SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
RFP2N08 Harris Corporation RFP2N08 0.2700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,110 n 채널 80 v 2A (TC) 10V 1.05ohm @ 2a, 5V 4V @ 250µA ± 20V 200 pf @ 25 v - 25W (TC)
APT17N80SC3G Microsemi Corporation APT17N80SC3G -
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 290mohm @ 11a, 10V 3.9V @ 1mA 90 NC @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 25 v - 208W (TC)
AO4435_103 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4435_103 -
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 30 v 10.5A (TA) 5V, 20V 14mohm @ 11a, 20V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 25V 1400 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
PJF2NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJF2NA70_T0_00001 -
RFQ
ECAD 9272 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF2NA70 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF2NA70_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 2A (TA) 10V 6.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 30V 260 pf @ 25 v - 28W (TC)
DMT35M7LFV-13 Diodes Incorporated DMT35M7LFV-13 0.2741
RFQ
ECAD 3683 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT35 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 76A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1667 pf @ 15 v - 1.98W (TA)
DMP45H4D9HK3-13 Diodes Incorporated DMP45H4D9HK3-13 0.8400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP45 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 450 v 4.7A (TC) 10V 4.9ohm @ 1.05a, 10V 5V @ 250µA 13.7 NC @ 10 v ± 30V 564 pf @ 25 v - 104W (TC)
SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies SPP80N06S2L-11 -
RFQ
ECAD 5782 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 40a, 10V 2V @ 93µA 80 nc @ 10 v ± 20V 2650 pf @ 25 v - 158W (TC)
SPP80N08S2-07 Infineon Technologies SPP80N08S2-07 -
RFQ
ECAD 5251 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 7.4mohm @ 66a, 10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 6130 pf @ 25 v - 300W (TC)
BSS138BKW-B115 NXP USA Inc. BSS138BKW-B115 0.0300
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 1,899
BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC004NE2LS5ATMA1 2.6400
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 25 v 40A (TA), 479A (TC) 4.5V, 10V 0.45mohm @ 30a, 10V 2V @ 10MA 238 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 12.5 v - 2.5W (TA), 188W (TC)
PSMN041-80YL115 NXP USA Inc. PSMN041-80YL15 1.0000
RFQ
ECAD 3638 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
IXFL210N30P3 IXYS IXFL210N30P3 36.4500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polar3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFL210 MOSFET (금속 (() ISOPLUS264 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ixfl210n30p3 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 300 v 108A (TC) 10V 16MOHM @ 105A, 10V 5V @ 8MA 268 NC @ 10 v ± 20V 16200 pf @ 25 v - 520W (TC)
FDB3682 onsemi FDB3682 2.3900
RFQ
ECAD 2829 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB368 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 6A (TA), 32A (TC) 6V, 10V 36mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1250 pf @ 25 v - 95W (TC)
SI2307CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-BE3 0.5100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.7A (TA), 3.5A (TC) 4.5V, 10V 88mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 6.2 NC @ 4.5 v ± 20V 340 pf @ 15 v - 1.1W (TA), 1.8W (TC)
IRLU3636PBF Infineon Technologies irlu3636pbf 2.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA irlu3636 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001567320 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 6.8mohm @ 50a, 10V 2.5V @ 100µa 49 NC @ 4.5 v ± 16V 3779 pf @ 50 v - 143W (TC)
IRF610B Fairchild Semiconductor IRF610B 0.3400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 3.3A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.65a, 10V 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 30V 225 pf @ 25 v - 38W (TC)
SPI20N65C3 Infineon Technologies SPI20N65C3 -
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IXFP10N80P IXYS ixfp10n80p 6.3800
RFQ
ECAD 281 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXFP10 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 10A (TC) 10V 1.1ohm @ 5a, 10V 5.5V @ 2.5MA 40 nc @ 10 v ± 30V 2050 pf @ 25 v - 300W (TC)
NTMFS4C50NT3G onsemi ntmfs4c50nt3g -
RFQ
ECAD 1446 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 - 5-DFN (5x6) (8-SOFL) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 - 21.7A (TA) - - - -
NTMFS5C670NLT1G onsemi NTMFS5C670NLT1G 2.0100
RFQ
ECAD 125 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 17A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 6.1mohm @ 35a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 61W (TC)
EPC2007 EPC EPC2007 -
RFQ
ECAD 5089 0.00000000 EPC Egan® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 EPC20 Ganfet ((갈륨) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0040 1,000 n 채널 100 v 6A (TA) 5V 30mohm @ 6a, 5V 2.5V @ 1.2MA 2.8 NC @ 5 v +6V, -5V 205 pf @ 50 v - -
NTMFS4D8N02HT1G onsemi NTMFS4D8N02HT1G -
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-ntmfs4d8n02ht1gtr 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 25 v 21A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 2.1V @ 250µA 13.4 NC @ 10 v ± 20V 780 pf @ 12 v - 3.2W (TA), 41W (TC)
PMK30EP,518 Nexperia USA Inc. PMK30ep, 518 -
RFQ
ECAD 1298 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 14.9A (TC) 10V 19mohm @ 9.2a, 10V 3V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2240 pf @ 25 v - 6.9W (TC)
IRF5803D2TRPBF Infineon Technologies IRF5803D2TRPBF -
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 인피온 인피온 Fetky ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 3.4A (TA) 4.5V, 10V 112mohm @ 3.4a, 10V 3V @ 250µA 37 NC @ 10 v ± 20V 1110 pf @ 25 v Schottky 분리 (다이오드) 2W (TA)
SIE874DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE874DF-T1-GE3 2.4600
RFQ
ECAD 413 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 10-Polarpak® (L) SIE874 MOSFET (금속 (() 10-Polarpak® (L) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 60A (TC) 4.5V, 10V 1.17mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 6200 pf @ 10 v - 5.2W (TA), 125W (TC)
UPA1524H-AZ Renesas Electronics America Inc UPA1524H-AZ -
RFQ
ECAD 8683 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 35
NTD6414ANT4G onsemi NTD6414ANT4G 1.7500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD6414 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 32A (TC) 10V 37mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 25 v - 100W (TC)
STK30N2LLH5 STMicroelectronics STK30N2LLH5 -
RFQ
ECAD 2526 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ v 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 Polarpak® STK30 MOSFET (금속 (() Polarpak® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 2.9mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 20V 2290 pf @ 25 v - 5.2W (TC)
DMTH6002LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6002LPSWQ-13 1.0319
RFQ
ECAD 9232 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 (SWP) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH6002LPSWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 205A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 131 NC @ 10 v ± 20V 8289 pf @ 30 v - 3W (TA), 167W (TC)
SI3443CDV-T1-BE3 Vishay Siliconix SI3443CDV-T1-BE3 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-SI3443CDV-T1-BE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.7A (TA), 5.97A (TC) 2.5V, 4.5V 60mohm @ 4.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 12.4 NC @ 5 v ± 12V 610 pf @ 10 v - 2W (TA), 3.2W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고