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| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | auirlu2905 | - |  | 3396 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001520838 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 4V, 10V | 27mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 48 NC @ 5 v | ± 16V | 1700 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||
 | FQD8N25TF | - | | 7225 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD8 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 250 v | 6.2A (TC) | 10V | 550mohm @ 3.1a, 10V | 5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 530 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||
 | SI3493DV-T1-E3 | - | | 7447 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3493 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 v | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||
 | BUK954R4-40B, 127 | - | | 3285 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 64 NC @ 5 v | ± 15V | 7124 pf @ 25 v | - | 254W (TC) | |||
 | irfrc20trlpbf | 1.8000 | | 6134 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRFRC20 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 2A (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.2a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
 | 2SK4101FS | 0.4900 | | 811 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
 | NTMFS5H419NLT1G | 1.5900 | | 979 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 29A (TA), 155A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1MOHM @ 20A, 10V | 2V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2900 pf @ 20 v | - | 3.1W (TA), 89W (TC) | ||
 | irl640strr | - | | 9432 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | irl640 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 200 v | 17A (TC) | 4V, 5V | 180mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250µA | 66 NC @ 5 v | ± 10V | 1800 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||
 | RM150N100ADF | 0.8000 | | 8337 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM150N100ADFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 100 v | 128A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 20A, 10V | 2.4V @ 250µA | ± 20V | 3650 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | |||||
 | SIHP28N65EF-GE3 | 3.4119 | | 1126 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SIHP28 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 28A (TC) | 10V | 117mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 146 NC @ 10 v | ± 30V | 3249 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||
 | PMPB27EP, 115 | 0.5400 | | 20 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB27 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.1A (TA) | 4.5V, 10V | 29mohm @ 6.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1570 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA), 12.5W (TC) | ||
 | AON7410L_101 | - | | 3864 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | AON741 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 9.5A (TA), 24A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 20W (TC) | |||
 | NDS7002A | 0.3500 | | 1980 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NDS7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 280MA (TA) | 5V, 10V | 2ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 300MW (TA) | |||
 | UPA2811T1L-e1-ay | 0.7300 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||
 | DMP10H400SEQ-13 | 0.6900 | | 4 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | DMP10 | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 2.3A (TA), 6A (TC) | 4.5V, 10V | 250mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 17.5 nc @ 10 v | ± 20V | 1239 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 13.7W (TC) | ||
| RF3710pbf | 1.0000 | | 3283 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| irlr110tr | - | | 5752 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IRLR110 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 4.3A (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 2.6a, 5v | 2V @ 250µA | 6.1 NC @ 5 v | ± 10V | 250 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | NTTFS3A08PZTAG | - | | 7051 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NTTFS3 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,500 | p 채널 | 20 v | 9A (TA) | 2.5V, 4.5V | 6.7mohm @ 12a, 4.5v | 1V @ 250µA | 56 NC @ 4.5 v | ± 8V | 5000 pf @ 10 v | - | 840MW (TA) | ||
 | ISL9N2357D3ST | 1.0200 | | 87 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 10V | 7mohm @ 35a, 10V | 4V @ 250µA | 258 NC @ 20 v | ± 20V | 5600 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||
 | IXFH10N90 | - | | 4630 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH10 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | ixfh10n90-ndr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 900 v | 10A (TC) | 10V | 1.1ohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 4mA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 4200 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | ||
| FQB12N60TM | 1.3900 | | 6 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK (TO-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 217 | n 채널 | 600 v | 10.5A (TC) | 10V | 700mohm @ 5.3a, 10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 v | ± 30V | 1900 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 180W (TC) | |||
 | SI7460DP-T1-E3 | 2.2000 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7460 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 9.6mohm @ 18a, 10V | 3V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||
 | ntlus3a18pztbg | 0.6900 | | 3 | 0.00000000 | 온세미 | µCool ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | ntlus3 | MOSFET (금속 (() | 6-udfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 18mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 28 NC @ 4.5 v | ± 8V | 2240 pf @ 15 v | - | 700MW (TA) | ||
 | fqu4n50tu | - | | 9154 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모 쓸모 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | fqu4 | MOSFET (금속 (() | i-pak | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,040 | n 채널 | 500 v | 2.6A (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.3a, 10V | 5V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 30V | 460 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||
 | IPP057N08N3GXKSA1 | 2.5300 | | 9573 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP057 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 80 v | 80A (TC) | 6V, 10V | 5.7mohm @ 80a, 10V | 3.5V @ 90µA | 69 NC @ 10 v | ± 20V | 4750 pf @ 40 v | - | 150W (TC) | ||
 | G800N06H | 0.4400 | | 2 | 0.00000000 | goford 반도체 | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 3A (TC) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 3a, 10V | 1.2V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 457 pf @ 30 v | 기준 | 1.2W (TC) | ||||
 | GSFQ1008 | 0.5800 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 8A (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 50 v | - | 2W (TA) | |||
 | STL7N60M2 | 1.5800 | | 965 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL7 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x5) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 5A (TC) | 10V | 1.05ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 8.8 NC @ 10 v | ± 25V | 271 pf @ 100 v | - | 4W (TA), 67W (TC) | ||
 | irlms6802tr | - | | 3153 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모 쓸모 | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | Micro6 ™ (SOT23-6) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.6A (TA) | 50mohm @ 5.1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 16 nc @ 5 v | 1079 pf @ 10 v | - | |||||||
 | irfh9310trpbf | 1.7200 | | 2 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRFH9310 | MOSFET (금속 (() | PQFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 21A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 21a, 10V | 2.4V @ 100µa | 58 NC @ 4.5 v | ± 20V | 5250 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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