SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF6614TR1 Infineon Technologies IRF6614TR1 -
RFQ
ECAD 2142 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 st MOSFET (금속 (() DirectFet ™ st 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001525534 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 12.7A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 8.3mohm @ 12.7a, 10V 2.25V @ 250µA 29 NC @ 4.5 v ± 20V 2560 pf @ 20 v - 2.1W (TA), 42W (TC)
NDD03N50ZT4G onsemi ndd03n50zt4g -
RFQ
ECAD 2367 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NDD03 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 2.6A (TC) 10V 3.3ohm @ 1.15a, 10V 4.5V @ 50µA 16 nc @ 10 v ± 30V 329 pf @ 25 v - 58W (TC)
IRFU1018EPBF Infineon Technologies IRFU1018EPBF -
RFQ
ECAD 1499 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565188 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 56A (TC) 10V 8.4mohm @ 47a, 10V 4V @ 100µa 69 NC @ 10 v ± 20V 2290 pf @ 50 v - 110W (TC)
APT41M80B2 Microchip Technology APT41M80B2 17.5900
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 7 APT41M80 MOSFET (금속 (() T-Max ™ [B2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 43A (TC) 10V 210mohm @ 20a, 10V 5V @ 2.5MA 260 NC @ 10 v ± 30V 8070 pf @ 25 v - 1040W (TC)
NVHL082N65S3F onsemi NVHL082N65S3f 9.3300
RFQ
ECAD 8368 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL082 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-NVHL082N65S3F-488 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 650 v 40A (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 4MA 81 NC @ 10 v ± 30V 3410 pf @ 400 v - 313W (TC)
TSM10N60CI C0 Taiwan Semiconductor Corporation TSM10N60CI C0 -
RFQ
ECAD 3796 0.00000000 대만 대만 회사 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MOSFET (금속 (() ITO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TSM10N60CIC0 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 45.8 nc @ 10 v ± 30V 1738 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRL3102L Vishay Siliconix irl3102L -
RFQ
ECAD 6155 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA irl3102 MOSFET (금속 (() TO-262-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3102L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 61A (TC) 4.5V, 7V 13mohm @ 37a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 58 NC @ 4.5 v ± 10V 2500 pf @ 15 v - 89W (TC)
IRF7468PBF Infineon Technologies IRF7468PBF -
RFQ
ECAD 9898 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001559918 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 40 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 9.4a, 10V 2V @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 12V 2460 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
IPP80N06S407AKSA2 Infineon Technologies IPP80N06S407AKSA2 -
RFQ
ECAD 1223 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80N06 MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 80a, 10V 4V @ 40µA 56 NC @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 79W (TC)
IXTP2N100P IXYS IXTP2N100p 3.5600
RFQ
ECAD 160 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP2 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixtp2n100p 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 2A (TC) 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 100µa 24.3 NC @ 10 v ± 20V 655 pf @ 25 v - 86W (TC)
IRFB7430PBF Infineon Technologies IRFB7430PBF 3.2100
RFQ
ECAD 625 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB7430 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 195a (TC) 6V, 10V 1.3mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 250µA 460 nc @ 10 v ± 20V 14240 pf @ 25 v - 375W (TC)
IRF3706STRRPBF Infineon Technologies IRF3706STPBF -
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 77A (TC) 2.8V, 10V 8.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2410 pf @ 10 v - 88W (TC)
XP151A13A0MR Torex Semiconductor Ltd XP151A13A0MR 0.2284
RFQ
ECAD 7043 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 XP151A MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1A (TA) 1.5V, 4.5V 100mohm @ 500ma, 4.5v - ± 8V 220 pf @ 10 v - 500MW (TA)
NTD4857NT4G onsemi NTD4857NT4G -
RFQ
ECAD 1948 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD48 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 12A (TA), 78A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 1960 pf @ 12 v - 1.31W (TA), 56.6W (TC)
HUFA75329D3ST onsemi hufa75329d3st -
RFQ
ECAD 1967 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 20A (TC) 10V 26mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 65 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
FQD9N25TM-F085 onsemi FQD9N25TM-F085 0.5160
RFQ
ECAD 2891 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, QFET® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD9N25 MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 7.4A (TC) 10V 420mohm @ 3.7a, 10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 55W (TC)
FDD24AN06LA0-F085 onsemi FDD24AN06LA0-F085 -
RFQ
ECAD 3365 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD24 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 7.1A (TA), 40A (TC) 5V, 10V 19mohm @ 40a, 10V 2V @ 250µA 21 NC @ 5 v ± 20V 1850 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRFRC20TRL Vishay Siliconix irfrc20trl -
RFQ
ECAD 8772 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFRC20 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
MTB75N05HDT4 onsemi MTB75N05HDT4 -
RFQ
ECAD 5457 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MTB75 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTB75N05HDT4OS 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 50 v 75A (TC) 10V 9.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 125W (TC)
APT8030LVFRG Microchip Technology APT8030LVFRG 24.0000
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT8030 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 27A (TC) 300mohm @ 500ma, 10V 4V @ 2.5MA 510 nc @ 10 v 7900 pf @ 25 v -
FQAF65N06 onsemi FQAF65N06 -
RFQ
ECAD 2795 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FQAF6 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 60 v 49A (TC) 10V 16mohm @ 24.5a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 2410 pf @ 25 v - 86W (TC)
SPP12N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPP12N50C3HKSA1 -
RFQ
ECAD 2716 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp12n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
IXFK120N25P IXYS IXFK120N25P 14.4900
RFQ
ECAD 3478 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK120 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 250 v 120A (TC) 10V 24mohm @ 60a, 10V 5V @ 4MA 185 NC @ 10 v ± 20V 8000 pf @ 25 v - 700W (TC)
SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7309DN-T1-GE3 1.0400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7309 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 8A (TC) 4.5V, 10V 115mohm @ 3.9a, 10V 3V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 600 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
BUK9Y41-80E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y41-80E, 115 0.8400
RFQ
ECAD 8991 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y41 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 24A (TC) 5V, 10V 41mohm @ 5a, 10V 2.1v @ 1ma 11.9 NC @ 5 v ± 10V 1570 pf @ 25 v - 64W (TC)
TPC8036-H(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8036-H (TE12L, QM -
RFQ
ECAD 8992 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TPC8036 MOSFET (금속 (() 8-SOP (5.5x6.0) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 9a, 10V 2.3v @ 1ma 49 NC @ 10 v ± 20V 4600 pf @ 10 v - 1W (TA)
STP6N65M2 STMicroelectronics STP6N65M2 1.1900
RFQ
ECAD 957 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP6N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 25V 226 pf @ 100 v - 60W (TC)
NTD5C446NT4G onsemi NTD5C446NT4G -
RFQ
ECAD 1838 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD5C446 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 110A (TC) 10V 3.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 34.3 NC @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 20 v - 66W (TC)
MGSF1N02ELT1G onsemi mgsf1n02elt1g -
RFQ
ECAD 1144 0.00000000 온세미 * 쓸모없는 MGSF1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
FDU6688 onsemi FDU6688 -
RFQ
ECAD 7308 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fdu66 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 84A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 5 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 83W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고