ​​10V 4.5V @ 50µA 19 NC @ 10 v ± 30V 485 pf @ 25 v - 70W (TC)
TSM3404CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3404CX RFG -
RFQ
 ECAD 5251 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 5.8a, 10V 3V @ 250µA 13.8 nc @ 10 v ± 20V 400.96 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IRFR9020PBF Vishay Siliconix IRFR9020PBF 1.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9020 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 50 v 9.9A (TC) 10V 280mohm @ 5.7a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 42W (TC)
IRLR8113TRLPBF Infineon Technologies IRLR8113TRLPBF -
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001578796 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 94A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.25V @ 250µA 32 NC @ 4.5 v ± 20V 2920 pf @ 15 v - 89W (TC)
FDS4672A onsemi FDS4672A 1.4000
RFQ
 ECAD 1843 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS4672 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 11A (TA) 4.5V 13mohm @ 11a, 4.5v 2V @ 250µA 49 NC @ 4.5 v ± 12V 4766 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
3SK317ZR-TL-E Renesas Electronics America Inc 3SK317ZR-TL-E 0.2200
RFQ
 ECAD 457 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
FQPF13N50CSDTU onsemi FQPF13N50CSDTU -
RFQ
 ECAD 3674 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 600 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 48W (TC)
IXTH10P50 IXYS ixth10p50 -
RFQ
 ECAD 7896 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH10 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 ixth10p50-ndr 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 500 v 10A (TC) 10V 900mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 25 v - 300W (TC)
STD11N60DM2 STMicroelectronics STD11N60DM2 1.8000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ DM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD11 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-16925-2 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 420mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 614 pf @ 100 v - 110W (TC)
UPA2720GR-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA2720GR-E1-A 1.1500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-PSOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 14A (TA) 6.6mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA 27 NC @ 5 v 2800 pf @ 10 v -
RDN120N25FU6 Rohm Semiconductor RDN120N25FU6 -
RFQ
 ECAD 1825 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RDN120 MOSFET (금속 (() TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 250 v 12A (TA) 10V 210mohm @ 6a, 10V 4V @ 1MA 62 NC @ 10 v ± 30V 1224 pf @ 10 v - 40W (TC)
IRF6716MTRPBF International Rectifier IRF6716MTRPBF 1.4700
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 귀 99 8541.29.0095 205 n 채널 25 v 39A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 40a, 10V 2.4V @ 100µa 59 NC @ 4.5 v ± 20V 5150 pf @ 13 v - 3.6W (TA), 78W (TC)
FQA20N40 onsemi FQA20N40 -
RFQ
 ECAD 3592 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 400 v 19.5A (TC) 10V 220mohm @ 9.8a, 10V 5V @ 250µA 75 NC @ 10 v ± 30V 2800 pf @ 25 v - 200W (TC)
2SK2499-Z-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK2499-Z-AZ 3.4000
RFQ
 ECAD 655 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IRFR210PBF Vishay Siliconix irfr210pbf 1.1700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR210 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 200 v 2.6A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.6a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 140 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
FDD3670 onsemi FDD3670 2.7300
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD367 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 34A (TA) 6V, 10V 32mohm @ 7.3a, 10V 4V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2490 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 83W (TC)
IXTP1N120P IXYS ixtp1n120p 3.4707
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1200 v 1A (TC) 10V 20ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 50µA 17.6 NC @ 10 v ± 20V 550 pf @ 25 v - 63W (TC)
IPD80R1K4CEATMA1 Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1 1.5800
RFQ
 ECAD 7369 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD80R1 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 3.9A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.3a, 10V 3.9V @ 240µA 23 nc @ 10 v ± 20V 570 pf @ 100 v - 63W (TC)
BSZ0602LSATMA1 Infineon Technologies BSZ0602LSATMA1 1.7000
RFQ
 ECAD 9607 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ0602 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 FL 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 13A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 36µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 2340 pf @ 40 v - 69W (TC)
NTD4813N-35G onsemi NTD4813N-35G -
RFQ
 ECAD 3145 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK NTD48 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 7.6A (TA), 40A (TC) 4.5V, 11.5V 13mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 7.9 NC @ 4.5 v ± 20V 860 pf @ 12 v - 1.27W (TA), 35.3W (TC)
FDU8780_F071 onsemi FDU8780_F071 -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA FDU87 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 25 v 35A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1440 pf @ 13 v - 50W (TC)
TSM170N06CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06CH 0.9530
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TSM170 MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM170N06CH 귀 99 8541.29.0095 15,000 n 채널 60 v 38A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 46W (TC)
IXTK100N25P IXYS IXTK100N25P 13.2000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK100 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 100A (TC) 10V 27mohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 20V 6300 pf @ 25 v - 600W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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