SIC
close

단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXTP44P15T IXYS IXTP44P15T 6.3900
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP44 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 44A (TC) 10V 65mohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 15V 13400 pf @ 25 v - 298W (TC)
BUZ103SL Infineon Technologies buz103sl -
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
FQD12N20TF Fairchild Semiconductor FQD12N20TF 0.5300
RFQ
 ECAD 6346 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 280mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 55W (TC)
DMN5L06KQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06KQ-7 -
RFQ
 ECAD 7272 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN5L06 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 300MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW
FQD7P20TM_F080 onsemi FQD7P20TM_F080 -
RFQ
 ECAD 5063 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD7 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 200 v 5.7A (TC) 10V 690mohm @ 2.85a, 10V 5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 770 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 55W (TC)
PMV30UN2VL Nexperia USA Inc. pmv30un2vl 0.0941
RFQ
 ECAD 9411 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV30 MOSFET (금속 (() TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934068491235 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 5.4A (TA) 1.2V, 4.5V 32mohm @ 4.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 12V 655 pf @ 10 v - 490MW (TA)
DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated DMG4496SSS-13 0.4400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4496 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 21.5mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA 10.2 NC @ 10 v ± 25V 493.5 pf @ 15 v - 1.42W (TA)
FQP9N50C onsemi FQP9N50C -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FQP9 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 135W (TC)
2SJ067400L Panasonic Electronic Components 2SJ067400L -
RFQ
 ECAD 8657 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 MOSFET (금속 (() SSSMINI3-F1 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 100MA (TA) 2.5V, 4V 18ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 1µa ± 12V 12 pf @ 3 v - 100MW (TA)
TP0202K-T1-E3 Vishay Siliconix TP0202K-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TP0202 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 385MA (TA) 4.5V, 10V 1.4ohm @ 500ma, 10V 3V @ 250µA 1 nc @ 10 v ± 20V 31 pf @ 15 v - 350MW (TA)
SIR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir626LDP-T1-RE3 1.8000
RFQ
 ECAD 3581 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir626 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 45.6a (TA), 186a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 5900 pf @ 30 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
PSMN4R2-30MLDX Nexperia USA Inc. psmn4r2-30mldx 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) psmn4r2 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 25a, 10V 2.2v @ 1ma 29.3 NC @ 10 v ± 20V 1795 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 65W (TC)
AOWF11C60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOWF11C60 -
RFQ
 ECAD 6074 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA AOWF11 MOSFET (금속 (() TO-262F 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1656-5 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 5.5a, 10V 5V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 2000 pf @ 100 v - 28W (TC)
2SK4087LS onsemi 2SK4087LS -
RFQ
 ECAD 1815 0.00000000 온세미 - 가방 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SK4087 MOSFET (금속 (() TO-220FI (LS) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 600 v 9.2A (TC) 10V 610mohm @ 7a, 10V - 46 NC @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 30 v - 2W (TA), 40W (TC)
IRF9Z34STRRPBF Vishay Siliconix IRF9Z34STRRPBF 2.8100
RFQ
 ECAD 408 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 18A (TC) 10V 140mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
STF11N65M5 STMicroelectronics STF11N65M5 2.2300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF11 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9A (TC) 10V 480mohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 25V 644 pf @ 100 v - 25W (TC)
FCH47N60F-F085 onsemi FCH47N60F-F085 18.1300
RFQ
 ECAD 316 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, Superfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH47N60 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 47A (TC) 10V 75mohm @ 47a, 10V 5V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 30V 8000 pf @ 25 v - 417W (TC)
ISP25DP06NMXTSA1 Infineon Technologies ISP25DP06NMXTSA1 0.8600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ISP25DP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 10V 250mohm @ 1.9a, 10V 4V @ 270µA 10.8 nc @ 10 v ± 20V 420 pf @ 30 v - 1.8W (TA), 4.2W (TC)
SIHP5N80AE-GE3 Vishay Siliconix SIHP5N80AE-GE3 1.5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIHP5N80AE-GE3 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 4.4A (TC) 10V 1.35ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 321 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
MCG30N06Y-TP Micro Commercial Co MCG30N06Y-TP -
RFQ
 ECAD 4865 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 MCG30 MOSFET (금속 (() DFN3333 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCG30N06Y-TPTR 5,000 n 채널 60 v 30A 4.5V, 10V 14.4mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 724 pf @ 30 v - 20.8W
IPD06P003NSAUMA1 Infineon Technologies IPD06P003NSAUMA1 -
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD06P MOSFET (금속 (() PG-to252-3-313 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001863526 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 22A (TC) 10V 65mohm @ 22a, 10V 4V @ 1.04ma 39 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 30 v - 83W (TC)
PSMN1R4-40YLD/1X Nexperia USA Inc. PSMN1R4-40YLD/1X -
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PSMN1R4-40YLD/1X 귀 99 8541.29.0095 1
CP398X-CTLDM303N-WN Central Semiconductor Corp CP398X-CTLDM303N-WN -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 CP398 MOSFET (금속 (() 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 3.6A (TA) 2.5V, 4.5V 78mohm @ 1.8a, 2.5v 1.2V @ 250µA 13 nc @ 4.5 v 12V 590 pf @ 10 v - -
SQJ460AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ460AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ460 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqj460aep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 58A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 10.7a, 10V 2.5V @ 250µA 106 NC @ 10 v ± 20V 2654 pf @ 30 v - 68W (TC)
IRFH5006TRPBF Infineon Technologies IRFH5006TRPBF 0.9692
RFQ
 ECAD 9866 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IRFH5006 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 21A (TA), 100A (TC) 10V 4.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 150µA 100 nc @ 10 v ± 20V 4175 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 156W (TC)
SQJ416EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj416ep-t1_ge3 0.9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ416 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 27A (TC) 10V 30mohm @ 10a, 10V 3.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 45W (TC)
IRFAE42 International Rectifier irfae42 -
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 MOSFET (금속 (() TO-204AA (TO-3) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 800 v 4.4a - - - - - 125W
SQJ469EP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqj469ep-t1_ge3 2.9100
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJ469 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 80 v 32A (TC) 6V, 10V 25mohm @ 10.2a, 10V 2.5V @ 250µA 155 NC @ 10 v ± 20V 5100 pf @ 40 v - 100W (TC)
FQPF17N08 Fairchild Semiconductor FQPF17N08 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 11.2A (TC) 10V 115mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 25V 450 pf @ 25 v - 30W (TC)
MCU40P04-TP Micro Commercial Co MCU40P04-TP -
RFQ
 ECAD 4337 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MCU40 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 353-MCU40P04-TPTR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 40a 10V 14mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 72 NC @ 10 v ± 20V 2960 pf @ 20 v - 1.25W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다