SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FCPF11N65_G onsemi fcpf11n65_g -
RFQ
 ECAD 8092 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 FCPF11 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
2SK4177-DL-E onsemi 2SK4177-DL-E -
RFQ
 ECAD 4695 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 2SK4177 MOSFET (금속 (() SMP-FD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 1500 v 2A (TA) 10V 13o @ 1a, 10V - 37.5 nc @ 10 v ± 20V 380 pf @ 30 v - 80W (TC)
FQA9N50 Fairchild Semiconductor fqa9n50 -
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 220 n 채널 500 v 9.6A (TC) 10V 730mohm @ 4.8a, 10V 5V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1450 pf @ 25 v - 160W (TC)
BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSS316NH6327XTSA1 0.4200
RFQ
 ECAD 694 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS316 MOSFET (금속 (() PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.4A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 1.4a, 10V 2V @ 3.7µA 0.6 nc @ 5 v ± 20V 94 pf @ 15 v - 500MW (TA)
IXTN120P20T IXYS IXTN120P20T 54.3500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXTN120 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 p 채널 200 v 106A (TC) 10V 30mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250µA 740 NC @ 10 v ± 15V 73000 pf @ 25 v - 830W (TC)
SIS434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS434DN-T1-GE3 0.9700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 SIS434 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 35A (TC) 4.5V, 10V 7.6mohm @ 16.2a, 10V 2.2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1530 pf @ 20 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
DMPH4015SSSQ-13 Diodes Incorporated DMPH4015SSSQ-13 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMPH4015 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 11.4A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 9.8a, 10V 2.5V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 25V 4234 pf @ 20 v - 1.8W
RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor RW4E045ATTCL1 0.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn RW4E045 MOSFET (금속 (() DFN1616-7T 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 1mA 11 NC @ 10 v ± 20V 485 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
NTR4171PT3G onsemi NTR4171PT3G -
RFQ
 ECAD 7164 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR417 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 2.2A (TA) 2.5V, 10V 75mohm @ 2.2a, 10V 1.4V @ 250µA 15.6 NC @ 10 v ± 12V 720 pf @ 15 v - 480MW (TA)
BUK7526-100B,127 Nexperia USA Inc. BUK7526-100B, 127 -
RFQ
 ECAD 5721 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 49A (TC) 10V 26mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 38 NC @ 10 v ± 20V 2891 pf @ 25 v - 157W (TC)
AO3498 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3498 -
RFQ
 ECAD 4993 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-AO3498tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.8A (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 3.8a, 10V 1.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 12V 235 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
SFT1443-W onsemi SFT1443-W -
RFQ
 ECAD 5795 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA SFT144 MOSFET (금속 (() IPAK/TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 9A (TA) 4V, 10V 225mohm @ 3a, 10V 2.6v @ 1ma 9.8 nc @ 10 v ± 20V 490 pf @ 20 v - 1W (TA), 19W (TC)
FQD5N20LTM Fairchild Semiconductor fqd5n20ltm 0.3300
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 358 n 채널 200 v 3.8A (TC) 5V, 10V 1.2ohm @ 1.9a, 10V 2V @ 250µA 6.2 NC @ 5 v ± 20V 325 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 37W (TC)
IRFSL4321PBF Infineon Technologies IRFSL4321PBF -
RFQ
 ECAD 5953 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550194 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 85A (TC) 10V 15mohm @ 33a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 4460 pf @ 25 v - 350W (TC)
BSZ076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ076N06NS3GATMA1 -
RFQ
 ECAD 7683 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 20A (TC) 10V 7.6MOHM @ 20A, 10V 4V @ 35µA 50 nc @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 69W (TC)
DMN5040LSS-13 Diodes Incorporated DMN5040LSS-13 0.1595
RFQ
 ECAD 5486 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN5040 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 50 v 5.2A (TA) 4.5V, 10V 4.5A, 10V 40mohm 3V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 836 pf @ 30 v - 1.3W (TA)
BUK7520-100A,127 NXP USA Inc. BUK7520-100A, 127 -
RFQ
 ECAD 1638 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 296 n 채널 100 v 63A (TC) 10V 20mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 4373 pf @ 25 v - 200W (TC)
HUF76609D3 Fairchild Semiconductor HUF76609D3 0.4000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 10A (TC) 4.5V, 10V 160mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 16V 425 pf @ 25 v - 49W (TC)
DMN31D5L-7 Diodes Incorporated DMN31D5L-7 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN31 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 2.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.6V @ 250µA 1.2 NC @ 10 v ± 20V 50 pf @ 15 v - 350MW (TA)
STP10NM50N STMicroelectronics stp10nm50n -
RFQ
 ECAD 2083 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP10 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 7A (TC) 10V 630mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 50 v - 70W (TC)
RJK1575DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK1575DPA-00#J5A 1.7009
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RJK1575 MOSFET (금속 (() WPAK (3F) (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1161-RJK1575DPA-00#J5ACT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 25A (TA) 10V 48mohm @ 12.5a, 10V - 37 NC @ 10 v ± 30V 2200 pf @ 25 v - 65W (TC)
IPD60R3K3C6 Infineon Technologies IPD60R3K3C6 -
RFQ
 ECAD 2829 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 1.7A (TC) 10V 3.3ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 40µA 4.6 NC @ 10 v ± 20V 93 pf @ 100 v - 18.1W (TC)
DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated DMG3401LSN-7 0.3800
RFQ
 ECAD 6131 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3401 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3A (TA) 2.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10V 1.3V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 12V 1326 pf @ 15 v - 800MW (TA)
IRL2910SPBF Infineon Technologies IRL2910SPBF -
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 55A (TC) 4V, 10V 26mohm @ 29a, 10V 2V @ 250µA 140 nc @ 5 v ± 16V 3700 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
IXKC19N60C5 IXYS IXKC19N60C5 -
RFQ
 ECAD 9236 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 ISOPLUS220 ™ IXKC19 MOSFET (금속 (() ISOPLUS220 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 19A (TC) 10V 125mohm @ 16a, 10V 3.5v @ 1.1ma 70 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 100 v - -
R6009END3TL1 Rohm Semiconductor R6009end3tl1 2.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6009 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 535mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 1MA 23 nc @ 10 v ± 20V 430 pf @ 25 v - 94W (TC)
MCG30N03A-TP Micro Commercial Co MCG30N03A-TP 0.5500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCG30 MOSFET (금속 (() DFN3333 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 353-MCG30N03A-TPTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1020 pf @ 15 v - 20W (TC)
SCH1337-TL-HX onsemi SCH1337-TL-HX -
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - - - SCH133 - - - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
NDT3055 onsemi NDT3055 0.9800
RFQ
 ECAD 2506 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA NDT305 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 4A (TA) 10V 100mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 30 v - 3W (TA)
BSP320SL6327 Infineon Technologies BSP320SL6327 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 2.9A (TJ) 10V 120mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 20µA 12 nc @ 10 v ± 20V 340 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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