SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
AON7405 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON7405 -
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn AON740 MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 25A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.8V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 25V 2940 pf @ 15 v - 6.25W (TA), 83W (TC)
SQ3418AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3418AEEV-T1_BE3 0.9300
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3418 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3418aeev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 12.4 NC @ 10 v ± 20V 675 pf @ 20 v - 5W (TC)
PSMP033-60YEX Nexperia USA Inc. PSMP033-60YEX 1.1900
RFQ
 ECAD 1728 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 PSMP033 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 30A (TA) 4.5V, 10V 33mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 2590 pf @ 30 v - 110W (TA)
HRF3205 onsemi HRF3205 -
RFQ
 ECAD 4245 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 HRF32 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 HRF3205-NDR 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 100A (TC) 10V 8mohm @ 59a, 10V 4V @ 250µA 170 nc @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 175W (TC)
RQ7E100ATTCR Rohm Semiconductor RQ7E100ATTCR 1.3500
RFQ
 ECAD 466 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RQ7E100 MOSFET (금속 (() TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 11.2MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 53 NC @ 10 v ± 20V 2370 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
IRF3805L-7PPBF Infineon Technologies IRF3805L-7PPBF -
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-7, d²pak (6 리드 + 탭), TO-263CB MOSFET (금속 (() D2PAK (7- 리드) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001576702 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7820 pf @ 25 v - 300W (TC)
PHD14NQ20T,118 NXP USA Inc. PhD14NQ20T, 118 -
RFQ
 ECAD 4157 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PhD14 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 14A (TC) 5V, 10V 230mohm @ 7a, 10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 v ± 20V 1500 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRLR3103TRLPBF Infineon Technologies IRLR3103TRLPBF -
RFQ
 ECAD 7601 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001558904 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 55A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 33a, 10V 1V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 16V 1600 pf @ 25 v - 107W (TC)
PMZB550UNE/S500YL Nexperia USA Inc. PMZB550UN/S500YL 0.0500
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006B-3 - 2156-PMZB550UN/S500YL 7,400 n 채널 30 v 590MA (TA) 1.5V, 4.5V 670mohm @ 590ma, 4.5v 0.95V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 8V 30.3 pf @ 15 v - 310MW (TA), 1.67W (TC)
BUK9Y7R6-40E,115 Nexperia USA Inc. buk9y7r6-40e, 115 0.5313
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y7 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 79A (TC) 5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.1v @ 1ma 16.4 NC @ 5 v ± 10V 2403 pf @ 25 v - 95W (TC)
SQS484EN-T1_BE3 Vishay Siliconix SQS484EN-T1_BE3 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SQS484 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 16A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16.4a, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1855 pf @ 25 v - 62W (TC)
IPD70N10S312ATMA1 Infineon Technologies IPD70N10S312ATMA1 2.4900
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD70 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 70A (TC) 10V 11.1MOHM @ 70A, 10V 4V @ 83µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4355 pf @ 25 v - 125W (TC)
DMTH10H009LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH10H009LPSQ-13 0.4812
RFQ
 ECAD 8195 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH10H009LPSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 15A (TA), 91A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 40.2 NC @ 10 v ± 20V 2309 pf @ 50 v - 1.5W (TA), 100W (TC)
2N7002EQ-7-F Diodes Incorporated 2N7002EQ-7-F 0.0605
RFQ
 ECAD 6649 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-2N7002EQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 292MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.5 nc @ 10 v ± 20V 35 pf @ 30 v - 500MW (TA)
SCT3080ALGC11 Rohm Semiconductor SCT3080ALGC11 12.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SCT3080 sicfet ((카바이드) TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 30A (TC) 18V 10A, 10A, 18V 5.6V @ 5MA 48 NC @ 18 v +22V, -4V 571 pf @ 500 v - 134W (TC)
SI5463EDC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5463EDC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 7492 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5463 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.8A (TA) 1.8V, 4.5V 62mohm @ 4a, 4.5v 450MV @ 250µA (최소) 15 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.25W (TA)
IXFN100N50Q3 IXYS IXFN100N50Q3 60.1900
RFQ
 ECAD 7286 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q3 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN100 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -IXFN100N50Q3 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 500 v 82A (TC) 10V 49mohm @ 50a, 10V 6.5V @ 8mA 255 NC @ 10 v ± 30V 13800 pf @ 25 v - 960W (TC)
IXFT50N20 IXYS IXFT50N20 -
RFQ
 ECAD 1504 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT50 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 50A (TC) 10V 45mohm @ 25a, 10V 4V @ 4MA 220 NC @ 10 v ± 20V 4400 pf @ 25 v - 300W (TC)
DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated DMG2307LQ-7 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 371.3 pf @ 15 v - 760MW (TA)
FQP19N10 onsemi FQP19N10 -
RFQ
 ECAD 5401 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP1 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 19A (TC) 10V 100mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 780 pf @ 25 v - 75W (TC)
CPH3457-TL-H onsemi CPH3457-TL-H -
RFQ
 ECAD 1125 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CPH345 MOSFET (금속 (() 3-cph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 1.5a, 4.5v - 3.5 NC @ 4.5 v ± 12V 265 pf @ 10 v - 1W (TA)
MCP150N06A-BP Micro Commercial Co MCP150N06A-BP -
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MCP150 MOSFET (금속 (() TO-220AB (H) - 353-MCP150N06A-BP 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 150a 10V 5.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 69 NC @ 10 v ± 20V 4200 pf @ 30 v - 225W
STQ2NK60ZR-AP STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP -
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 STQ2 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 400MA (TC) 10V 8ohm @ 700ma, 10V 4.5V @ 50µA 10 nc @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 3W (TC)
2SJ254 onsemi 2SJ254 0.8300
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated DMP2008UFG-13 0.6100
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 14A (TA), 54A (TC) 1.5V, 4.5V 8mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 72 NC @ 4.5 v ± 8V 6909 pf @ 10 v - 2.4W (TA), 41W (TC)
SI2312CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2312CDS-T1-BE3 0.3900
RFQ
 ECAD 4771 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5A (TA), 6A (TC) 1.8V, 4.5V 31.8mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 8V 865 pf @ 10 v - 1.25W (TA), 2.1W (TC)
SI4890DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4890DY-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 6613 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4890 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 800mv @ 250µa (최소) 20 nc @ 5 v ± 25V - 2.5W (TA)
IXTA80N075L2-TRL IXYS IXTA80N075L2-TRL 9.6115
RFQ
 ECAD 1524 0.00000000 ixys l2 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA80 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-IXTA80N075L2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 24mohm @ 40a, 10V 4.5V @ 250µA 103 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 357W (TC)
IXFC60N20 IXYS IXFC60N20 -
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXFC60N20 MOSFET (금속 (() ISOPLUS220 ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 60A (TC) 10V 33mohm @ 30a, 10V 4V @ 4MA 155 NC @ 10 v ± 20V 5200 pf @ 25 v - 230W (TC)
ZXMP6A17GQTA Diodes Incorporated ZXMP6A17GQTA 0.8100
RFQ
 ECAD 2218 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP6A17 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.2a, 10V 1V @ 250µA 17.7 NC @ 10 v ± 20V 637 pf @ 30 v - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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