SIC
close

단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
ZXMP6A18KTC Diodes Incorporated ZXMP6A18KTC 1.1100
RFQ
 ECAD 7085 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP6A18 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 6.8A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1580 pf @ 30 v - 2.15W (TA)
IXTK90N15 IXYS IXTK90N15 -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 ixys 메가모스 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXTK90 MOSFET (금속 (() TO-264 (IXTK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 16mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 6400 pf @ 25 v - 390W (TC)
G1K1P06LL Goford Semiconductor g1k1p06ll 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 goford 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6L 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0000 3,000 p 채널 60 v 3A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1035 pf @ 30 v - 1.5W (TC)
FCA20N60-F109 onsemi FCA20N60-F109 4.2172
RFQ
 ECAD 5143 0.00000000 온세미 Superfet ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FCA20N60 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA 98 NC @ 10 v ± 30V 3080 pf @ 25 v - 208W (TC)
2SJ203-L-A Renesas Electronics America Inc 2SJ203-LA 1.0000
RFQ
 ECAD 8385 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1
AOTF4N60_002 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF4N60_002 -
RFQ
 ECAD 2988 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 - - - AOTF4 MOSFET (금속 (() - - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 - - - - - - -
R6006JNJGTL Rohm Semiconductor r6006jnjgtl 2.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB R6006 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 6A (TC) 15V 936MOHM @ 3A, 15V 7V @ 800µA 15.5 nc @ 15 v ± 30V 410 pf @ 100 v - 86W (TC)
IRF541 Harris Corporation IRF541 1.5800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 80 v 28A (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 25 v - 150W (TC)
SQR40N10-25_GE3 Vishay Siliconix SQR40N10-25_GE3 2.3900
RFQ
 ECAD 4340 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-4, DPAK (3 리드 + 탭) SQR40 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 리버스 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 40A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3380 pf @ 25 v - 136W (TC)
IPI045N10N3 G Infineon Technologies IPI045N10N3 g -
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 137A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 150µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8410 pf @ 50 v - 214W (TC)
NTD4810NHT4G onsemi NTD4810NHT4G -
RFQ
 ECAD 8302 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD48 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 9A (TA), 54A (TC) 4.5V, 11.5V 10MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1225 pf @ 12 v - 1.28W (TA), 50W (TC)
IRF151 Harris Corporation IRF151 1.5600
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AE MOSFET (금속 (() TO-204AE 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 40A (TC) 10V 55mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 150W (TC)
FCPF600N60ZL1 onsemi FCPF600N60ZL1 -
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 온세미 Superfet® III 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF600 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 7.4A (TC) 10V 600mohm @ 3.7a, 10V 3.5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1120 pf @ 25 v - 28W (TC)
DMP610DLQ-7 Diodes Incorporated DMP610DLQ-7 0.0550
RFQ
 ECAD 5589 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmp610dlq-7tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 186MA (TA) 5V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA 0.5 nc @ 5 v ± 30V 40 pf @ 25 v - 520MW (TA)
IRFR3709ZPBF Infineon Technologies IRFR3709ZPBF -
RFQ
 ECAD 9823 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 86A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 15a, 10V 2.25V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 2330 pf @ 15 v - 79W (TC)
TW140N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW140N120C, S1F 11.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 20A (TC) 18V 182mohm @ 10a, 18V 5V @ 1MA 24 nc @ 18 v +25V, -10V 691 pf @ 800 v - 107W (TC)
SFH9240 onsemi SFH9240 -
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SFH924 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SFH9240FS 귀 99 8541.29.0095 30 p 채널 200 v 11A (TC) 10V 500mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 30V 1585 pf @ 25 v - 126W (TC)
SI1480DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1480DH-T1-GE3 0.5100
RFQ
 ECAD 2193 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1480 MOSFET (금속 (() SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.6A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 1.9a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 130 pf @ 50 v - 1.5W (TA), 2.8W (TC)
G18P03S Goford Semiconductor G18P03S 0.1930
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 goford 반도체 G 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 4,000 p 채널 30 v 15A (TC) 4.5V, 10V 10MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 3570 pf @ 15 v - 3.1W (TC)
RQA0009TXDQS#H1 Renesas RQA0009TXDQS#H1 -
RFQ
 ECAD 1446 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-243AA MOSFET (금속 (() upak - 2156-RQA0009TXDQS#H1 1 n 채널 16 v 3.2A (TA) - - 0.8V @ 1mA ± 5V 76 pf @ 0 v - 15W (TC)
HUF76619D3ST onsemi huf76619d3st -
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 huf76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 18A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 16V 767 pf @ 25 v - 75W (TC)
SIHG24N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHG24N65E-GE3 6.1200
RFQ
 ECAD 7377 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIHG24 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 650 v 24A (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 122 NC @ 10 v ± 30V 2740 pf @ 100 v - 250W (TC)
PSMN005-30K,518 Nexperia USA Inc. PSMN005-30K, 518 -
RFQ
 ECAD 7184 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10V 3V @ 1mA 34 NC @ 4.5 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 3.5W (TC)
DMP2160U-7 Diodes Incorporated DMP2160U-7 0.4500
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2160 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.2A (TA) 1.8V, 4.5V 80mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA ± 12V 627 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
DMP6250SE-13 Diodes Incorporated DMP6250SE-13 0.7000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DMP6250 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 2.1A (TA) 4.5V, 10V 250mohm @ 1a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 20V 551 pf @ 30 v - 1.8W (TA), 14W (TC)
STW24NM65N STMicroelectronics STW24NM65N -
RFQ
 ECAD 6663 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 STW24N MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 19A (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 25V 2500 pf @ 50 v - 160W (TC)
IRF9621 Harris Corporation IRF9621 -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 150 v 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 40W (TC)
IPB015N06NF2SATMA1 Infineon Technologies IPB015N06NF2SATMA1 2.8200
RFQ
 ECAD 794 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB015 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 37A (TA), 195a (TC) 6V, 10V 1.5mohm @ 100a, 10V 3.3V @ 186µA 233 NC @ 10 v ± 20V 10500 pf @ 30 v - 3.8W (TA), 250W (TC)
IRFU321 Harris Corporation IRFU321 -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 3.1A (TA) 10V 1.8ohm @ 1.7a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 50W (TC)
DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ-13 0.8700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH8012 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 10A (TA), 72A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 46.8 NC @ 10 v ± 20V 2051 pf @ 40 v - 2.6W (TA), 136W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다