SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
STB9NK80Z STMicroelectronics STB9NK80Z 2.4000
RFQ
 ECAD 5734 0.00000000 stmicroelectronics 자동차, AEC-Q101, Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB9 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 5.2A (TC) 10V 1.8ohm @ 2.6a, 10V 4.5V @ 100µa 40 nc @ 10 v ± 30V 1138 pf @ 25 v - 125W (TC)
IRFR3910PBF Infineon Technologies IRFR3910PBF -
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001571594 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 16A (TC) 10V 115mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 640 pf @ 25 v - 79W (TC)
TN0604N3-G-P013 Microchip Technology TN0604N3-G-P013 1.1400
RFQ
 ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TN0604 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 40 v 700ma (TJ) 5V, 10V 750mohm @ 1.5a, 10V 1.6V @ 1mA ± 20V 190 pf @ 20 v - 740MW (TA)
NTJS4160NT1G onsemi ntjs4160nt1g -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NTJS41 MOSFET (금속 (() SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.8A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 2.6a, 10V 2.4V @ 250µA 2.75 nc @ 4.5 v ± 20V 230 pf @ 10 v - 300MW (TA)
IPI90R1K2C3XKSA1 Infineon Technologies IPI90R1K2C3XKSA1 -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IPI90R MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 900 v 5.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10V 3.5V @ 310µA 28 nc @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 83W (TC)
STB18NM60N STMicroelectronics STB18NM60N -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB STB18N MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 13A (TC) 10V 285mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 25V 1000 pf @ 50 v - 110W (TC)
IRF3704 Infineon Technologies IRF3704 -
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3704 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 77A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 1996 PF @ 10 v - 87W (TC)
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK9A65W, S5X 2.2200
RFQ
 ECAD 1169 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosiv 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK9A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 9.3A (TA) 10V 500mohm @ 4.6a, 10V 3.5V @ 350µA 20 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 300 v - 30W (TC)
FDD6680 Fairchild Semiconductor FDD6680 1.4100
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1230 pf @ 15 v - 3.3W (TA), 56W (TC)
IRF6215LPBF Infineon Technologies IRF6215LPBF -
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001564822 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 13A (TC) 10V 290mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 860 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 110W (TC)
NVS4001NT1G onsemi NVS4001NT1G 0.4000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NVS4001 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 270MA (TA) 2.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 1.5V @ 100µa 1.3 NC @ 5 v ± 20V 33 pf @ 5 v - 330MW (TA)
IRF540Z Infineon Technologies IRF540Z -
RFQ
 ECAD 8503 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF540Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 36A (TC) 10V 26.5mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 63 NC @ 10 v ± 20V 1770 pf @ 25 v - 92W (TC)
STI300N4F6 STMicroelectronics STI300N4F6 -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ vi 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI300 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 160A (TC) 10V 2.2mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 240 NC @ 10 v ± 20V 13800 pf @ 25 v - 300W (TC)
AUIRFR024NTRL Infineon Technologies auirfr024ntrl 1.8700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR024 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 55 v 17A (TC) 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v 370 pf @ 25 v - 45W (TC)
ZVP3306ASTOB Diodes Incorporated zvp3306astob -
RFQ
 ECAD 6162 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 60 v 160MA (TA) 10V 14ohm @ 200ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 18 v - 625MW (TA)
IXTU64N055T IXYS IXTU64N055T -
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IXTU64 MOSFET (금속 (() TO-251AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 55 v 64A (TC) - 4V @ 25µA - -
IPU075N03L G Infineon Technologies IPU075N03L g -
RFQ
 ECAD 2445 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IPU075N MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1900 pf @ 15 v - 47W (TC)
FCPF9N60NT onsemi fcpf9n60nt 2.7000
RFQ
 ECAD 812 0.00000000 온세미 Supermos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FCPF9N60 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 385mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 1240 pf @ 100 v - 29.8W (TC)
SQJA46EP-T2_GE3 Vishay Siliconix sqja46ep-t2_ge3 0.5627
RFQ
 ECAD 5332 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SQJA46 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-sqja46ep-t2_ge3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 60A (TC) 10V 3MOHM @ 10A, 10V 3.5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 5000 pf @ 25 v - 68W (TC)
AON2240 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON2240 0.2051
RFQ
 ECAD 5556 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 Aon22 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 8a, 10V 2.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 415 pf @ 20 v - 2.8W (TA)
IRFR13N15DTRPBF Infineon Technologies IRFR13N15DTRPBF -
RFQ
 ECAD 4096 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 14A (TC) 10V 180mohm @ 8.3a, 10V 5.5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 86W (TC)
IRFR18N15DTRL Infineon Technologies irfr18n15dtrl -
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 18A (TC) 10V 125mohm @ 11a, 10V 5.5V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 30V 900 pf @ 25 v - 110W (TC)
PHB21N06LT,118 NXP USA Inc. PHB21N06LT, 118 0.3700
RFQ
 ECAD 978 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1 n 채널 55 v 19A (TC) 5V, 10V 70mohm @ 10a, 10V 2V @ 1mA 9.4 NC @ 5 v ± 15V 650 pf @ 25 v - 56W (TC)
IRF7809PBF Infineon Technologies IRF7809PBF -
RFQ
 ECAD 4373 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 28 v 14.5A (TA) 4.5V - 1V @ 250µA ± 12V - -
BSC023N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies BSC023N08NS5SCATMA1 4.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn BSC023 MOSFET (금속 (() PG-WSON-8-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 80 v 202A (TC) 6V, 10V 2.3mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 115µA 98 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 40 v - 188W (TC)
ZXM64P02XTA Diodes Incorporated ZXM64P02XTA 1.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXM64P02 MOSFET (금속 (() 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.7V, 4.5V 90mohm @ 2.4a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 6.9 NC @ 4.5 v ± 12V 900 pf @ 15 v - 1.1W (TA)
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies ISS55EP06LMXTSA1 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ISS55EP06 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 180MA (TA) 4.5V, 10V 5.5ohm @ 180ma, 10V 2V @ 11µA 0.59 nc @ 10 v ± 20V 18 pf @ 30 v - 400MW (TA)
AO3406L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3406L -
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.6a, 10V 2.5V @ 250µA 5 nc @ 10 v ± 20V 210 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
XP262N70023R-G Torex Semiconductor Ltd XP262N70023R-G 0.0628
RFQ
 ECAD 5574 0.00000000 Torex t ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 XP262 MOSFET (금속 (() SOT-323-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 1.6ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.72 nc @ 10 v ± 20V 30 pf @ 20 v - 350MW (TA)
SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir140DP-T1-RE3 2.1700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 sir140 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 71.9A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 0.67mohm @ 20a, 10V 2.1V @ 250µA 170 nc @ 10 v +20V, -16V 8150 pf @ 10 v - 6.25W (TA), 104W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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