SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXFV74N20PS IXYS IXFV74N20PS -
RFQ
ECAD 2096 0.00000000 ixys Polarht ™ Hiperfet ™ 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 Plus-220SMD IXFV74 MOSFET (금속 (() Plus-220SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 74A (TC) 10V 34mohm @ 37a, 10V 5V @ 4MA 107 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 25 v - 480W (TC)
AUIRFS3206TRL Infineon Technologies auirfs3206trl 3.4993
RFQ
ECAD 3890 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 3MOHM @ 75A, 10V 4V @ 150µA 170 nc @ 10 v ± 20V 6540 pf @ 50 v - 300W (TC)
BSN20,215 NXP USA Inc. BSN20,215 -
RFQ
ECAD 3849 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 BSN2 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
IRFH7004TRPBF Infineon Technologies IRFH7004TRPBF 1.6800
RFQ
ECAD 9268 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet®, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vqfn q 패드 IRFH7004 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 40 v 100A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 3.9V @ 150µA 194 NC @ 10 v ± 20V 6419 pf @ 25 v - 156W (TC)
BSH111BKR Nexperia USA Inc. BSH111BKR 0.2800
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSH111 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 55 v 210MA (TA) 4.5V 4ohm @ 200ma, 4.5v 1.3V @ 250µA 0.5 nc @ 4.5 v ± 10V 30 pf @ 30 v - 302MW (TA)
BUK7611-55B,118 Nexperia USA Inc. BUK7611-55B, 118 -
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 v ± 20V 2604 pf @ 25 v - 157W (TC)
IRFB4610 Infineon Technologies IRFB4610 -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB4610 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
BSS123LT1G onsemi BSS123LT1G 0.3700
RFQ
ECAD 9201 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 10V 6ohm @ 100ma, 10V 2.6v @ 1ma ± 20V 20 pf @ 25 v - 225MW (TA)
IRL640S Vishay Siliconix IRL640S -
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL640S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
IRFU3607TRL701P Infineon Technologies IRFU3607trl701p -
RFQ
ECAD 4999 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 75 v 56A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
SI1032X-T1-E3 Vishay Siliconix SI1032X-T1-E3 -
RFQ
ECAD 5713 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 SI1032 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.5V, 4.5V 5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.75 nc @ 4.5 v ± 6V - 300MW (TA)
IPU09N03LA G Infineon Technologies IPU09N03LA g -
RFQ
ECAD 1988 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU09N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 13 nc @ 5 v ± 20V 1642 pf @ 15 v - 63W (TC)
NTMFS4935NBT3G onsemi NTMFS4935NBT3G -
RFQ
ECAD 8114 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4935 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 13A (TA), 93A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 2V @ 250µA 49.4 NC @ 10 v ± 20V 4850 pf @ 15 v - 930MW (TA), 48W (TC)
DMN6040SSS-13 Diodes Incorporated DMN6040SSSSS-13 0.4600
RFQ
ECAD 2562 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN6040 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 5.5A (TA) 4.5V, 10V 4.5A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1287 pf @ 25 v - 1.5W (TA)
IRFP460LCPBF Vishay Siliconix IRFP460LCPBF 5.3900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP460 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP460LCPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 20A (TC) 10V 270mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 280W (TC)
BSC0703LSATMA1 Infineon Technologies BSC0703LSATMA1 0.9500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC0703 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 15A (TA), 64A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 32a, 10V 2.3V @ 20µA 13 nc @ 4.5 v ± 20V 1800 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 46W (TC)
PSMN3R3-80BS,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R3-80BS, 118 3.2300
RFQ
ECAD 2617 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn3r3 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 3.5mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 111 NC @ 10 v ± 20V 8161 pf @ 40 v - 306W (TC)
IXFR140N30P IXYS IXFR140N30P 24.2000
RFQ
ECAD 926 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR140 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 70A (TC) 10V 26mohm @ 70a, 10V 5V @ 8MA 185 NC @ 10 v ± 20V 14800 pf @ 25 v - 300W (TC)
EPC2016 EPC EPC2016 -
RFQ
ECAD 7644 0.00000000 EPC Egan® 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 EPC20 Ganfet ((갈륨) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 2,500 n 채널 100 v 11A (TA) 5V 16mohm @ 11a, 5V 2.5V @ 3MA 5.2 NC @ 5 v +6V, -5V 520 pf @ 50 v - -
BSP149L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP149L6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5411 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 660MA (TA) 0V, 10V 1.8ohm @ 660ma, 10V 1V @ 400µA 14 nc @ 5 v ± 20V 430 pf @ 25 v 고갈 고갈 1.8W (TA)
PJD80N04_L2_00001 Panjit International Inc. PJD80N04_L2_00001 0.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD80 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD80N04_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 14A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2W (TA), 66W (TC)
DMT3020LFCL-7 Diodes Incorporated DMT3020LFCL-7 0.1562
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 DMT3020 MOSFET (금속 (() U-DFN1616-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.6A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 393 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
AON6504 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6504 -
RFQ
ECAD 6108 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AON650 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 51A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2719 pf @ 15 v - 7.3W (TA), 83W (TC)
FDZ493P onsemi FDZ493P -
RFQ
ECAD 8609 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-WFBGA FDZ49 MOSFET (금속 (() 9-BGA (1.55x1.55) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.6A (TA) 2.5V, 4.5V 46mohm @ 4.6a, 4.5v 1.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 754 pf @ 10 v - 1.7W (TA)
DMTH4M95SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4M95SPSQ-13 -
RFQ
ECAD 5138 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 DMTH4M95 - 영향을받지 영향을받지 31-DMTH4M95SPSQ-13TR 1
AUIRF3805L-7P International Rectifier AUIRF3805L-7P -
RFQ
ECAD 4859 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-7 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 160A (TC) 10V 2.6mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7820 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFD40N30Q-72 IXYS IXFD40N30Q-72 -
RFQ
ECAD 8764 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 대부분 쓸모없는 - - 주사위 IXFD40N30Q MOSFET (금속 (() 주사위 - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 300 v - - - - - - -
BUK7520-100A,127 Nexperia USA Inc. BUK7520-100A, 127 -
RFQ
ECAD 1587 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 63A (TC) 10V 20mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 4373 pf @ 25 v - 200W (TC)
BUK761R8-30C,118 NXP USA Inc. BUK761R8-30C, 118 -
RFQ
ECAD 1442 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 1.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 150 nc @ 10 v ± 20V 10349 pf @ 25 v - 333W (TC)
IRFU3504ZPBF Infineon Technologies IRFU3504ZPBF -
RFQ
ECAD 8776 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고