전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXFV74N20PS | - | ![]() | 2096 | 0.00000000 | ixys | Polarht ™ Hiperfet ™ | 상자 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | Plus-220SMD | IXFV74 | MOSFET (금속 (() | Plus-220SMD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 74A (TC) | 10V | 34mohm @ 37a, 10V | 5V @ 4MA | 107 NC @ 10 v | ± 20V | 3300 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | |||
![]() | auirfs3206trl | 3.4993 | ![]() | 3890 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 10V | 3MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 150µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 6540 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | |||
![]() | BSN20,215 | - | ![]() | 3849 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BSN2 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||
IRFH7004TRPBF | 1.6800 | ![]() | 9268 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet®, StrongIrfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vqfn q 패드 | IRFH7004 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 6V, 10V | 1.4mohm @ 100a, 10V | 3.9V @ 150µA | 194 NC @ 10 v | ± 20V | 6419 pf @ 25 v | - | 156W (TC) | |||
BSH111BKR | 0.2800 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSH111 | MOSFET (금속 (() | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 210MA (TA) | 4.5V | 4ohm @ 200ma, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 0.5 nc @ 4.5 v | ± 10V | 30 pf @ 30 v | - | 302MW (TA) | |||
![]() | BUK7611-55B, 118 | - | ![]() | 7423 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 11mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 37 NC @ 10 v | ± 20V | 2604 pf @ 25 v | - | 157W (TC) | |||
![]() | IRFB4610 | - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFB4610 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 73A (TC) | 10V | 14mohm @ 44a, 10V | 4V @ 100µa | 140 NC @ 10 v | ± 20V | 3550 pf @ 50 v | - | 190W (TC) | ||
![]() | BSS123LT1G | 0.3700 | ![]() | 9201 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS123 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 170ma (TA) | 10V | 6ohm @ 100ma, 10V | 2.6v @ 1ma | ± 20V | 20 pf @ 25 v | - | 225MW (TA) | |||
![]() | IRL640S | - | ![]() | 5588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRL640S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 200 v | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | ± 10V | 1800 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |
![]() | IRFU3607trl701p | - | ![]() | 4999 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 56A (TC) | 10V | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | ± 20V | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||||
![]() | SI1032X-T1-E3 | - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | SI1032 | MOSFET (금속 (() | SC-89-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 200MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 5ohm @ 200ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 0.75 nc @ 4.5 v | ± 6V | - | 300MW (TA) | |||
![]() | IPU09N03LA g | - | ![]() | 1988 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU09N | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 25 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 30a, 10V | 2V @ 20µA | 13 nc @ 5 v | ± 20V | 1642 pf @ 15 v | - | 63W (TC) | |||
![]() | NTMFS4935NBT3G | - | ![]() | 8114 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4935 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 93A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2MOHM @ 30A, 10V | 2V @ 250µA | 49.4 NC @ 10 v | ± 20V | 4850 pf @ 15 v | - | 930MW (TA), 48W (TC) | ||
![]() | DMN6040SSSSS-13 | 0.4600 | ![]() | 2562 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMN6040 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 5.5A (TA) | 4.5V, 10V | 4.5A, 10V 40mohm | 3V @ 250µA | 22.4 NC @ 10 v | ± 20V | 1287 pf @ 25 v | - | 1.5W (TA) | ||
![]() | IRFP460LCPBF | 5.3900 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP460 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | *IRFP460LCPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 500 v | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 30V | 3600 pf @ 25 v | - | 280W (TC) | ||
![]() | BSC0703LSATMA1 | 0.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSC0703 | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 15A (TA), 64A (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 32a, 10V | 2.3V @ 20µA | 13 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1800 pf @ 30 v | - | 2.5W (TA), 46W (TC) | ||
![]() | PSMN3R3-80BS, 118 | 3.2300 | ![]() | 2617 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | psmn3r3 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 80 v | 120A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 111 NC @ 10 v | ± 20V | 8161 pf @ 40 v | - | 306W (TC) | ||
![]() | IXFR140N30P | 24.2000 | ![]() | 926 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFR140 | MOSFET (금속 (() | ISOPLUS247 ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 300 v | 70A (TC) | 10V | 26mohm @ 70a, 10V | 5V @ 8MA | 185 NC @ 10 v | ± 20V | 14800 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
EPC2016 | - | ![]() | 7644 | 0.00000000 | EPC | Egan® | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | EPC20 | Ganfet ((갈륨) | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0040 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 11A (TA) | 5V | 16mohm @ 11a, 5V | 2.5V @ 3MA | 5.2 NC @ 5 v | +6V, -5V | 520 pf @ 50 v | - | - | |||
![]() | BSP149L6327HTSA1 | - | ![]() | 5411 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | PG-SOT223-4-21 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 200 v | 660MA (TA) | 0V, 10V | 1.8ohm @ 660ma, 10V | 1V @ 400µA | 14 nc @ 5 v | ± 20V | 430 pf @ 25 v | 고갈 고갈 | 1.8W (TA) | ||||
![]() | PJD80N04_L2_00001 | 0.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD80 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD80N04_L2_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 14A (TA), 80A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1258 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 66W (TC) | |
![]() | DMT3020LFCL-7 | 0.1562 | ![]() | 2224 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-ufdfn 노출 패드 | DMT3020 | MOSFET (금속 (() | U-DFN1616-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7.6A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9a, 10V | 3V @ 250µA | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 393 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA) | ||
AON6504 | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 평평한 리드 | AON650 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 51A (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 1.8mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 2719 pf @ 15 v | - | 7.3W (TA), 83W (TC) | ||||
FDZ493P | - | ![]() | 8609 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 9-WFBGA | FDZ49 | MOSFET (금속 (() | 9-BGA (1.55x1.55) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 46mohm @ 4.6a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ± 12V | 754 pf @ 10 v | - | 1.7W (TA) | ||||
![]() | DMTH4M95SPSQ-13 | - | ![]() | 5138 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | DMTH4M95 | - | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMTH4M95SPSQ-13TR | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF3805L-7P | - | ![]() | 4859 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-7 | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 55 v | 160A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 140a, 10V | 4V @ 250µA | 200 nc @ 10 v | ± 20V | 7820 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||
![]() | IXFD40N30Q-72 | - | ![]() | 8764 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 대부분 | 쓸모없는 | - | - | 주사위 | IXFD40N30Q | MOSFET (금속 (() | 주사위 | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 300 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||
![]() | BUK7520-100A, 127 | - | ![]() | 1587 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 63A (TC) | 10V | 20mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 4373 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||
![]() | BUK761R8-30C, 118 | - | ![]() | 1442 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | buk76 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 100A (TC) | 10V | 1.8mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 150 nc @ 10 v | ± 20V | 10349 pf @ 25 v | - | 333W (TC) | ||
![]() | IRFU3504ZPBF | - | ![]() | 8776 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | IPAK (TO-251AA) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 9MOHM @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1510 pf @ 25 v | - | 90W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고