전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF610 | - | ![]() | 1431 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF610 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 200 v | 3.3A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 8.2 NC @ 10 v | ± 20V | 140 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | ||
IPI80N08S207AKSA1 | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IPI80N | MOSFET (금속 (() | PG-to262-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 75 v | 80A (TC) | 10V | 7.4mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 180 NC @ 10 v | ± 20V | 4700 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||
DMP610DL-7 | 0.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMP610 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 180MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 1mA | 0.56 nc @ 10 v | ± 30V | 24.6 pf @ 25 v | - | 310MW (TA) | |||
![]() | SSM3K361R, LF | 0.5100 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-Mosviii-H | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | SSM3K361 | MOSFET (금속 (() | SOT-23F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 3.5A (TA) | 4.5V, 10V | 69mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 100µa | 3.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 430 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA) | |||
IRF820A | - | ![]() | 2120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF820 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRF820A | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 340 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | ||
![]() | IRFR2407PBF | - | ![]() | 6133 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||
![]() | isl9n310ad3st | - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 995 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 10ohm @ 35a, 10a | 3V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 1800 pf @ 15 v | - | 70W (TA) | |||
![]() | hufa75842s3st | - | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | hufa75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 150 v | 43A (TC) | 10V | 42MOHM @ 43A, 10V | 4V @ 250µA | 175 NC @ 20 v | ± 20V | 2730 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | |||
TSM160P04LCRHRLG | - | ![]() | 1572 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM160 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 51A (TC) | 4.5V, 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2712 pf @ 20 v | - | 69W (TC) | |||
![]() | RCD040N25TL | - | ![]() | 9023 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RCD040 | MOSFET (금속 (() | CPT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 250 v | 4A (TA) | 10V | - | - | ± 30V | - | 20W (TC) | ||||
![]() | PSMN2R8-40BS | - | ![]() | 4629 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3042LFDF-13 | 0.1257 | ![]() | 6867 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMN3042 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 7A (TA) | 2.5V, 10V | 28mohm @ 4a, 10V | 1.4V @ 250µA | 13.3 NC @ 10 v | ± 12V | 570 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA) | ||
![]() | SQ2318AES-T1_BE3 | 0.6000 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2318 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 7.9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 553 pf @ 20 v | - | 3W (TC) | ||||
![]() | rq5e035xntcl | 0.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-96 | RQ5E035 | MOSFET (금속 (() | TSMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.5A (TA) | 4V, 10V | 50mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1mA | 3.3 NC @ 5 v | ± 20V | 180 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | ||
![]() | STW46NF30 | 4.1300 | ![]() | 5905 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ II | 튜브 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STW46 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-13595-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 42A (TC) | 10V | 75mohm @ 17a, 10V | 4V @ 250µA | 90 NC @ 10 v | ± 20V | 3200 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |
![]() | AO3409_103 | - | ![]() | 2181 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | AO34 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2.6A (TA) | ||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R0-40SSHJ | 4.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-1235 | PSMN1R0 | MOSFET (금속 (() | LFPAK88 (SOT1235) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 325A (TA) | 10V | 1MOHM @ 25A, 10V | 3.6v @ 1ma | 137 NC @ 10 v | ± 20V | 10322 pf @ 25 v | Schottky Diode (Body) | 375W (TA) | ||
![]() | IRFBC30SPBF | 1.6155 | ![]() | 1175 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFBC30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFBC30SPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 3.6A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 2.2a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||
![]() | AO4405 | 0.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 음 | 음 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 520 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | |||||
![]() | FQAF44N10 | - | ![]() | 8833 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | FQAF4 | MOSFET (금속 (() | to-3pf | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 360 | n 채널 | 100 v | 33A (TC) | 10V | 39mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | |||
![]() | IPP076N12N3GXKSA1 | 3.4100 | ![]() | 498 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP076 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 120 v | 100A (TC) | 10V | 7.6mohm @ 100a, 10V | 4V @ 130µA | 101 NC @ 10 v | ± 20V | 6640 pf @ 60 v | - | 188W (TC) | ||
![]() | IPW65R099C6FKSA1 | 9.0000 | ![]() | 8639 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW65R099 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 38A (TC) | 10V | 99mohm @ 12.8a, 10V | 3.5v @ 1.2ma | 127 NC @ 10 v | ± 20V | 2780 pf @ 100 v | - | 278W (TC) | ||
![]() | DMP4013SPSQ-13 | 1.2800 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMP4013 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 40 v | 11A (TA), 61A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 3V @ 250µA | 67 NC @ 10 v | ± 20V | 4004 pf @ 20 v | - | 1.6W (TA) | ||
![]() | FQPF4N90C | - | ![]() | 5959 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF4 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 4A (TC) | 10V | 4.2ohm @ 2a, 10V | 5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 960 pf @ 25 v | - | 47W (TC) | ||
![]() | AOB66916L | 3.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB66916 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 35.5A (TA), 120A (TC) | 6V, 10V | 3.6MOHM @ 20A, 10V | 3.5V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 6180 pf @ 50 v | - | 8.3W (TA), 277W (TC) | ||
![]() | IPA80R750P7XKSA1 | 1.9000 | ![]() | 1776 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ P7 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA80R750 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 7A (TC) | 10V | 750mohm @ 2.7a, 10V | 3.5V @ 140µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 460 pf @ 500 v | - | 27W (TC) | ||
ixfv18n60p | - | ![]() | 4944 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polarht ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3,-탭 | IXFV18 | MOSFET (금속 (() | Plus220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 400mohm @ 500ma, 10V | 5.5V @ 2.5MA | 50 nc @ 10 v | ± 30V | 2500 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||
![]() | SI4850BDY-T1-GE3 | 0.9800 | ![]() | 7873 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4850 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 8.4A (TA), 11.3A (TC) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 10a, 10V | 2.8V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 790 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 4.5W (TC) | |||
![]() | NX7002AK215 | - | ![]() | 3044 | 0.00000000 | nxp 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | 2156-NX7002AK215 | 1 | n 채널 | 60 v | 190ma (TA), 300MA (TC) | 5V, 10V | 4.5ohm @ 100ma, 10V | 2.1V @ 250µA | 0.43 nc @ 4.5 v | ± 20V | 20 pf @ 10 v | - | 265MW (TA), 1.33W (TC) | |||||||
![]() | ixft50n60p3-trl | 8.7704 | ![]() | 4885 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polar3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT50 | MOSFET (금속 (() | TO-268 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-IXFT50N60P3-TRLTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 600 v | 50A (TC) | 10V | 145mohm @ 25a, 10V | 5V @ 4MA | 94 NC @ 10 v | ± 30V | 6300 pf @ 25 v | - | 1.04kW (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고