SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
APT10050LVRG Microchip Technology APT10050LVRG 23.9700
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT10050 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 21A (TC) 500mohm @ 500ma, 10V 4V @ 2.5MA 500 NC @ 10 v 7900 pf @ 25 v -
AOTF10T60PL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF10T60PL -
RFQ
 ECAD 1739 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF10 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1651-5 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TC) 10V 700mohm @ 5a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1595 pf @ 100 v - 33W (TC)
NTMFS4939NT1G onsemi NTMFS4939NT1G -
RFQ
 ECAD 3461 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4939 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 9.3A (TA), 53A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 28.5 nc @ 10 v ± 20V 1954 pf @ 15 v - 920MW (TA), 30W (TC)
IRFR9120TRPBF Vishay Siliconix irfr9120trpbf 1.4000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 390 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor rq1e050rptr 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 RQ1E050 MOSFET (금속 (() TSMT8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4V, 10V 31mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 28 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 10 v - 700MW (TA)
AOD450A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD450A70 0.7509
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD45 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOD450A70TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 11A (TC) 10V 450mohm @ 2.3a, 10V 3.6V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1115 pf @ 100 v - 125W (TC)
IRFU120PBF Vishay Siliconix IRFU120PBF 1.0600
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU120 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFU120PBF 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
BXL4004-1E onsemi BXL4004-1E -
RFQ
 ECAD 1028 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 BXL40 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 100A (TA) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 50a, 10V - 140 NC @ 10 v ± 20V 8200 pf @ 20 v - 75W (TC)
BUK7D25-40EX Nexperia USA Inc. BUK7D25-40EX 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 buk7d25 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TA) 10V 25mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 460 pf @ 20 v - 15W (TC)
RSR025N05HZGTL Rohm Semiconductor RSR025N05HZGTL 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RSR025 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 45 v 2.5A (TA) 4V, 10V 100mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 1mA 3.6 NC @ 5 v ± 20V 260 pf @ 10 v - 700MW (TA)
IRL3715Z Infineon Technologies IRL3715Z -
RFQ
 ECAD 1998 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3715Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 15a, 10V 2.55V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 10 v - 45W (TC)
FQPF4N90 onsemi FQPF4N90 -
RFQ
 ECAD 2705 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF4 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 2.5A (TC) 10V 3.3ohm @ 1.25a, 10V 5V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 1100 pf @ 25 v - 47W (TC)
MCB200N06YA-TP Micro Commercial Co MCB200N06YA-TP 2.0200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MCB200N06 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 200a 6V, 10V 3.2MOHM @ 20A, 10V 3.8V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 20V 4165 pf @ 25 v - 260W (TJ)
AUIRFS3307Z International Rectifier AUIRFS3307Z -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 75 v 120A (TC) 10V 5.8mohm @ 75a, 10V 4V @ 150µA 110 NC @ 10 v ± 20V 4750 pf @ 50 v - 230W (TC)
SIR106ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106adp-t1-Re3 1.5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir106 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIR106ADP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16.1A (TA), 65.8 (TC) 7.5V, 10V 8mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2440 pf @ 50 v - 5W (TA), 83.3W (TC)
IPD135N08N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD135N08N3GBTMA1 -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD135N MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 45A (TC) 6V, 10V 13.5mohm @ 45a, 10V 3.5V @ 33µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1730 pf @ 40 v - 79W (TC)
FDD10N20LZTM onsemi FDD10N20LZTM -
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 온세미 unifet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD10N20 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 7.6A (TC) 5V, 10V 360mohm @ 3.8a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 585 pf @ 25 v - 83W (TC)
PSMN7R6-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN7R6-100BSEJ 2.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn7r6 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TJ) 10V 7.6mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 128 NC @ 10 v ± 20V 7110 pf @ 50 v - 296W (TC)
FQA140N10 onsemi FQA140N10 7.1100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA140 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 140A (TC) 10V 10mohm @ 70a, 10v 4V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 25V 7900 pf @ 25 v - 375W (TC)
2N7002_L99Z onsemi 2N7002_L99Z -
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 200MW (TA)
PMV130ENEA/DG/B2R Nexperia USA Inc. PMV130ENEA/DG/B2R -
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068781215 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 2.1A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 1.5a, 10V 2.5V @ 250µA 3.6 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 20 v - 5W (TC)
AOI950A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOI950A70 1.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOI950 MOSFET (금속 (() TO-251A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1820 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 700 v 5A (TC) 10V 950mohm @ 1a, 10V 4.1V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 461 pf @ 100 v - 56.5W (TC)
SI7463ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7463ADP-T1-GE3 1.2600
RFQ
 ECAD 7442 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7463 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 46A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 144 NC @ 10 v ± 20V 4150 pf @ 20 v - 5W (TA), 39W (TC)
ZXM61P02FTA Diodes Incorporated zxm61p02fta 0.4600
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXM61P02 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 900MA (TA) 2.7V, 4.5V 600mohm @ 610ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 3.5 NC @ 4.5 v ± 12V 150 pf @ 15 v - 625MW (TA)
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J132TU, LF 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 3-smd,, 리드 SSM3J132 MOSFET (금속 (() UFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 5.4A (TA) 1.2V, 4.5V 17mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 1mA 33 NC @ 4.5 v ± 6V 2700 pf @ 10 v - 500MW (TA)
2V7002LT3G onsemi 2V7002LT3G -
RFQ
 ECAD 9430 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2V7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 225MW (TA)
IRF1405LPBF Infineon Technologies IRF1405LPBF -
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 131A (TC) 10V 5.3mohm @ 101a, 10V 4V @ 250µA 260 NC @ 10 v ± 20V 5480 pf @ 25 v - 200W (TC)
SPI12N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPI12N50C3HKSA1 -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA SPI12N MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000014467 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 500 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
AO4498 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4498 0.2634
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 18A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 250µA 44.5 nc @ 10 v ± 20V 2300 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
MCH6337-TL-H onsemi MCH6337-TL-H -
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH63 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 1.8V, 4.5V 49mohm @ 3a, 4.5v - 7.3 NC @ 4.5 v ± 10V 670 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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