SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
NDB7060L onsemi NDB7060L -
RFQ
ECAD 7417 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NDB706 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 75A (TC) 15mohm @ 37.5a, 5V 2V @ 250µA 115 NC @ 5 v 4000 pf @ 25 v -
NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc np50n04yuk-e1-ay 1.5600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powerldfn MOSFET (금속 (() 8-HSON (5x5.4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 4.8mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 1W (TA), 97W (TC)
PMV50ENEA215 NXP Semiconductors PMV50ENEA215 -
RFQ
ECAD 4345 0.00000000 nxp 반도체 * 대부분 활동적인 PMV50 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1
IXTF1N450 IXYS IXTF1N450 101.4600
RFQ
ECAD 7133 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 i4 -pac ™ -5 (3 리드) IXTF1 MOSFET (금속 (() Isoplus i4-Pac ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 4500 v 900ma (TC) 10V 85ohm @ 50ma, 10V 6.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1730 pf @ 25 v - 160W (TC)
IPB040N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB040N08NF2SATMA1 2.9800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB040N MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPB040N08NF2SATMA1DKR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 50 v 107A (TC) 6V, 10V 4mohm @ 80a, 10V 3.8V @ 85µA 81 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 40 v - 150W (TC)
NTMFS3D2N10MDT1G onsemi ntmfs3d2n10mdt1g 3.2600
RFQ
ECAD 807 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 19A (TA), 142A (TC) 6V, 10V 3.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 316µA 71.3 NC @ 10 v ± 20V 3900 pf @ 50 v - 2.8W (TA), 155W (TC)
STH52N10LF3-2AG STMicroelectronics STH52N10LF3-2AG -
RFQ
ECAD 9734 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ F3 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STH52 MOSFET (금속 (() H2PAK-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 52A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 26a, 10V 2.5V @ 250µA 18.5 nc @ 5 v ± 20V 1900 pf @ 400 v - 110W (TC)
IXTQ62N15P IXYS IXTQ62N15P -
RFQ
ECAD 9785 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ62 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 62A (TC) 10V 40mohm @ 31a, 10V 5.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 2250 pf @ 25 v - 350W (TC)
TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK7A45DA (STA4, Q, M) 1.4000
RFQ
ECAD 5114 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 π-mosvii 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK7A45 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 450 v 6.5A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.3a, 10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 30V 540 pf @ 25 v - 35W (TC)
BSO080P03NS3 G Infineon Technologies BSO080P03NS3 g -
RFQ
ECAD 3987 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12A (TA) 6V, 10V 8mohm @ 14.8a, 10V 3.1V @ 150µA 81 NC @ 10 v ± 25V 6750 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
STB21NM50N STMicroelectronics STB21NM50N -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB21N MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 18A (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 65 nc @ 10 v ± 25V 1950 pf @ 25 v - 140W (TC)
HUF76609D3S onsemi HUF76609D3S -
RFQ
ECAD 8644 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 huf76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,800 n 채널 100 v 10A (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 16V 425 pf @ 25 v - 49W (TC)
APT10025JVR Microchip Technology APT10025JVR 86.5000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT10025 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 34A (TC) 250mohm @ 500ma, 10V 4V @ 5MA 990 NC @ 10 v 18000 pf @ 25 v -
FDY101PZ onsemi fdy101pz 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 fdy101 MOSFET (금속 (() SC-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 150MA (TA) 1.5V, 4.5V 8ohm @ 150ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.4 NC @ 4.5 v ± 8V 100 pf @ 10 v - 625MW (TA)
RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor RQ5L030SNTL 0.6800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5L030 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4V, 10V 85mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 1mA 5 nc @ 5 v ± 20V 380 pf @ 10 v - 700MW (TA)
FCH099N60E onsemi FCH099N60E -
RFQ
ECAD 3669 0.00000000 온세미 Superfet® II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH099 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 600 v 37A (TC) 10V 99mohm @ 18.5a, 10V 3.5V @ 250µA 114 NC @ 10 v ± 20V 3465 pf @ 380 v - 357W (TC)
GSFC02501 Good-Ark Semiconductor GSFC02501 0.1900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 25 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 640mohm @ 550ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 8V 58 pf @ 10 v - 690MW (TA)
MTD6P10E onsemi mtd6p10e -
RFQ
ECAD 9864 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 mtd6p MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 mtd6p10eos 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 100 v 6A (TC) 10V 660mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 15V 840 pf @ 25 v - 1.75W (TA), 50W (TC)
IRFZ44EL Infineon Technologies IRFZ44EL -
RFQ
ECAD 6587 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ44EL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 48A (TC) 10V 23mohm @ 29a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 25 v - 110W (TC)
FDFMA2P857 onsemi FDFMA2P857 -
RFQ
ECAD 4937 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDFMA2 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 8V 435 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
FDMA410NZT-F130 onsemi FDMA410NZT-F130 0.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-UDFN (2.05x2.05) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 9.5A (TA) 1.5V, 4.5V 23mohm @ 9.5a, 4.5v 1V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 1310 pf @ 10 v - 900MW (TA)
AOV15S60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOV15S60 1.4244
RFQ
ECAD 7033 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-powertsfn AOV15 MOSFET (금속 (() 4-DFN (8x8) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 600 v 520MA (TA), 12A (TC) 10V 360mohm @ 7.5a, 10V 3.8V @ 250µA 15.6 NC @ 10 v ± 30V 717 pf @ 100 v - 8.3W (TA), 208W (TC)
FDB14AN06LA0-F085 onsemi FDB14AN06LA0-F085 -
RFQ
ECAD 7949 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB14AN06 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 67A (TC) 5V, 10V 11.6MOHM @ 67A, 10V 3V @ 250µA 31 NC @ 5 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 125W (TC)
FDMC7660DC Fairchild Semiconductor FDMC7660DC -
RFQ
ECAD 9332 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Dual Cool ™, Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 듀얼 듀얼 ™ 33 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-FDMC7660DC-600039 1 n 채널 30 v 30A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.2MOHM @ 22A, 10V 2.5V @ 250µA 76 NC @ 10 v ± 20V 5170 pf @ 15 v - 3W (TA), 78W (TC)
BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies BSC030P03NS3GAUMA1 2.8000
RFQ
ECAD 37 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC030 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-1 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 25.4A (TA), 100A (TC) 6V, 10V 3MOHM @ 50A, 10V 3.1V @ 345µA 186 NC @ 10 v ± 25V 14000 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 125W (TC)
FQAF19N20 Fairchild Semiconductor FQAF19N20 0.8300
RFQ
ECAD 684 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 200 v 15A (TC) 10V 150mohm @ 7.5a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1600 pf @ 25 v - 85W (TC)
SI2302A-TP-HF Micro Commercial Co SI2302A-TP-HF -
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SI2302 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 353-SI2302A-TP-HF 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 20 v 3A 2.5V, 4.5V 72mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 50µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 237 pf @ 10 v - 1.25W
IRF2807Z Infineon Technologies IRF2807Z -
RFQ
ECAD 7281 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 75A (TC) 10V 9.4mohm @ 53a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 3270 pf @ 25 v - 170W (TC)
2N7002-13-F-79 Diodes Incorporated 2N7002-13-F-79 -
RFQ
ECAD 7199 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 31-2N7002-13-F-79 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 60 v 170ma (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.23 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
STF4N90K5 STMicroelectronics STF4N90K5 2.1200
RFQ
ECAD 922 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STF4N90 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-17071 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 4A (TC) 10V 2.1ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 5.3 NC @ 10 v ± 30V 173 pf @ 100 v - 20W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고