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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SPP100N03S203 Infineon Technologies SPP100N03S203 -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp100n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 100A (TC) 10V 3.3mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 7020 pf @ 25 v - 300W (TC)
RJK2055DPA-WS#J0 Renesas Electronics America Inc RJK2055DPA-WS#J0 -
RFQ
 ECAD 8028 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wpak (3) - 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 20A (TA) 10V 69mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 1mA 38 NC @ 10 v ± 30V 2400 pf @ 25 v - 30W (TC)
BUK6228-55C,118 Nexperia USA Inc. BUK6228-55C, 118 -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 55 v 31A (TC) 10V 29mohm @ 10a, 10V 2.8V @ 1MA 20.2 NC @ 10 v ± 16V 1340 pf @ 25 v - 60W (TC)
FQP90N08 onsemi FQP90N08 -
RFQ
 ECAD 1001 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 71A (TC) 10V 16MOHM @ 35.5A, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3250 pf @ 25 v - 160W (TC)
STD4NK60ZT4 STMicroelectronics STD4NK60ZT4 1.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD4NK60 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 50µA 26 NC @ 10 v ± 30V 510 pf @ 25 v - 70W (TC)
RAL045P01TCR Rohm Semiconductor RAL045P01TCR 0.2801
RFQ
 ECAD 5146 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 RAL045 MOSFET (금속 (() Tumt6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 4.5A (TA) 1.5V, 4.5V 30mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 1mA 40 nc @ 4.5 v -8V 4200 pf @ 6 v - 1W (TA)
STP5NK52ZD STMicroelectronics STP5NK52ZD 2.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP5NK52 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 520 v 4.4A (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 50µA 16.9 NC @ 10 v ± 30V 529 pf @ 25 v - 25W (TC)
IRFSL23N20D102P Infineon Technologies IRFSL23N20D102P -
RFQ
 ECAD 6325 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 24A (TC) 10V 100mohm @ 14a, 10V 5.5V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 30V 1960 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 170W (TC)
IXFH7N100P IXYS IXFH7N100p 8.3188
RFQ
 ECAD 2780 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH7 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 7A (TC) 10V 1.9ohm @ 3.5a, 10V 6V @ 1MA 47 NC @ 10 v ± 30V 2590 pf @ 25 v - 300W (TC)
HUF75321S3S onsemi HUF75321S3S -
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 35A (TC) 10V 34mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 20 v ± 20V 680 pf @ 25 v - 93W (TC)
IRFBE20L Vishay Siliconix irfbe20l -
RFQ
 ECAD 1628 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRFBE20 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *irfbe20l 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 1.8A (TC) 10V 6.5ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - -
IRF1010EZL Infineon Technologies IRF1010EZL -
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF1010EZL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10V 4V @ 100µa 86 NC @ 10 v ± 20V 2810 pf @ 25 v - 140W (TC)
TPCC8003-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8003-H (TE12LQM -
RFQ
 ECAD 5379 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TPCC8003 MOSFET (금속 (() 8 3 3. (3.3x3.3) 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 16.9mohm @ 6.5a, 10V 2.3V @ 200µA 17 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 10 v - 700MW (TA), 22W (TC)
SI4890BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4890BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4890 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.6V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 25V 1535 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 5.7W (TC)
IRF740STRR Vishay Siliconix IRF740STRR -
RFQ
 ECAD 2707 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF740 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 10A (TC) 10V 550mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
DMP32D5LFA-7B Diodes Incorporated DMP32D5LFA-7B -
RFQ
 ECAD 7062 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP32 MOSFET (금속 (() X2-DFN0806-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 300MA (TA) 1.8V, 4.5V 1.5ohm @ 200ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 40.9 pf @ 15 v - 360MW (TA)
FDS2670 onsemi FDS2670 1.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS26 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 3A (TA) 10V 130mohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 20V 1228 pf @ 100 v - 2.5W (TA)
SIHH100N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHH100N60E-T1-GE3 3.6787
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn SIHH100 MOSFET (금속 (() PowerPak® 8 x 8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 28A (TC) 10V 100mohm @ 13.5a, 10V 5V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 30V 1850 pf @ 100 v - 174W (TC)
FDS7066ASN3 Fairchild Semiconductor FDS7066ASN3 1.1900
RFQ
 ECAD 623 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 19A (TA) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 19a, 10V 3V @ 1mA 62 NC @ 10 v ± 20V 2460 pf @ 15 v - 3W (TA)
IXTH130N15T IXYS IXTH130N15T -
RFQ
 ECAD 3483 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH130 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 130A (TC) 10V 12MOHM @ 65A, 10V 4.5V @ 1mA 113 NC @ 10 v ± 30V 9800 pf @ 25 v - 750W (TC)
SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7106DN-T1-E3 1.5600
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SI7106 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 12.5A (TA) 2.5V, 4.5V 6.2mohm @ 19.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
IRF6678 Infineon Technologies IRF6678 2.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 MX MOSFET (금속 (() DirectFet ™ MX 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,800 n 채널 30 v 30A (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 30A, 10V 2.25V @ 250µA 65 NC @ 4.5 v ± 20V 5640 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
IRFR3103TR Infineon Technologies irfr3103tr -
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 1.7A (TA) 10V 3.6ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
IRF644PBF Vishay Siliconix IRF644PBF 1.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF644 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF644PBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
FCP13N60N Fairchild Semiconductor FCP13N60N 2.5900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Supremos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 116 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 258mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 39.5 nc @ 10 v ± 30V 1765 pf @ 100 v - 116W (TC)
SPP100N04S2-04 Infineon Technologies SPP100N04S2-04 -
RFQ
 ECAD 2189 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp100n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.6mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 172 NC @ 10 v ± 20V 7220 pf @ 25 v - 300W (TC)
FDU8796_F071 onsemi FDU8796_F071 -
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA FDU87 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 25 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2610 pf @ 13 v - 88W (TC)
IRL80HS120 Infineon Technologies IRL80HS120 1.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 IRL80HS120 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 80 v 12.5A (TC) 4.5V, 10V 32MOHM @ 7.5A, 10V 2V @ 10µA 7 NC @ 4.5 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 11.5W (TC)
STS9P2UH7 STMicroelectronics STS9P2UH7 -
RFQ
 ECAD 4400 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) STS9P MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 9A (TC) 1.5V, 4.5V 22.5mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 22 nc @ 4.5 v ± 8V 2390 pf @ 16 v - 2.7W (TC)
IRLI3705NPBF International Rectifier IRLI3705NPBF -
RFQ
 ECAD 2948 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() PG-to220 20 팩 - 2156-irli3705npbf 1 n 채널 55 v 52A (TC) 4V, 10V 10mohm @ 28a, 10V 2V @ 250µA 98 NC @ 5 v ± 16V 3600 pf @ 25 v - 58W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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