SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SI5443DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5443DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 5288 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5443 MOSFET (금속 (() 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 3.6a, 4.5v 600MV @ 250µa (최소) 14 nc @ 4.5 v ± 12V - 1.3W (TA)
FQPF17N08 onsemi FQPF17N08 -
RFQ
ECAD 9965 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 11.2A (TC) 10V 115mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 25 v - 30W (TC)
IPB65R145CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPB65R145CFD7AATMA1 2.8389
RFQ
ECAD 7458 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB65R MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 17A (TC) 10V 145mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 420µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1694 pf @ 400 v - 98W (TC)
YJJ05N06A Yangjie Technology YJJ05N06A 0.0940
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJJ05N06ART 귀 99 3,000
IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB081N06L3GATMA1 1.7900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB081 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.1mohm @ 50a, 10V 2.2V @ 34µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 4900 pf @ 30 v - 79W (TC)
SIR5808DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir5808dp-t1-Re3 1.4100
RFQ
ECAD 1063 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir5808 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 18.8A (TA), 66.8A (TC) 7.5V, 10V 157mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1210 pf @ 40 v - 5.2W (TA), 65.7W (TC)
DMN2024UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2024UFDF-7 0.1177
RFQ
ECAD 3409 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN2024 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 7.1A (TA) 1.5V, 4.5V 22mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 10 v ± 10V 647 pf @ 10 v - 960MW (TA)
SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1426DH-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2951 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1426 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 2.8A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 3 NC @ 4.5 v ± 20V - 1W (TA)
NTD4863NA-1G onsemi NTD4863NA-1g -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD48 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 9.2A (TA), 49A (TC) 9.3mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v 990 pf @ 12 v - 1.27W (TA), 36.6W (TC)
SIHH21N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH21N65EF-T1-GE3 6.4800
RFQ
ECAD 675 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH21 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 19.8A (TC) 10V 180mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 102 NC @ 10 v ± 30V 2396 pf @ 100 v - 156W (TC)
FDMC8327L Fairchild Semiconductor FDMC8327L 0.4600
RFQ
ECAD 27 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8MLP (3.3x3.3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 654 n 채널 40 v 12A (TA), 14A (TC) 4.5V, 10V 9.7mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1850 pf @ 20 v - 2.3W (TA), 30W (TC)
IRC740PBF Vishay Siliconix IRC740PBF -
RFQ
ECAD 2473 0.00000000 Vishay Siliconix Hexfet® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-5 IRC740 MOSFET (금속 (() TO-220-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRC740pbf 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v 현재 현재 125W (TC)
CPH6341-TL-E onsemi CPH6341-TL-E -
RFQ
ECAD 5608 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 CPH634 MOSFET (금속 (() 6-CPH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4V, 10V 59mohm @ 3a, 10V - 10 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
FQI12N60TU Fairchild Semiconductor FQI12N60TU 1.3100
RFQ
ECAD 627 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 10.5A (TC) 10V 700mohm @ 5.3a, 10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 30V 1900 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 180W (TC)
IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R070CFD7ATMA1 6.9500
RFQ
ECAD 41 0.00000000 인피온 인피온 CoolMOS ™ CFD7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R070 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 31A (TC) 10V 70mohm @ 15.1a, 10V 4.5V @ 760µA 67 NC @ 10 v ± 20V 2721 pf @ 400 v - 156W (TC)
AO6701 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6701 -
RFQ
ECAD 9929 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AO670 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.3A (TA) 2.5V, 10V 135mohm @ 2.3a, 10V 1.4V @ 250µA 4.9 NC @ 4.5 v ± 12V 409 pf @ 15 v Schottky 분리 (다이오드) 1.15W (TA)
SFU9034TU Fairchild Semiconductor SFU9034TU 0.2600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 14A (TC) 10V 140mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 25V 1155 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 49W (TC)
AOL1242 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOL1242 -
RFQ
ECAD 1506 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-powersmd, 평평한 리드 AOL12 MOSFET (금속 (() 초음파 8 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 14A (TA), 69A (TC) 4.5V, 10V 5.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1620 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 68W (TC)
NTP18N06 onsemi NTP18N06 -
RFQ
ECAD 5810 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP18N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 NTP18N06OS 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 15A (TC) 10V 90mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 450 pf @ 25 v - 48.4W (TC)
FDMS5672 onsemi FDMS5672 3.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDMS56 MOSFET (금속 (() 8-mlp (5x6), 파워 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 10.6A (TA), 22A (TC) 6V, 10V 11.5mohm @ 10.6a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 2800 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 78W (TC)
IXFT36N60P IXYS ixft36n60p 10.9617
RFQ
ECAD 2701 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT36 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 36A (TC) 10V 190mohm @ 18a, 10V 5V @ 4MA 102 NC @ 10 v ± 30V 5800 pf @ 25 v - 650W (TC)
FDMS7670 onsemi FDMS7670 1.4000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS76 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 fdms7670tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 21A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 21a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 4105 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 62W (TC)
IPP026N10NF2SAKMA1 Infineon Technologies IPP026N10NF2SAKMA1 5.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP026N MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 27A (TA), 184a (TC) 6V, 10V 2.6mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 169µA 154 NC @ 10 v ± 20V 7300 pf @ 50 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MSGXUMA1 1.5800
RFQ
ECAD 74 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) BSO040 MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 73 NC @ 10 v ± 20V 5700 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
STY100NM60N STMicroelectronics STY100NM60N 27.8300
RFQ
ECAD 9250 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STY100 MOSFET (금속 (() Max247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 98A (TC) 10V 29mohm @ 49a, 10V 4V @ 250µA 330 nc @ 10 v 25V 9600 pf @ 50 v - 625W (TC)
NVTFWS004N04CTAG onsemi NVTFWS004N04CTAG 0.8223
RFQ
ECAD 4264 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFWS004 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 18A (TA), 77A (TC) 10V 4.9mohm @ 35a, 10V 3.5V @ 50µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 25 v - 3.2W (TA), 55W (TC)
PSMN1R9-40PL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R9-40PL, 127 1.6700
RFQ
ECAD 44 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn1r9 다운로드 0000.00.0000 194
IRLR8729TRLPBF Infineon Technologies irlr8729trlpbf -
RFQ
ECAD 4139 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR8729 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001552874 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 58A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 25a, 10V 2.35V @ 25µA 16 nc @ 4.5 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 55W (TC)
NTDV5805NT4G onsemi NTDV5805NT4G -
RFQ
ECAD 8395 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모 쓸모 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTDV58 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 51A (TC) 5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 3.5V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 1725 pf @ 25 v - -
SPP06N60C3HKSA1 Infineon Technologies SPP06N60C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 2166 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp06n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 6.2A (TC) 10V 750mohm @ 3.9a, 10V 3.9V @ 260µA 31 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 74W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고