SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
STB270N4F3 STMicroelectronics STB270N4F3 4.6200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Stripfet ™ III 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB270 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 2.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 7400 pf @ 25 v - 330W (TC)
IRFH7107TRPBF Infineon Technologies irfh7107trpbf -
RFQ
 ECAD 2052 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 75 v 14A (TA), 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 45a, 10V 4V @ 100µa 72 NC @ 10 v ± 20V 3110 pf @ 25 v - 3.6W (TA), 104W (TC)
FW256-TL-E onsemi FW256-TL-E -
RFQ
 ECAD 4330 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-FW256-TL-E-488 1
FQU13N06TU onsemi fqu13n06tu -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA fqu1 MOSFET (금속 (() i-pak - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 60 v 10A (TC) 10V 140mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 310 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
IPD30N03S2L20ATMA1 Infineon Technologies IPD30N03S2L20ATMA1 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD30N03 MOSFET (금속 (() PG-to252-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 2V @ 23µA 19 NC @ 10 v ± 20V 530 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRFR4105Z Infineon Technologies IRFR4105Z -
RFQ
 ECAD 6405 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 30A (TC) 10V 24.5mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 740 pf @ 25 v - 48W (TC)
PSMN3R4-30BL,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R4-30BL, 118 1.6000
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB psmn3r4 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 25a, 10V 2.15v @ 1ma 64 NC @ 10 v ± 20V 3907 pf @ 15 v - 114W (TC)
FQN1N60CBU onsemi fqn1n60cbu -
RFQ
 ECAD 7756 0.00000000 온세미 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) FQN1 MOSFET (금속 (() To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 300MA (TC) 10V 11.5ohm @ 150ma, 10V 4V @ 250µA 6.2 NC @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 1W (TA), 3W (TC)
AUIRF3805 Infineon Technologies AUIRF3805 -
RFQ
 ECAD 5539 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AUIRF3805 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 160A (TC) 10V 3.3mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 290 NC @ 10 v ± 20V 7960 pf @ 25 v - 300W (TC)
IXFT44N50Q3 IXYS IXFT44N50Q3 19.0290
RFQ
 ECAD 1803 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q3 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT44 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 44A (TC) 10V 140mohm @ 22a, 10V 6.5V @ 4MA 93 NC @ 10 v ± 30V 4800 pf @ 25 v - 830W (TC)
NTD4910NT4G onsemi NTD4910NT4G -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD49 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8.2A (TA), 37A (TC) 4.5V, 10V 9MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 15.4 NC @ 10 v ± 20V 1203 pf @ 15 v - 1.37W (TA), 27.3W (TC)
IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies IPB144N12N3GATMA1 2.0500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB144 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 120 v 56A (TA) 10V 14.4mohm @ 56a, 10V 4V @ 61µA 49 NC @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 60 v - 107W (TC)
HUF75345G3 onsemi HUF75345G3 4.4500
RFQ
 ECAD 5346 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 HUF75345 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 275 NC @ 20 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 325W (TC)
HUFA76619D3ST onsemi hufa76619d3st -
RFQ
 ECAD 5822 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 18A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 16V 767 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRF520S Vishay Siliconix IRF520S -
RFQ
 ECAD 6941 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF520 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF520 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 60W (TC)
IPI023NE7N3G Infineon Technologies IPI023NE7N3G 2.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 75 v 120A (TC) 2.3mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 273µA 206 NC @ 10 v 14400 pf @ 37.5 v - 300W (TC)
STD35NF06LT4 STMicroelectronics STD35NF06LT4 1.6200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD35 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 35A (TC) 4.5V, 10V 17.5A, 10V 17mohm 2.5V @ 250µA 33 NC @ 4.5 v ± 16V 1700 pf @ 25 v - 80W (TC)
IIPC63S4N10X2SA1 Infineon Technologies IIPC63S4N10X2SA1 -
RFQ
 ECAD 3593 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
MTAJ30N06ELFK onsemi mtaj30n06elfk 1.8500
RFQ
 ECAD 396 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1
IPI45N06S4L08AKSA1 Infineon Technologies IPI45N06S4L08AKSA1 -
RFQ
 ECAD 9426 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI45N06 MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 60 v 45A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 45A, 10V 2.2V @ 35µA 64 NC @ 10 v ± 16V 4780 pf @ 25 v - 71W (TC)
RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor RD3P175SNFRATL 1.6100
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RD3P175 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 17.5A (TA) 4V, 10V 105mohm @ 8.8a, 10V 2.5V @ 1mA 24 nc @ 10 v ± 20V 950 pf @ 25 v - 20W (TC)
IRLR024TR Vishay Siliconix irlr024tr -
RFQ
 ECAD 9144 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRLR024 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 14A (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 10V 870 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated DMN65D8LQ-7 0.2200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN65 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 310MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 115ma, 10V 2V @ 250µA 0.87 nc @ 10 v ± 20V 22 pf @ 25 v - 370MW (TA)
AO4710L_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4710L_101 -
RFQ
 ECAD 8851 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO47 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12.7A (TA) 4.5V, 10V 11.8mohm @ 12.7a, 10V 2.3V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 12V 2376 pf @ 15 v Schottky Diode (Body) 3.1W (TA)
IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies IPD50R280CEAUMA1 1.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ CE 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD50R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 500 v 13A (TA) 13V 280mohm @ 4.2a, 13v 3.5V @ 350µA 32.6 NC @ 10 v ± 20V 773 pf @ 100 v - 119W (TC)
RJK0352DSP-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0352DSP-00#J0 0.5700
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18A (TA) 5.6mohm @ 9a, 10V - 16 nc @ 4.5 v 2440 pf @ 10 v - 2W (TA)
AO4496_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4496_101 -
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 715 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
AONS34304C Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS34304C 0.9914
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AONS343 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AONS34304CTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 84A (TA), 200a (TC) 6.5V, 10V 0.68mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA 340 nc @ 10 v ± 20V 11200 pf @ 15 v - 7.3W (TA), 208W (TC)
DMNH4011SK3-13 Diodes Incorporated DMNH4011SK3-13 -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMNH4011 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMNH4011SK3-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 50A (TC) 10V 10mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 25.5 nc @ 10 v ± 20V 1405 pf @ 20 v - 2.6W (TA)
FDB86102LZ Fairchild Semiconductor FDB86102LZ 0.8700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 귀 99 8542.39.0001 345 n 채널 100 v 8.3A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 8.3a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1275 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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